-
公开(公告)号：CN114567529B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210089550.X
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04L27/04
Abstract: 本申请适用于太赫兹电路技术领域，提供了单边带调制系统、方法、装置及终端设备，该系统包括：相移网络功分器，用于将输入的信号分成两路信号，且两路信号相位差为45度，将两路信号输入单片集成电路；单片集成电路，用于将两路IQ低频信号和两路信号的二次倍频信号进行混频调制，得到两路上变频信号，将两路上变频信号输入射频输出波导合成器；射频输出波导合成器，用于将两路上变频信号进行同相合成，同相合成后的信号为调制后的信号，输出调制后的信号。本申请通过单片集成电路处理输入信号和相移网络功分器对太赫兹信号进行功分和幅度相位的控制，可以提高单边带调制器的性能，获得与现有技术相比更高的频谱利用率和上变频输出功率。
-
公开(公告)号：CN115940818A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310009442.1
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明提供一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器。该芯片包括：衬底。对称集成于所述衬底上的第一微带探针、第二微带探针、第一倍频支路和第二倍频支路。第一肖特基二极管模块的输入端连接第一微带探针，第一肖特基二极管模块的输出端连接第一微带线的输入端。第二肖特基二极管模块的输入端连接第二微带探针，第二肖特基二极管模块的输出端连接第二微带线的输入端。连接第一微带线的输出端和第二微带线的输出端的第三微带探针。本发明能够基于半导体制造工艺将两路倍频支路制备在同一个衬底上，并通过衬底表面的微带线实现两路倍频支路功率合成，基于同一衬底制备倍频电路并实现功率合成方式，相位一致性高，功率合成效率高。
-
公开(公告)号：CN112289866B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011085010.1
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L27/08
Abstract: 本发明提供了一种大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，属于半导体器件技术领域，包括多个串联单元，串联单元的数量为偶数，每个串联单元包括多个同向串联的肖特基结；多个串联单元反向并联。本发明提供的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，利用串联电路和并联电路的原理，采用多个同向串联肖特基结进行反向并联的形式，通过增加肖特基结个数，使得倍频器可以承受更大的输入功率，从而得到更大的输出功率。
-
公开(公告)号：CN111599745B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202010484913.0
申请日：2020-06-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧，用于固定所述太赫兹二极管。本发明通过设置在用于装配太赫兹二极管的电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧的多个太赫兹二极管定位桩，有利于太赫兹二极管装配位置的定位，可以将太赫兹二极管准确且牢固地固定到电路基板上，有利于由太赫兹二极管装配构成的最终电路性能的稳定。
-
公开(公告)号：CN112614900B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011357725.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0203 , H01L31/02
Abstract: 本发明提供了一种光导开关封装结构，属于半导体光导开关器件技术领域，包括内部设有密封空间的壳体，壳体的内底面间隔设置第一台面和第二台面，第一台面的上端面和第二台面的上端面均设有引出端口，光导开关的两端分别搭接于第一台面和第二台面上，并分别通过接触电极与两个引出端口电连接；密封空间内填充有绝缘介质，绝缘介质包裹于光导开关的四周。本发明提供的一种光导开关封装结构，两个台面相互隔离，可以避免沿面击穿，向壳体内的密封空间内填充绝缘材料，使绝缘材料能够借助第一台面和第二台面之间的间隔完全包裹在光导开关的四周，使绝缘材料与光导开关表面充分接触，对光导开关实现全面的保护，避免光导开关放电打火而发生损坏，提高了器件的工作电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112993054A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110161027.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种GaN太赫兹二极管、倍频单片、倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+GaN层上的N‑GaN层、欧姆接触电极，以及肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管利用金刚石材料介电常数低、热导率高的特性，能够提升器件散热能力，降低寄生电容和内部结温，从而提升器件的耐功率水平。本发明提供的倍频单片和倍频器均采用了上述GaN太赫兹二极管。
-
公开(公告)号：CN112993042A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110160011.6
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/207 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种倍频单片、GaN太赫兹二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括N面上外延生长有氮化铝中间层的外延GaN层、外延生长于氮化铝中间层上的金刚石衬底层、依次外延生长于外延GaN层的Ga面上的高掺杂N型GaN层和低掺杂N型GaN层，以及欧姆接触电极和肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管采用金刚石衬底层作为器件衬底结构，能够提高GaN太赫兹二极管的散热性能，降低器件内部结温和内部寄生电容，提升GaN太赫兹二极管的耐功率水平。本发明提供的倍频单片采用了上述GaN太赫兹二极管。
-
公开(公告)号：CN112614909A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011364521.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224
Abstract: 本发明适用于半导体光导开关器件技术领域，提供了一种光导开关器件，包括：衬底；所述衬底的任一侧面上设置至少两条相互隔离的并行通道；所述并行通道的两端设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，所述欧姆接触区上设置的金属电极；在除所述金属电极之外的区域设置的钝化层。通过在衬底上设置多个并行通道实现电流分流，从而降低单个电流丝的电流密度，提升光导开关器件的总功率，提高开关寿命；通过设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，使光导开关在反向偏置条件下可以降低暗电流，减小功率损耗，同时避免重掺杂欧姆接触区的载流子向并行通道区注入引起的自击穿，从而提高器件耐压特性。
-
公开(公告)号：CN112289865A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011084999.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供了一种可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间。本发明提供的可偏置混频肖特基二极管结构，采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，这样可以对二极管进行偏置，从而降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度。
-
公开(公告)号：CN112289791A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011085015.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/08 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
63
records
(took 0.058 seconds)
