-
公开(公告)号：CN114582724A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210086524.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/683 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片，属于半导体技术领域，包括制备外延晶圆片；肖特基二极管基本结构制作；减薄外延晶圆片；在减薄后的外延晶圆片背面涂预设厚度的低介质胶，形成低介电常数衬底；在低介电常数衬底的表面粘接临时保护性基板；去除外延晶圆片正面的临时性磨片基板；阳极阴极隔离腐蚀；一次固化低介电常数衬底；去除低介电常数衬底表面的临时保护性基板；二次固化所述低介电常数衬底，完成芯片的制作。本发明提供的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，直接能够制造小于10微米的异构衬底，无需对异构替换后的衬底做减薄处理，且直接涂胶固化形成衬底，制作容易，工艺参数易于控制。
-
公开(公告)号：CN105405942A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510986518.1
申请日：2015-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型GaN层、InGaN/GaN多重量子阱发光层、电子阻挡层和Mg掺杂P型GaN层。所述外延片提高了内量子效率；同时减少压电极化电场，增加电子和空穴的波函数交叠，使得辐射复合概率增加，进一步提高了内量子效率。
-
公开(公告)号：CN103258722A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310151866.8
申请日：2013-04-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/205 , C30B29/40 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法，涉及制造半导体器件的方法。该方法应用于制作GaN基异质结场效应晶体管（HFET）、发光二极管（LED）和激光器（LD）材料与器件，其采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或者氢化物气相外延（HVPE）生长系统在GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层外延生长三族氮化物，进而开展GaN基微电子和光电子器件结构的外延生长。利用本发明方法制作的GaAs衬底三族氮化物外延材料位错密度大大降低，提高了外延材料的晶体质量，同时由于GaAs衬底价格低廉，工艺成熟，本发明也提高了GaAs衬底GaN基外延材料的实用性。
-
公开(公告)号：CN117374129A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311280882.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , G01R31/26 , H01L23/48 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供一种太赫兹肖特基二极管芯片及其制备方法、测试方法，属于太赫兹芯片技术领域。本发明能够通过在太赫兹肖特基二极管芯片电极层的侧面设置带凹槽的悬空梁式引线，梁式引线与电极层电连接，可实现在测试芯片时，芯片的电极层通过梁式引线与外部电连接，避免电极层与测试探针直接接触；进一步的，在梁式引线上跨越外延层边缘的位置设置易断的凹槽结构，梁式引线在外延层边缘区域之外的部分悬空；在测试后，可通过外力使梁式引线在凹槽处断裂，以去除悬空部分的梁式引线。本发明实施例避免在测试时测试探针直接接触电极表面，减小了测试过程对电极表面的损伤。
-
公开(公告)号：CN111129295B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201911242574.9
申请日：2019-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明适用于相变射频开关器件技术领域，提供了一种相变射频开关制造方法，该方法包括：通过在预设半导体绝缘衬底上制备半导体加热电阻，并在半导体加热电阻的两端分别制备电阻加电电极，获得第一样品；在除电阻加电电极之外的第一样品的表面制备隔离层，在隔离层上半导体加热电阻对应位置处制备相变材料薄膜，并在相变材料薄膜的两端分别制备接触电极，获得第二样品，电阻加电电极的方向与接触电极的方向相互垂直；在第二样品的表面制备钝化层，获得相变射频开关。本发明实施例中的相变射频开关是采用半导体材料制作开态关态触发电阻加热器，从而可以提高相变开关可靠性，简化工艺，同时还可以降低相变射频开关集成芯片的工艺成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872718B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201010186220.X
申请日：2010-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶片的制备方法，该方法将经过表面处理的基板与石墨进行表面贴合，施加外应力使基板与石墨间产生原子键合力，用机械力将基板与石墨拉开即在基板上得到石墨烯晶片。解决了目前生产的石墨烯晶片尺寸小，以及尺寸、性质和位置都难以控制的问题，使用该方法可以制备得到大面积的石墨烯晶片，尺寸容易控制，重复性高，可实现自动化批量生产。
-
公开(公告)号：CN102492935A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110414259.7
申请日：2011-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法，属于半导体器件制造领域。包括以下步骤：（1）将硅衬底清洗干净；（2）将清洗干净的硅衬底放入CVD设备反应室内，升至温度T，并保温，700℃≤T＜硅的熔点，使硅衬底为固体状态；（3）将烷烃通入CVD设备反应室内，反应后降温至室温。本发明在高温下通过烷烃对硅衬底表面进行碳化处理，使硅衬底在高温下进行表面再构，形成一薄层SiC，处理后的硅衬底表面晶格和GaN的晶格失配减小，降低了GaN外延材料中的位错，可以直接进行GaN材料的生长，简化了生长步骤，提高了生长效率，可以在Si衬底上制备高质量的GaN外延材料。
-
公开(公告)号：CN101345192B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810055348.5
申请日：2008-07-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/205 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法，其采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在衬底上生长高质量AlN和AlGaN，该方法采用下述工艺步骤：(1)、在衬底上直接生长InAlN缓冲层或者生长完AlN或AlGaN形核层后再生长InAlN缓冲层；(2)、在InAlN缓冲层上生长高质量的AlN或AlGaN结晶层；(3)、进行器件结构的多层生长。利用本方法生长AlN或AlGaN晶体时，能降低材料的位错密度，改善界面平整度，提高材料的质量；同时增大生长窗口，使材料生长更容易，进而改善日盲型的紫外探测器件的性能，大大提高我国探测器件的武器装备水平。而且探测器件也是民用火灾监测系统的主要部件。
-
公开(公告)号：CN118553749A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410600223.5
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/0216 , H04B10/50
Abstract: 本申请适用于光电探测技术领域，提供了一种单行载流子光电二极管阵列探测器和通信装置，包括：衬底，衬底的下表面和上表面分别设置有圆形的抗反射涂层和亚收集层；多个UTC‑PD，各UTC‑PD均为扇形结构，各UTC‑PD呈圆形排布设置在亚收集层的上表面的预设位置，圆心角之和为360度；预设位置与抗反射涂层正对；阴极，设置在亚收集层的上表面除预设位置之外的区域；多个阳极，分别设置于各UTC‑PD的上表面，各阳极之间根据需求输出功率并联连接，以合成输出功率为需求输出功率的合成信号。本申请将各UTC‑PD集成在一个光通路中，保证了转换生成的各微波信号的相位一致性和合成效率，同时提高了对入射光的利用率、光电转换效率，进一步提高了合成效率，且结构简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN116684002A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310636804.X
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于光子微波技术领域，提供了光子微波产生装置及信号接收端.该光子微波产生装置包括：电路基片，以及设置在所述电路基片第一侧面的微波光子转换单元、接地电容、功率输出端、直流偏置输入端、第一偏置线输出端和第二偏置线输出端；所述微波光子转换单元一端与所述功率输出端连接，另一端与所述第一偏置线输出端连接，所述第二偏置线输出端通过所述接地电容与所述直流偏置输入端连接，所述第一偏置线输出端和所述第二偏置线输出端能够与外部微带线或共面波导连接。本申请可以通过调节外接微带线或共面波导实现转换调节应用频率频段，从微波到THz频段皆能应用，而且能够使得微波光子转换单元饱和输出功率大大提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.091 seconds)
