一种反应堆单晶硅辐照控制系统

    公开(公告)号:CN112885493A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110069471.8

    申请日:2021-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种反应堆单晶硅辐照控制系统,包括:竖直设置的反应堆堆芯辐照孔道、待辐照的单晶硅;沿反应堆堆芯辐照孔道的i个高度设置了对应的i个中子探测器;控计算机、单晶硅位置控制装置;主控计算机:在单晶硅位于第N高度时、用“位于第N高度的第N中子探测器的瞬时中子注量率ZLLN”进行积分、得到“单晶硅位于第N高度时的辐照积分总通量ZTLj,N”;根据“单晶硅位于第N高度时的辐照积分总通量ZTLj,N”、…、“单晶硅位于第1高度时的辐照积分总通量ZTLj,1”求和、得到“单晶硅已获辐照总中子通量ZN”;若“单晶硅已获辐照总中子通量ZN”达到“第N阈值”时,输出由第N高度移动到第N+1高度的“第N提位位移指令”。

    一种硅单晶辐照热中子注量在线监测信号刻度方法

    公开(公告)号:CN119324085A

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202411166859.X

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明提供了一种硅单晶辐照热中子注量在线监测信号刻度方法,涉及中子辐照嬗变掺杂质量控制技术领域,目的是实现准确性高、经济性好、灵活性高且数据反馈速度快,包括以下步骤:选取刻度用铝模拟体;确定刻度用硅单晶体与刻度用铝模拟体的刻度关系因子比值关系;选取与待辐照硅单晶体尺寸一致的再刻度用铝模拟体入堆辐照;确定再刻度用铝模拟体的刻度关系因子;获取待辐照硅单晶体的刻度关系因子;采集待辐照硅单晶体在入堆辐照过程的在线监测信号电流值,获取待辐照硅单晶体的辐照热中子注量。本发明具有处理高效、准确且经济性好的优点。

    一种用于单晶硅辐照孔道中子注量率分布测量试验装置

    公开(公告)号:CN118248357A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410325366.X

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种用于单晶硅辐照孔道中子注量率分布测量试验装置,包括固定组件、支撑组件,还包括周向探测器安装件、轴向探测器安装件、径向探测器安装件,分别用于安装探测器;固定组件由两个固定座组成,支撑组件由多个沿两个固定座中心连线的轴向方向布置的支撑条组成,各支撑条的两端固定连接在固定座上;周向探测器安装件为由多个安装条相接形成的环形结构,周向探测器安装件与贯穿环形结构周面的支撑条固定连接;轴向探测器安装件与沿轴向的支撑条固定连接;径向探测器安装件与多个沿径向排列的支撑条相连接。本发明可一次同时测量单晶硅辐照孔道中子注量率的周向、轴向和径向分布,提高效率,降低成本。

    一种用于MJTR单晶硅辐照的提棒方式

    公开(公告)号:CN117558487A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311529191.6

    申请日:2023-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种用于MJTR单晶硅辐照的提棒方式,在MJTR堆芯的1号、2号、3号以及4号单晶硅孔道上设置中子屏;MJTR堆芯中有10根控制棒,其中2根为安全棒,2根为自动棒,6根为手动补偿棒;3号手动补偿棒和6号手动补偿棒组成第一组外围棒,1号手动补偿棒和2号手动补偿棒组成一组中间棒,4号手动补偿棒和7号手动补偿棒组成第二组外围棒;在MJTR运行初期,手动补偿棒的提棒方式为如下三种中的一种:先提中间棒,再提第一组外围棒,最后提第二组外围棒;先提第一组外围棒,再提中间棒,最后提第二组外围棒;先提第一组外围棒,再提第二组外围棒,最后提中间棒;采用第二种方式获得的单晶硅均匀性好,产品质量好。

    一种反应堆单晶硅辐照控制系统

    公开(公告)号:CN112885493B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202110069471.8

    申请日:2021-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种反应堆单晶硅辐照控制系统,包括:竖直设置的反应堆堆芯辐照孔道、待辐照的单晶硅;沿反应堆堆芯辐照孔道的i个高度设置了对应的i个中子探测器;控计算机、单晶硅位置控制装置;主控计算机:在单晶硅位于第N高度时、用“位于第N高度的第N中子探测器的瞬时中子注量率ZLLN”进行积分、得到“单晶硅位于第N高度时的辐照积分总通量ZTLj,N”;根据“单晶硅位于第N高度时的辐照积分总通量ZTLj,N”、…、“单晶硅位于第1高度时的辐照积分总通量ZTLj,1”求和、得到“单晶硅已获辐照总中子通量ZN”;若“单晶硅已获辐照总中子通量ZN”达到“第N阈值”时,输出由第N高度移动到第N+1高度的“第N提位位移指令”。

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