公开(公告)号：CN119943822A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510118094.0

申请日：2025-01-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 袁渊 ,  夏晨辉 ,  王刚 ,  于宗光

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法，基于临时晶圆载板依次制备第一层介质层和第一层互连线；多次循环上述步骤形成多层介质层和多层互连线的垂直互连结构；减薄最顶层的介质层并移除底部的临时晶圆载板；对制备的垂直互连结构进行划片形成单独的互连结构，并将单独的互连结构进行堆叠。本发明通过将平面制备的水平互连线结构拼接旋转得到垂直互连线结构，可实现超精细超高深宽比的垂直互连通道，满足2.5D、3D先进封装集成工艺中对高密度垂直互连通道的需求。

公开(公告)号：CN117706878A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311624324.8

申请日：2023-11-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 叶刚 ,  刘书利 ,  李奇哲 ,  夏晨辉 ,  周超杰

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种光敏微晶玻璃晶圆的曝光方法，属于集成电路封装领域，包括以下步骤：步骤一，准备光敏微晶玻璃晶圆并对表面进行清洗；步骤二，在光敏微晶玻璃晶圆其中一面制备金属层；步骤三，将光敏微晶玻璃晶圆放置于掩模板下发，进行紫外光曝光作业；步骤四，剥离金属层，曝光完成。本发明可以有效的提升紫外光吸收效率，改善曝光均匀性，减少曝光时间，降低对曝光设备的损耗，极大的改善玻璃通孔质量，提高生产效率，从而降低了制造的成本。

公开(公告)号：CN117650111A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311537708.6

申请日：2023-11-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 周超杰 ,  王刚 ,  刘书利 ,  李奇哲 ,  夏晨辉

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/373 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种三维堆叠嵌入式微流道主动散热封装结构及方法。包括由下至上依次设置的硅晶圆、再布线层一、树脂塑封体和再布线层二；所述硅晶圆上嵌设有两个异构芯片一，且两个所述异构芯片一之间布设有微流道单元；所述树脂塑封体上嵌设有异构芯片二和TSV转接芯片，且两个所述TSV转接芯片之间布设有两个所述异构芯片二；所述异构芯片一、所述TSV转接芯片和所述异构芯片二之间通过所述再布线层一实现互联；通过所述再布线层二与所述TSV转接芯片的铜柱实现互联，且在所述再布线层二的UBM处对应有植球。本发明的目的在于解决现有的三维封装散热效率低的问题。

公开(公告)号：CN110931440A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201911258710.3

申请日：2019-12-10

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 王刚 ,  李杨 ,  朱召贤 ,  明雪飞 ,  夏晨辉 ,  周立彦

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种射频信号垂直传输结构及其制备方法，属于半导体晶圆级封装技术领域。射频信号垂直传输结构包括衬底和绝缘隔离结构；其中，所述衬底上形成有信号传输结构和信号屏蔽结构；所述绝缘隔离结构包裹所述信号传输结构和信号屏蔽结构形成平面结构层。本发明通过制造平面结构层，形成金属-绝缘层同心圆柱嵌套结构；用增材工艺替代刻蚀工艺，可以提高射频性能，简化工艺难度，提高工艺良率，降低工艺成本。

公开(公告)号：CN110911291A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911297394.0

申请日：2019-12-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 王成迁 ,  李杨 ,  李守委 ,  张爱兵 ,  夏晨辉 ,  颜炎洪

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明公开一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。提供硅基，在其背面制作截止层、凸点和第一凹槽；将玻璃载板通过键合胶键合在所述硅基背面；减薄硅基正面并刻蚀第二凹槽、TSV通孔和切割槽；在TSV通孔中制作铜柱，在第二凹槽中埋入第一芯片；用干膜填充所述硅基正面的缝隙并在第一芯片的焊盘面和铜柱开口；在开口处制作第一n层再布线，将第二芯片倒装焊接在第一n层再布线上并填充第二芯片和第一n层再布线之间的空隙；用塑封料塑封硅基正面，塑封料包覆第二芯片；拆除玻璃载板并清洗键合胶，用塑封料塑封硅基背面，塑封料包覆凸点；研磨至露出凸点，制作第二n层再布线、阻焊层和焊球，最后切割完成最终封装。

公开(公告)号：CN114429938B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202111583695.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 周超杰 ,  夏晨辉 ,  王刚 ,  明雪飞 ,  王成迁

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。对基板进行刻蚀填孔形成TSV铜柱并减薄制成硅基衬底；在硅基衬底上刻蚀出微流道槽和进出口通道盲孔；将微流道盖板与硅基衬底进行硅硅键合；把TSV转接芯片倒装焊接至硅基衬底上，将异构芯片与微流道盖板键合；用底填胶将TSV转接芯片的倒装焊处凸点间的缝隙填实；将倒装的TSV转接芯片和异构芯片进行灌封固化重构形成树脂晶圆片；减薄漏出TSV转接芯片的铜柱和异构芯片的凸点；在树脂晶圆片上形成多层互联再布线；对硅基衬底进行减薄；将异构芯片固定在芯片槽内，依次实现的RDL和UBM多层互联金属再布线；在UBM处植上焊球，再对三维集成硅基圆片进行划片形成最终的封装体。

公开(公告)号：CN118610201A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410789761.3

申请日：2024-06-19

Applicant: 无锡中微高科电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 陈志强 ,  张爱兵 ,  李轶楠 ,  姚昕 ,  李洋 ,  李杨 ,  夏晨辉

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种三维集成结构及其封装方法。本发明包括Core材，包括贯穿于相对的正反两面的若干个金属化通孔，各金属化通孔的两端凸设有凸点焊盘，Core材还开设有镂空区域；芯片，设置于镂空区域内；包覆膜，填充于镂空区域内且覆盖于Core材正反两面，并暴露各凸点焊盘表面；布线层，分别设置于Core材正反两面上的包覆膜的表面，且与各凸点焊盘接触；钝化层，覆盖于各布线层；焊球凸点，各钝化层表面具有延伸至布线层的开口；各封装体通过各自的焊球凸点与相邻的封装体的布线层接触，且相邻两个封装体之间形成的缝隙中填充有底部填充胶。本发明将多个芯片或功能模块在三维空间内进行集成封装，形成紧凑、高性能的三维封装结构。

公开(公告)号：CN113725153B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202111017250.2

申请日：2021-08-31

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 夏晨辉 ,  周超杰 ,  王刚 ,  吉勇 ,  明雪飞

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/34

Abstract: 本发明涉及一种多层多芯片扇出型三维集成封装方法及结构。其包括如下步骤：步骤1、提供临时键合载板，并设置载板互连金属布线层；步骤2、在所述载板互连金属布线层上制备得到所需的底层塑封单元体；步骤3、在上述底层塑封单元体上制备若干层叠分布的层叠塑封单元体；步骤4、拆除上述临时键合载板与底层塑封单元体间的连接，并在拆除后，利用晶圆级植球工艺，在与底层塑封单元体连接的载板互连金属布线层上设置所需的封装体焊球，以形成所需的集成封装体。本发明与现有封装工艺兼容，能有效减少封装后的翘曲度，减少损耗，提高封装性能，安全可靠。

公开(公告)号：CN115910819A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211673594.3

申请日：2022-12-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 张志模 ,  夏晨辉 ,  王刚 ,  袁渊

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开一种用于低翘曲度双面树脂基扇出结构的制作方法，属于集成电路封装领域，包含正面和反面两层结构，其中正面包括正面芯片、第一再布线层以及塑封材料层，反面包括反面芯片、第二再布线层；正面芯片和反面芯片通过粘合层以“背对背”方式进行粘接，并通过树脂塑封料进行模塑；第一再布线层和第二再布线层通过TMV通孔结构进行电学连接，从而实现正反面的信号互联。本发明能有效增加树脂基扇出封装集成密度，并从结构设计层面避免了由于硅‑树脂材料体系热力学性能失配引入的翘曲，可实现低翘曲、高密度的树脂基扇出封装，安全可靠。

公开(公告)号：CN114446907A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111583684.9

申请日：2021-12-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 周超杰 ,  夏晨辉 ,  王刚 ,  明雪飞 ,  李奇哲

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明公开一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。在裸硅晶圆上刻蚀盲孔，并对其进行电镀填充，制成带TSV铜柱的硅基板晶圆；在硅基板晶圆的底部刻蚀出芯片槽并埋入异构芯片；在硅基板晶圆的底部表面形成RDL和UBM的多层互联金属再布线；减薄硅基板晶圆片的顶部直至漏出TSV铜柱；在减薄的硅基板晶圆上刻蚀出针肋微流道及进出口通道，完成TSV针肋微流道下盖板；重复上述工序制作出TSV针肋微流道上盖板；将TSV针肋微流道上盖板和TSV针肋微流道下盖板进行面对面SoIC键合，实现微流道密封，完成微流道单元；利用晶圆级植球工艺，在重构的多层硅基晶圆的UBM处植上焊球，再对三维集成TSV针肋微流道圆片进行划片形成最终的封装体。