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公开(公告)号：CN118927146A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411024144.0
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金刚石抛光夹具及抛光方法，属于金刚石处理技术领域，包括主体底座以及可移动式夹具托，主体底座的上表面设置有胶槽，主体底座的下表面设置有轴杆，轴杆用于与抛光机头连接；可移动式夹具托设置于主体底座的四周，以夹紧胶粘于主体底座上表面的金刚石片，并可通过移动以夹持不同尺寸的金刚石片。本发明提供的金刚石抛光夹具及抛光方法，利用高温胶粘以及夹具托夹紧的方式，将金刚石片固定在主体底座上，提升金刚石片夹紧的稳定性，有效降低了抛光裂片风险；同时通过该抛光夹具的使用，能够优化金刚石片表面粗糙度和整体厚度均匀情况，有效抑制了抛光过程引入的应力损伤，从而获得高质量的单晶金刚石加工产品。
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公开(公告)号：CN118553749A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410600223.5
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/0216 , H04B10/50
Abstract: 本申请适用于光电探测技术领域，提供了一种单行载流子光电二极管阵列探测器和通信装置，包括：衬底，衬底的下表面和上表面分别设置有圆形的抗反射涂层和亚收集层；多个UTC‑PD，各UTC‑PD均为扇形结构，各UTC‑PD呈圆形排布设置在亚收集层的上表面的预设位置，圆心角之和为360度；预设位置与抗反射涂层正对；阴极，设置在亚收集层的上表面除预设位置之外的区域；多个阳极，分别设置于各UTC‑PD的上表面，各阳极之间根据需求输出功率并联连接，以合成输出功率为需求输出功率的合成信号。本申请将各UTC‑PD集成在一个光通路中，保证了转换生成的各微波信号的相位一致性和合成效率，同时提高了对入射光的利用率、光电转换效率，进一步提高了合成效率，且结构简单、成本低。
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公开(公告)号：CN118315404A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410421414.5
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请适用于半导体探测器技术领域，提供了一种阵列型光电探测器芯片的封装结构，包括：阵列型光电探测器芯片包括n个阵列型的探测器像元；阵列型光电探测器芯片位于封装底座和封装盖板围成的腔体的内部；绝缘互连层设置在封装盖板的内表面；绝缘互连层的内部设置有数条相互隔离的透明的导电连接线，每条导电连接线的一端与阵列型光电探测器芯片的一个电极通过焊点实现电连接，每条导电连接线的另一端经过封装底座与管脚实现电连接；管脚设置在封装底座的底部。本申请能够解决正面入射式面阵列光电探测器面临复杂的像素引线的问题，同时提高探测器像元的响应灵敏。
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公开(公告)号：CN117060200A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310954501.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心微波激射器，包括第一谐振腔、第二谐振腔、金刚石NV色心、磁场发生器、激光模块、微波模块和脉冲信号发生器；磁场发生器用于产生磁场，以使金刚石NV色心的微波粒子发生塞曼劈裂；脉冲信号发生器用于向微波模块和激光模块发送脉冲信号；脉冲信号用于在每个周期内，控制激光模块向金刚石NV色心发射激光，以使塞曼劈裂后的微波粒子极化到基态Ms＝|0>能级，之后控制激光模块停止发射激光，并控制微波模块向第一谐振腔内发射微波信号，以使极化到基态Ms＝|0>能级的微波粒子受激辐射到基态Ms＝|‑1>能级上。本发明能够解决现有的金刚石NV色心微波激射器的微波放大效果不理想的问题。
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公开(公告)号：CN111146294B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201911231383.2
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括：衬底；n型氧化镓层，形成在所述衬底上，其中，所述n型氧化镓层中包括：至少一个第一热氧化区和两个第二热氧化区；阳极金属层，形成在所述n型氧化镓层上；第一热氧化区位于阳极金属层下方，第二热氧化区部分位于阳极金属层下方；阴极金属层，形成在衬底的背面；其中，至少一个第一热氧化区设有凹槽结构。上述肖特基二极管相对于现有的肖特基二极管阳极结处电场更优，耐高压特性和导通特性更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116707470A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310588044.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/02 , H01L27/06 , H01L27/12 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/86 , H01L21/8252 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括：三级限幅电路，三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线；第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管；任意N个氮化镓PIN二极管串联，构成两个氮化镓PIN二极管串，第一氮化镓PIN二极管串的阳极端连接主传输线，阴极端接地，第二氮化镓PIN二极管串的阴极端连接主传输线，阳极端接地；第二级限幅电路中包括四个氮化镓肖特基二极管；第三级限幅电路中包括两个氮化镓肖特基二极管。本发明能够提升整个氮化镓限幅器的功率容量和击穿电压。
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公开(公告)号：CN116684002A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310636804.X
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于光子微波技术领域，提供了光子微波产生装置及信号接收端.该光子微波产生装置包括：电路基片，以及设置在所述电路基片第一侧面的微波光子转换单元、接地电容、功率输出端、直流偏置输入端、第一偏置线输出端和第二偏置线输出端；所述微波光子转换单元一端与所述功率输出端连接，另一端与所述第一偏置线输出端连接，所述第二偏置线输出端通过所述接地电容与所述直流偏置输入端连接，所述第一偏置线输出端和所述第二偏置线输出端能够与外部微带线或共面波导连接。本申请可以通过调节外接微带线或共面波导实现转换调节应用频率频段，从微波到THz频段皆能应用，而且能够使得微波光子转换单元饱和输出功率大大提高。
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公开(公告)号：CN114567529B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210089550.X
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04L27/04
Abstract: 本申请适用于太赫兹电路技术领域，提供了单边带调制系统、方法、装置及终端设备，该系统包括：相移网络功分器，用于将输入的信号分成两路信号，且两路信号相位差为45度，将两路信号输入单片集成电路；单片集成电路，用于将两路IQ低频信号和两路信号的二次倍频信号进行混频调制，得到两路上变频信号，将两路上变频信号输入射频输出波导合成器；射频输出波导合成器，用于将两路上变频信号进行同相合成，同相合成后的信号为调制后的信号，输出调制后的信号。本申请通过单片集成电路处理输入信号和相移网络功分器对太赫兹信号进行功分和幅度相位的控制，可以提高单边带调制器的性能，获得与现有技术相比更高的频谱利用率和上变频输出功率。
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公开(公告)号：CN115940818A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310009442.1
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明提供一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器。该芯片包括：衬底。对称集成于所述衬底上的第一微带探针、第二微带探针、第一倍频支路和第二倍频支路。第一肖特基二极管模块的输入端连接第一微带探针，第一肖特基二极管模块的输出端连接第一微带线的输入端。第二肖特基二极管模块的输入端连接第二微带探针，第二肖特基二极管模块的输出端连接第二微带线的输入端。连接第一微带线的输出端和第二微带线的输出端的第三微带探针。本发明能够基于半导体制造工艺将两路倍频支路制备在同一个衬底上，并通过衬底表面的微带线实现两路倍频支路功率合成，基于同一衬底制备倍频电路并实现功率合成方式，相位一致性高，功率合成效率高。
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公开(公告)号：CN115911034A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310004376.9
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法，该器件包括：衬底；位于衬底上表面的绝缘氮化镓层；位于绝缘氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；两个台面结构从下向上依次为P‑氮化镓层和P+氮化镓层，且均嵌入设置在钝化层内；两个台面结构各自的下表面间隔预设距离；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台面结构上表面的第二正极；两个正极嵌入设置在钝化层内；且钝化层上与第一正极对应的位置设置有第一电极孔，钝化层上与第二正极对应的位置设置有第二电极孔。本发明通过调节两个台面结构下表面间隔的预设距离，可以调节氮化镓双向TVS器件的击穿电压，从而有利于满足低钳位电压的工作需要。
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