一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构

    公开(公告)号:CN111900094A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010681869.2

    申请日:2020-07-15

    Abstract: 本发明公开一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构,属于电子封装技术领域。将第一组元器件通过键合膜贴装在载具上;塑封第一组元器件并进行烘烤,拆除载具,清洗干净键合膜,对第一组元器件背面进行研磨;在第一组元器件正面涂覆感光树脂,在其金属端口处开孔,进行RDL重布线将金属端口引出;倒装焊接第二组元器件,塑封第二组元器件并减薄至露出第二组元器件;在第二组元器件背面涂覆感光树脂,在其金属端口处开孔并制作锡银凸点;塑封锡银凸点,进行研磨至露出锡银凸点;研磨第一组元器件背面,在表面涂覆感光树脂,在其金属端口处开孔,并制作焊盘将金属端口引出;在第一组元器件背面的焊盘处贴装第三组元器件,经过回流焊机后进行切割。

    高效的陶瓷封装工艺
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111785649A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010641632.1

    申请日:2020-07-06

    Abstract: 本发明涉及高效的陶瓷封装工艺,它包括以下步骤:在管壳载具的上表面涂上热解键临时键合胶;将陶瓷管壳通过热解键临时键合胶呈批量性、阵列式贴装压合在管壳载具的上表面,形成陶瓷管壳阵列;对陶瓷管壳阵列进行烘烤,使得热解键临时键合胶固化;以陶瓷管壳的位置为基准完成陶瓷封帽在陶瓷管壳上的贴装步骤,形成陶瓷封装体;在管壳载具的底部进行加热,使热解键临时键合胶的粘合胶力降低,完成陶瓷封装体与管壳载具的解键合步骤;用吸嘴吸取陶瓷封装体,使陶瓷封装体与管壳载具完成分离。本发明将单颗组装的陶瓷管壳进行多颗组合排布,实现了大规模的集成机种制造,提升了工艺集成度,提高了效率,增加了产出,提升了产品良率和品质。

    一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法

    公开(公告)号:CN110977362A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911369230.4

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明公开一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法,属于集成电路封装技术领域。所述抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板的制备方法包括:合金盖板板材机加工或腐蚀后得到T型的合金盖板柱;在合金盖板柱的外表面形成第一保护层,并清洗干燥;在第一保护层的外表面形成第二保护层,并清洗干燥;将合金盖板柱沿横向切割,形成单个的合金盖板本体;去除合金盖板本体的毛刺;在合金盖板本体的外表面形成第三金保护层。本发明提供的一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法中,在T型的合金盖板柱的外表面依次形成第一保护层和第二保护层后,切割形成合金盖板本体,能够快速得到多个带有第一保护层和第二保护层的合金盖板本体。

    一种硅基三维扇出集成封装方法及其结构

    公开(公告)号:CN111463137A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010441532.4

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明公开一种硅基三维扇出集成封装方法及其结构,属于集成电路晶圆级封装技术领域。在硅基正面制作TSV盲孔并在表面沉积无机钝化层;在TSV盲孔中制作铜柱并在表面制作第一n层再布线和金属焊垫;在硅基正面键合玻璃载板;通过刻蚀使TSV盲孔露出,在硅基背面刻蚀出凹槽并通过粘结剂埋入第一芯片;在硅基背面填充干膜材料,并在第一芯片的焊垫和TSV盲孔处开孔,开孔尺寸不小于1μm;将TSV盲孔表层的无机钝化层刻蚀干净并保持过刻蚀10%,在硅基背面依次制作钝化层、第二n层再布线和凸点;拆掉玻璃载板,在硅基正面焊接若干个第二芯片。本发明通过使用硅基实现三维扇出型晶圆级封装,完成高密度异构芯片三维集成,其封装效率、集成度、性能大大提高。

    一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法

    公开(公告)号:CN110846643A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911152836.2

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明公开一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,属于集成电路电子封装技术领域。首先对完成平行缝焊的陶瓷封装器件进行预清洗;接着将陶瓷封装器件中无需再化镀的部分涂上光刻胶并烘干;然后陶瓷封装器件烘干后放入化镀池中进行金属再化镀形成抗腐蚀层;最后去除陶瓷封装器件上的光刻胶并清洗烘干。本发明通过在现有工艺上进行再次化镀,以修复封盖工艺对焊边造成的镀层损伤,无需引进新设备,不会增加生产成本,而且由于再次化镀无需在引脚加电,不会影响电路性能。改善平行缝焊合金盖板的抗盐雾腐蚀性能,可同时满足集成电路产品更加苛刻的盐雾环境应用需求和采用平行缝焊密封工艺封装器件的高可靠性要求。

    一种基于渐变光学微腔的光谱定标结构及制备方法

    公开(公告)号:CN110608801A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201910983644.X

    申请日:2019-10-16

    Abstract: 本发明公开一种基于渐变光学微腔的光谱定标结构及制备方法,属于光学测试技术领域。所述基于渐变光学微腔的光谱定标结构包括衬底,所述衬底上依次设有下层DBR、中间腔层、上层DBR和顶部单元。只需将单色光源照射在不同单元上即可快速、精确的得到平滑准确的光谱曲线,从而确定光谱波长位置和光谱稳定性,校正波长偏移。相较于传统方法,显著提高了其便携性,可广泛应用于光源的高通量识别、食品安全检测和光谱仪定标过程中的波长定标等相关应用。

    一种合金封帽的装夹夹具及使用方法

    公开(公告)号:CN111889845A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010887128.X

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明公开一种合金封帽的装夹夹具及使用方法,属于封装技术领域。所述合金封帽的装夹夹具及使用方法通过管壳定位夹具主体内腔的限位、盖板定位夹具和夹具压力盖板多方位地对待封陶瓷管壳和熔封盖板进行定位固定,有效地避免熔封盖板粘接中由于不可控因素而导致的偏移和旋转操作简单易行,效果可靠,能够提高半导体元器件封装的合格率和质量。适用于陶瓷主体进行粘接封帽的集成电路,尤其适用于对封装尺寸控制精度要求较高的半导体元器件。

    一种合金封帽倒装式装夹夹具及使用方法

    公开(公告)号:CN111889844A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010885770.4

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明公开一种合金封帽倒装式装夹夹具及使用方法,属于封装技术领域。所述合金封帽倒装式装夹夹具及使用方法通过所述管壳定位夹具主体内腔的限位、所述背部盖板和所述夹具压力盖板多方位地对所述待封陶瓷管壳进行固定,有效地避免所述熔封盖板粘接中由于不可控因素而导致的偏移和旋转。该夹具操作简单易行,效果可靠,能够提高半导体元器件封装的合格率和质量。适用于陶瓷外壳进行粘接封帽的集成电路,尤其适用于对封装尺寸控制精度要求较高的半导体元器件。

Patent Agency Ranking