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公开(公告)号：CN111262529B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
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公开(公告)号：CN111883898A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010519992.4
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，该方法包括：在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔，第二基片和第三基片制备多个第二通孔；第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽；在第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在槽底制备第四通孔，第三通孔与第四通孔连通，在第三基片的下表面制备焊盘；在第二基片上制备同轴芯体；将第一基片、第二基片以及第三基片依次键合，获得微同轴结构的微延时线芯片，通过将微延时线芯片中的同轴芯体(传输线)进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，可以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。
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公开(公告)号：CN111565031A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010268792.6
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/02
Abstract: 本发明适用于无线电技术领域，提供了一种吸收式限幅器，包括电桥、第一限幅模块、第二限幅模块、第一负载模块和第二负载模块；所述电桥的输入端口为所述吸收式限幅器的输入端口，所述电桥的隔离端口为所述吸收式限幅器的输出端口；所述电桥的耦合输出端口连接所述第一限幅模块的输入端，所述电桥的直通输出端口连接所述第二限幅模块的输入端，所述第一限幅模块的输出端与所述第一负载模块的输入端连接，所述第二限幅模块的输出端与所述第二负载模块的输入端连接，所述第一负载模块和所述第二负载模块均接地。本申请采用一个电桥的输入端口作为吸收式限幅器的输入，隔离端口作为吸收式限幅器的输出，简化了电路结构，降低了插入损耗和泄露功率。
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公开(公告)号：CN115896946A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211562684.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种磷化铟多晶合成的方法，属于半导体技术领域，包括：将坩埚内的铟加热形成熔体；打开冷凝器；将磷加热气化，气化的磷蒸气进入坩埚中的熔体，与铟化合反应生成磷化铟；溢出熔体的磷蒸气与冷凝器发生热交换，凝结成液滴，流入液磷输送管；液磷输送管内的液态磷液面逐渐增加到一定高度时，封堵打开，液磷流入到石英磷容器中；反应完成后，停止加热器和磷加热器工作，降至室温，拆分装置，取出坩埚。本发明采用冷凝技术将逃逸的磷蒸气回收后继续参与反应，大大提高原材料的利用率；提高单次多晶的合成量，大幅提高合成效率；逃逸的磷蒸气回收利用，省去了了繁琐的炉子清洗过程；可以实现装填一次磷，多次合成磷化铟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111883898B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010519992.4
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，该方法包括：在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔，第二基片和第三基片制备多个第二通孔；第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽；在第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在槽底制备第四通孔，第三通孔与第四通孔连通，在第三基片的下表面制备焊盘；在第二基片上制备同轴芯体；将第一基片、第二基片以及第三基片依次键合，获得微同轴结构的微延时线芯片，通过将微延时线芯片中的同轴芯体(传输线)进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，可以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。
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公开(公告)号：CN115102542A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210713186.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种锁相环频率快速切换电路、锁相环及控制方法。该电路包括电荷泵、环路滤波器、压控振荡器、开关模块、电平转换模块和控制器；开关模块和电荷泵均受控于控制器；电荷泵的输出端与环路滤波器连接；开关模块的第一端与环路滤波器连接，开关模块的第二端与压控振荡器连接，开关模块的第三端与电平转换模块连接；电平转换模块还与控制器连接。本发明通过对压控振荡器预置电压以及增大电荷泵的工作电流，能够最大限度降低频率切换时间，从而使锁相环的频率切换时间控制在十微秒以内，且可以实现频率的任意切换。
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公开(公告)号：CN111262529A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
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公开(公告)号：CN219297705U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202223271542.1
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种磷化铟多晶合成设备，属于半导体技术领域，包括框架、石英磷容器、磷加热器、冷凝器、与冷凝器相对设置的液磷通道、液磷输送管、液磷输送管底部开口处设置的封堵、多晶生长部分的装配空间，液磷输送管连接液磷通道和石英磷容器；多晶生长部分包括坩埚、加热器，坩埚底部设置微米级孔洞；多晶生长部分装配到多晶生长部分的装配空间，在框架内形成密闭空间。本实用新型采用冷凝技术将逃逸的磷蒸汽回收后继续参与反应，大大提高原材料的利用率；提高单次多晶的合成量，大幅提高合成效率；逃逸的磷蒸汽回收利用，省去了了繁琐的炉子清洗过程；可以实现装填一次磷，多次合成磷化铟。
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公开(公告)号：CN212343741U
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202020499024.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/02
Abstract: 本实用新型适用于无线电技术领域，提供了一种吸收式限幅器，包括电桥、第一限幅模块、第二限幅模块、第一负载模块和第二负载模块；所述电桥的输入端口为所述吸收式限幅器的输入端口，所述电桥的隔离端口为所述吸收式限幅器的输出端口；所述电桥的耦合输出端口连接所述第一限幅模块的输入端，所述电桥的直通输出端口连接所述第二限幅模块的输入端，所述第一限幅模块的输出端与所述第一负载模块的输入端连接，所述第二限幅模块的输出端与所述第二负载模块的输入端连接，所述第一负载模块和所述第二负载模块均接地。本申请采用一个电桥的输入端口作为吸收式限幅器的输入，隔离端口作为吸收式限幅器的输出，简化了电路结构，降低了插入损耗和泄漏功率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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