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公开(公告)号：CN109935505B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910221739.8
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: H01J9/04
Abstract: 本发明公开了一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法，包括如下步骤：制备含钪氧化物喷涂材料，所述含钪氧化物喷涂材料为含钪碳酸盐；采用等离子喷涂方法将所述含钪氧化物喷涂材料喷涂至阴极基底上，形成低温大电流密度含钪氧化物阴极。本发明利用含钪碳酸盐发射材料提高了氧化物阴极涂层钪含量的均匀性，从而使得氧化物阴极在低温时具有大的电流密度，增强了阴极涂层牢固度，减少排气时间，而且采用等离子喷涂技术制备的氧化物涂层致密，可增强阴极的电导率，进一步提高脉冲发射电流密度、降低阴极蒸发、延长阴极寿命。
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公开(公告)号：CN109935505A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910221739.8
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: H01J9/04
Abstract: 本发明公开了一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法，包括如下步骤：制备含钪氧化物喷涂材料，所述含钪氧化物喷涂材料为含钪碳酸盐；采用等离子喷涂方法将所述含钪氧化物喷涂材料喷涂至阴极基底上，形成低温大电流密度含钪氧化物阴极。本发明利用含钪碳酸盐发射材料提高了氧化物阴极涂层钪含量的均匀性，从而使得氧化物阴极在低温时具有大的电流密度，增强了阴极涂层牢固度，减少排气时间，而且采用等离子喷涂技术制备的氧化物涂层致密，可增强阴极的电导率，进一步提高脉冲发射电流密度、降低阴极蒸发、延长阴极寿命。
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公开(公告)号：CN107895681A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711272587.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1-xN发射层和形成在p型AlxGa1-xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1-xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1-xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1-xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1-xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
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公开(公告)号：CN108194314B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201711496186.4
申请日：2017-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本发明所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构紧凑、工作电压低、无磁铁、寿命长且应用范围广泛的真空泵，可以作为各种小型真空电子器件的真空维持单元。本发明进一步提供一种气体捕集型真空泵的制作方法和使用方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108194314A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711496186.4
申请日：2017-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本发明所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构紧凑、工作电压低、无磁铁、寿命长且应用范围广泛的真空泵，可以作为各种小型真空电子器件的真空维持单元。本发明进一步提供一种气体捕集型真空泵的制作方法和使用方法。
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公开(公告)号：CN107895681B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201711272587.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1‑xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
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公开(公告)号：CN207740130U
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201721916210.0
申请日：2017-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本实用新型公开一种双阴极气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本实用新型双阴极气体捕集型真空泵本实用新型所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构紧凑、工作电压低、无磁铁、寿命长且应用范围广泛的真空泵，可以作为各种小型真空电子器件的真空维持单元。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207441648U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721675131.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1-xN发射层和形成在p型AlxGa1-xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1-xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本实用新型的光电阴极在p型AlxGa1-xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1-xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1-xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN201741658U
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201020251563.5
申请日：2010-07-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: H01J9/42
Abstract: 一种检测阴极性能用的全金属二极管，属于微波真空电子器件领域，包括阴极组件及与阴极面保持平行间距的阳极，所述阴极组件采用由置于外围的阴极支持筒悬拉式固定的结构，所述阳极采用水冷式结构，分别设有进水口及出水口，底部设有固定法兰，该法兰与阴极组件之间设有作为支撑体的陶瓷金属封接的隔离电极。该二极管具有装架方便，结构一致性好，阴极表面电场均匀，发射一致性好，导流系数大等特点。
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