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公开(公告)号：CN111370831B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010206505.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，所述脊体上设有开槽；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体相连的探针，所述探针伸入所述开槽内，所述玻珠借助所述探针与所述脊波导连接。本发明提供的脊波导与玻珠的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变和造成的应力损伤，由于探针直接插入开槽中，利用开槽的收缩应力可以将探针夹紧，实现一定的弹性接触，在应用的器件工作时，可以具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
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公开(公告)号：CN117747545A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311735431.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/768 , H01L25/065 , H01L25/00
Abstract: 本申请适用于限幅器技术领域，提供了限幅器MMIC芯片及其制备方法。该限幅器MMIC芯片的制备方法包括：在硅基晶圆的上表面制备PIN二极管；在已制备PIN二极管的硅基晶圆的上表面制备绝缘介质层；将绝缘介质层与PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域对应的部分刻蚀掉，并对硅基晶圆与接地焊盘区域对应的部分继续刻蚀至硅基晶圆的N+层；通过电镀金属在PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域制备PIN二极管的上电极与接地焊盘；在硅基晶圆的上表面制备外围电路；在硅基晶圆的下表面制备PIN二极管的下电极；在外围电路上的植球焊盘上制备金球凸点；将GaN肖特基二级管芯片倒装焊接在植球焊盘上。本申请制备的芯片集成度高、体积小。
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公开(公告)号：CN111521894A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010260366.8
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种波导组件测试工装，属于通信测试技术领域，包括固定座、滑动安装座以及弹性固定组件，固定座设有第一通孔，一端用于安装与第一通孔对应的波导转换器，另一端设有向外延伸的导向安装块；滑动安装座设有用于与导向安装块滑动配合的安装孔，滑动安装座的上端面设有用于安装波导组件的安装槽；安装槽与第一通孔相对应；弹性固定组件的两端分别安装在固定座和滑动安装座上，用于紧固固定座和滑动安装座，本发明提供的波导组件测试工装，通过这种方式，使波导转换器和波导组件简便地对接，并且通过第一通孔精确地相对应，既提高了波导组件测试的效率，也提高了测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN114268287A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111584252.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于射频通信技术领域，提供了一种单向微波限幅器及通信系统，上述限幅器包括：双向耦合器、正向检波模块、反向检波模块、积分模块、扼流电感、PIN二极管；双向耦合器的第一主支路端与天线端连接，第二主支路端分别与扼流电感的第一端、PIN二极管的正极及功率发射端连接，第一耦合端与正向检波模块的输入端连接，第二耦合端与反向检波模块的输入端连接；正向检波模块的输出端分别与反向检波模块的输出端、积分模块的第一端及扼流电感的第二端连接；本发明根据双向耦合器的特性，当天线端有大功率信号注入时，正向检波模块的输出和反向检波模块的输出通过积分模块共同作用到PIN二极管的正极使其导通，实现对大功率信号的单向防护。
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公开(公告)号：CN111565031A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010268792.6
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/02
Abstract: 本发明适用于无线电技术领域，提供了一种吸收式限幅器，包括电桥、第一限幅模块、第二限幅模块、第一负载模块和第二负载模块；所述电桥的输入端口为所述吸收式限幅器的输入端口，所述电桥的隔离端口为所述吸收式限幅器的输出端口；所述电桥的耦合输出端口连接所述第一限幅模块的输入端，所述电桥的直通输出端口连接所述第二限幅模块的输入端，所述第一限幅模块的输出端与所述第一负载模块的输入端连接，所述第二限幅模块的输出端与所述第二负载模块的输入端连接，所述第一负载模块和所述第二负载模块均接地。本申请采用一个电桥的输入端口作为吸收式限幅器的输入，隔离端口作为吸收式限幅器的输出，简化了电路结构，降低了插入损耗和泄露功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111370831A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010206505.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，所述脊体上设有开槽；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体相连的探针，所述探针伸入所述开槽内，所述玻珠借助所述探针与所述脊波导连接。本发明提供的脊波导与玻珠的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变和造成的应力损伤，由于探针直接插入开槽中，利用开槽的收缩应力可以将探针夹紧，实现一定的弹性接触，在应用的器件工作时，可以具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
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公开(公告)号：CN111521894B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010260366.8
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种波导组件测试工装，属于通信测试技术领域，包括固定座、滑动安装座以及弹性固定组件，固定座设有第一通孔，一端用于安装与第一通孔对应的波导转换器，另一端设有向外延伸的导向安装块；滑动安装座设有用于与导向安装块滑动配合的安装孔，滑动安装座的上端面设有用于安装波导组件的安装槽；安装槽与第一通孔相对应；弹性固定组件的两端分别安装在固定座和滑动安装座上，用于紧固固定座和滑动安装座，本发明提供的波导组件测试工装，通过这种方式，使波导转换器和波导组件简便地对接，并且通过第一通孔精确地相对应，既提高了波导组件测试的效率，也提高了测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN110112076B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910362608.1
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种电路封装方法及封装结构，属于电路封装技术领域。本发明提供的电路封装方法包括以下步骤：将功能电路连接输入接口和输出接口；将功能电路置入第一封装体中；充入稳定性气体后将第一封装体密封；将第一封装体装入并固定于第二封装体，并将第二封装体封闭，且使输入接口的外端和输出接口的外端露出第二封装体。本发明提供的电路封装结构包括第一封装体、第二封装体、输入接口和输出接口。本发明提供了一种电路封装方法及封装结构能够提高功能电路全方位的防护效果，同时双层封装的方式以及同轴封装的形式能通过强度较高的外层结构起到防护作用，而内层起到气密性封装的作用，从而减小封装后的体积，并方便安装。
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公开(公告)号：CN111262529A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
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公开(公告)号：CN111262529B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
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