抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器

    公开(公告)号:CN111262529B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202010123495.2

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域,提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器,该方法包括:多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间,每级限幅电路的第二端的第一端口接地,第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地,最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地,中间级限幅电路的第二端的第二端口接地,中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路,从而实现单片吸收式抗饱和限幅器,与现有的GaAs单片限幅器相比,线性度提高20dBc;采用该抗饱和限幅器,可以有效改善驱动放大器的过饱和问题,且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。

    3dB电桥及其制备方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110797620B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN201911005395.3

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 本发明属于无线电技术领域,涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括:输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片;第一平行微带线呈正U字形,第二平行微带线呈倒U字形,两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上;第一平行微带线的第一端与输入端口连接,第二端与直通端口连接,第二平行微带线的第一端与耦合端口连接,第二端与隔离端口连接;介质基片的背面设置缺陷地结构;金属垫片设置在介质基片的背面,且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小,插入损耗小,有效提高电桥的耐功率能力,提高产品可靠性。

    抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器

    公开(公告)号:CN111262529A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN202010123495.2

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域,提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器,该方法包括:多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间,每级限幅电路的第二端的第一端口接地,第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地,最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地,中间级限幅电路的第二端的第二端口接地,中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路,从而实现单片吸收式抗饱和限幅器,与现有的GaAs单片限幅器相比,线性度提高20dBc;采用该抗饱和限幅器,可以有效改善驱动放大器的过饱和问题,且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。

    超高功率限幅器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110661503A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201911055625.7

    申请日:2019-10-31

    Abstract: 本发明适用于电子器件技术领域,提供了一种超高功率限幅器,包括:第一隔离模块、第一限幅模块、第二限幅模块和第二隔离模块;各个限幅模块分别包括至少两个二极管单元;第一隔离模块分别与第一限幅模块的第一端、第二限幅模块的第一端及第二隔离模块连接;第一限幅模块的各个二极管单元的正极分别与第一限幅模块的第一端连接,第二限幅模块的各个二极管单元的负极分别与第二限幅模块的第一端连接。本申请通过在第一限幅模块中并联多个二极管单元,能够降低二极管结电容,增加二极管数量,同时通过第二限幅模块的整流特性,提高限幅器的耐功率能力,进而提高超高功率限幅器的可靠性。

    基于检波的有源微波限幅器及通信系统

    公开(公告)号:CN114268332B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202111582752.X

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本发明适用于微波设备技术领域,提供了一种基于检波的有源微波限幅器及通信系统,上述限幅器包括:包括:双向耦合器、第一检波模块、第二检波模块、限幅驱动模块、PIN二极管、天线端及功率发射端;第一检波模块的输出端与限幅驱动模块的第一输入端连接,第二检波模块的输出端与限幅驱动模块的第二输入端连接;限幅驱动模块根据第一检波模块输出的第一检波信号和第二检波模块输出的第二检波信号生成驱动信号,驱动PIN二极管导通。本发明基于双向耦合器的特性,当有天线端有大功率信号注入时,正向检波输出和反向检波输出叠加作用到PIN二极管的正极,驱动其导通,实现了对大功率信号的单向防护。

    基于检波的有源微波限幅器及通信系统

    公开(公告)号:CN114268332A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111582752.X

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本发明适用于微波设备技术领域,提供了一种基于检波的有源微波限幅器及通信系统,上述限幅器包括:包括:双向耦合器、第一检波模块、第二检波模块、限幅驱动模块、PIN二极管、天线端及功率发射端;第一检波模块的输出端与限幅驱动模块的第一输入端连接,第二检波模块的输出端与限幅驱动模块的第二输入端连接;限幅驱动模块根据第一检波模块输出的第一检波信号和第二检波模块输出的第二检波信号生成驱动信号,驱动PIN二极管导通。本发明基于双向耦合器的特性,当有天线端有大功率信号注入时,正向检波输出和反向检波输出叠加作用到PIN二极管的正极,驱动其导通,实现了对大功率信号的单向防护。

    3dB电桥及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110797620A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201911005395.3

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 本发明属于无线电技术领域,涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括:输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片;第一平行微带线呈正U字形,第二平行微带线呈倒U字形,两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上;第一平行微带线的第一端与输入端口连接,第二端与直通端口连接,第二平行微带线的第一端与耦合端口连接,第二端与隔离端口连接;介质基片的背面设置缺陷地结构;金属垫片设置在介质基片的背面,且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小,插入损耗小,有效提高电桥的耐功率能力,提高产品可靠性。

    脊波导与玻珠的连接结构及微波器件

    公开(公告)号:CN211655013U

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202020372736.2

    申请日:2020-03-23

    Abstract: 本实用新型提供了一种脊波导与玻珠的连接结构及微波器件,属于微波封装技术领域,包括:脊波导本体和玻珠,脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体,所述脊体上设有开槽;玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体相连的探针,所述探针伸入所述开槽内,所述玻珠借助所述探针与所述脊波导连接。本实用新型提供的脊波导与玻珠的连接结构,由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接,避免了焊接过程中的应力形变和造成的应力损伤,由于探针直接插入开槽中,利用开槽的收缩应力可以将探针夹紧,实现一定的弹性接触,在应用的器件工作时,可以具有一定的调节性,避免产生应力损伤,使得连接可靠,保证器件的平稳运行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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