公开(公告)号：CN111826609B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202010238371.9

申请日：2020-03-30

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 何智兵 ,  易泰民 ,  宛悦 ,  杜凯 ,  郑凤成 ,  李宁 ,  邢丕峰 ,  杨蒙生 ,  柯博 ,  何小珊 ,  王丽熊 ,  郭亮

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  G21B1/11

Abstract: 一种U‑W‑N三元薄膜及其制备方法和应用，它属于激光聚变工程技术领域，具体涉及一种兼具黑腔减散和防护作用的U‑W‑N三元薄膜及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有铀黑腔结构层复杂，UNx减散/防护层中N含量调控范围受限，抑制受激布里渊散射能力有限，Au防护层M带硬X射线与超热电子易激发的问题。U‑W‑N三元薄膜中N的质量分数为x％，且0＜x≤66.7，W的质量分数为y％，且0＜y≤10％，余量为U。制备方法：采用直流反应磁控溅射共沉积方法，以N2作为反应气，以U靶和W靶通过直流电源进行磁控溅射沉积，得到U‑W‑N三元薄膜。U‑W‑N三元薄膜作为减散/防护层应用于黑腔上。

公开(公告)号：CN111826609A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010238371.9

申请日：2020-03-30

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 何智兵 ,  易泰民 ,  宛悦 ,  杜凯 ,  郑凤成 ,  李宁 ,  邢丕峰 ,  杨蒙生 ,  柯博 ,  何小珊 ,  王丽熊 ,  郭亮

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  G21B1/11

Abstract: 一种U-W-N三元薄膜及其制备方法和应用，它属于激光聚变工程技术领域，具体涉及一种兼具黑腔减散和防护作用的U-W-N三元薄膜及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有铀黑腔结构层复杂，UNx减散/防护层中N含量调控范围受限，抑制受激布里渊散射能力有限，Au防护层M带硬X射线与超热电子易激发的问题。U-W-N三元薄膜中N的质量分数为x％，且0＜x≤66.7，W的质量分数为y％，且0＜y≤10％，余量为U。制备方法：采用直流反应磁控溅射共沉积方法，以N2作为反应气，以U靶和W靶通过直流电源进行磁控溅射沉积，得到U-W-N三元薄膜。U-W-N三元薄膜作为减散/防护层应用于黑腔上。