公开(公告)号：CN118231386A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410130029.5

申请日：2024-01-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 刘思羽 ,  张韶华 ,  孙从科 ,  申晓芳 ,  马成龙 ,  周彪 ,  世娟 ,  武川伟 ,  张维康 ,  王胜福 ,  杨亮 ,  傅琦 ,  梁毅 ,  王小维

IPC: H01L23/552 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供一种S波段植球屏蔽的开关滤波放大模块，涉及无线通信领域中的微波滤波器与微波集成组装技术领域。本发明在底层S波段开关滤波器芯片上增加植球屏蔽盖板，同顶层S波段开关滤波放大芯片堆叠粘接，形成上下双层堆叠的空间结构，通过盖板提高屏蔽性能，减少电磁环境对底层滤波器芯片的干扰，提高开关滤波器的电磁屏蔽性能。此外，双层堆叠的空间结构可以减小滤波器的占用面积，实现开关滤波放大模块的小型化。

公开(公告)号：CN117374002A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311297414.0

申请日：2023-10-08

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李仕俊 ,  杨阳阳 ,  徐达 ,  常青松 ,  袁彪 ,  史光华 ,  王真 ,  王胜奎 ,  闫妍 ,  杨曌 ,  戈江娜 ,  王二超 ,  魏少伟 ,  杨彦锋 ,  马成龙 ,  吴浩宇

IPC: H01L21/768 ,  C25D5/02 ,  C25D5/12

Abstract: 本发明实施例提供一种金铝互联传输线及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。本发明通过在临时基板上电镀制备长度大于等于金铝焊盘间距的金传输带，在金传输带上制备镍阻挡层、铝焊盘，去除临时基板后得到带状金铝互联传输线。带状金铝互联传输线用于柔性连接独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘，一端的铝焊盘连接独立芯片的铝焊盘，另一端的金传输带连接电路板的金焊盘。如此可实现单个独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘之间互联。进一步的，通过在金层和铝层之间设置镍阻挡层，隔绝金铝界面，减少了金铝扩散，在实现独立芯片与电路板的异种金属互联的同时，减小了金铝界面失效风险，增加了金铝互联可靠性。

公开(公告)号：CN118016629A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410148673.5

申请日：2024-02-02

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 史光华 ,  徐达 ,  王磊 ,  袁彪 ,  魏少伟 ,  李仕俊 ,  杨彦锋 ,  宋学峰 ,  王建 ,  王真 ,  马成龙 ,  吴浩宇 ,  左国森 ,  孔令甲 ,  张路洋

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L23/04 ,  H01L25/16 ,  H01L21/52

Abstract: 本申请适用于微电子封装技术领域，提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法，该封装结构包括：基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板。微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成；第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧，微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧；芯片和无源器件均设置在基板的上表面上；第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围，隔离电磁干扰；盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间，将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。本申请的方法能够在实现气密封装微同轴器件的同时，解决装配精度较低，I/O互连引脚的节距大及数量少，需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。

公开(公告)号：CN118232884A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410082299.3

申请日：2024-01-19

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 申晓芳 ,  张韶华 ,  孙从科 ,  世娟 ,  马成龙 ,  杜伟 ,  刘思羽 ,  张维康 ,  武川伟 ,  王胜福 ,  杨亮 ,  傅琦 ,  梁毅 ,  厉建国

IPC: H03K5/14

Abstract: 本申请适用于MMIC延时线技术领域，提供了基于MMIC的延时线结构、延时芯片及相控阵雷达系统，该结构包括：第一单刀双掷开关、参考支路、延时支路和第二单刀双掷开关；第一单刀双掷开关的动端与基于MMIC的延时线结构的输入端连接，第一单刀双掷开关的第一不动端与参考支路的第一端连接，第一单刀双掷开关的第二不动端与延时支路的第一端连接；第二单刀双掷开关的动端与基于MMIC的延时线结构的输出端连接，第二单刀双掷开关的第一不动端与参考支路的第二端连接，第二单刀双掷开关的第二不动端与延时支路的第二端连接；延时支路包括恒阻延时单元和传输线；恒阻延时单元与传输线连接。本申请以解决仿真中延时线带内延时量的阶跃变化，提高延时精度。

公开(公告)号：CN117373727A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311309089.5

申请日：2023-10-10

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李仕俊 ,  孔令甲 ,  杨阳阳 ,  袁彪 ,  王建 ,  唐晓赫 ,  徐达 ,  常青松 ,  史光华 ,  王真 ,  王胜奎 ,  戈江娜 ,  王二超 ,  许向前 ,  王旭东 ,  张磊 ,  马成龙 ,  吴浩宇

IPC: H01B5/00 ,  H01B13/00 ,  H01R11/01 ,  H01R11/09 ,  H01R4/02 ,  H01R43/00 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明提供一种超宽带高频互联结构及制备方法，包括从下到上依次层叠设置的底层导电层、形变金属层和键合互联金属层，且底层导电层的两端分别和键合互联金属层的两端连接；形变金属层包括层叠设置的至少一个第一子金属层和至少一个第二子金属层，且第一子金属层和第二子金属层的热应力不同；键合互联金属层的两端、形变金属层的两端以及底层导电层的两端均向靠近键合互联金属层上表面的中间位置弯曲，且该弯曲是基于第一子金属层和第二子金属层的热应力不同形成的自然变形。本发明提供的互联结构强度高一致性好。