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公开(公告)号：CN101872707A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010221029.4
申请日：2010-07-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: H01J9/04
Abstract: 一种以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备方法，属于微波真空电子器件领域，阴极基体制作按以下步骤进行操作：制备硅酸镁锂凝胶，硅酸镁锂凝胶与钨粉混合，喷雾干燥制备阴极基体粉末；压制成型；高温烧氢；同时并列制作阴极发射物质，将阴极基体浸渍发射物质。使用上述方法制备的扩散阴极发射参数一致性明显改善，效率提高10倍以上。
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公开(公告)号：CN117747381A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211114489.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种低蒸散的覆膜扩散阴极，制备及应用。所述覆膜扩散阴极包括阴极基体、发射材料以及贵金属膜层；其中，所述发射材料为钡锶钙铝氧化物四元阴极发射物质；所述钡锶钙铝各元素的摩尔比为10‑35:1‑20:1‑20:2‑50。本发明通过大量实验研究设计出一种新的发射材料配方组合，在锶元素的引入下有利于降低发射材料的蒸散速率，同时在钡锶钙铝元素的合适配比下，进一步降低发射材料的蒸散速率，同时使电流密度保持较高的水平。因此，以上述发射材料制备得到的覆膜扩散阴极具有较低的蒸散速率、高可靠的性能，同时阴极发射性能能够满足真空器件的使用条件，尤其适合有低蒸散长寿命需求的行波管、速调管等真空器件中使用。
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公开(公告)号：CN110767519B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911001414.5
申请日：2019-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种光增强场发射电子源结构及其形成方法、包括其的电子源、微波管，所述电子源结构包括支撑衬底；形成在衬底上的光电阴极层；形成在光电阴极层的一部分上的源极；覆盖所述源极和光电阴极层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极；以及贯穿所述栅极及所述绝缘层且暴露所述光电阴极层的真空沟道。本发明提供的光增强场发射电子源结构与基于冷阴极的电子源结构相比，具有较低的工作电压，可有效降低了强电场作用下电子源器件因击穿导致短路的概率；相比于传统光电阴极组件的电子源结构，本发明的光增强场发射电子源结构拥有更大的发射电流密度和更强的抗离子轰击能力，可满足高频率行波管对大电流密度电子源结构的要求。
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公开(公告)号：CN109935505B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910221739.8
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: H01J9/04
Abstract: 本发明公开了一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法，包括如下步骤：制备含钪氧化物喷涂材料，所述含钪氧化物喷涂材料为含钪碳酸盐；采用等离子喷涂方法将所述含钪氧化物喷涂材料喷涂至阴极基底上，形成低温大电流密度含钪氧化物阴极。本发明利用含钪碳酸盐发射材料提高了氧化物阴极涂层钪含量的均匀性，从而使得氧化物阴极在低温时具有大的电流密度，增强了阴极涂层牢固度，减少排气时间，而且采用等离子喷涂技术制备的氧化物涂层致密，可增强阴极的电导率，进一步提高脉冲发射电流密度、降低阴极蒸发、延长阴极寿命。
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公开(公告)号：CN109979791B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811577504.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种阴极热子组件，所述阴极热子组件包括以钨粉为原料，采用选择性激光熔融技术一体化成型的多孔发射体、覆盖所述多孔发射体的致密层、位于所述致密层上方的热子发热体以及位于所述热子发热体上方的热子电位引出结构。该阴极热子组件具有一体化的稳定结构，易于制备获得。本发明还公开了该阴极热子组件的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109935505A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910221739.8
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: H01J9/04
Abstract: 本发明公开了一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法，包括如下步骤：制备含钪氧化物喷涂材料，所述含钪氧化物喷涂材料为含钪碳酸盐；采用等离子喷涂方法将所述含钪氧化物喷涂材料喷涂至阴极基底上，形成低温大电流密度含钪氧化物阴极。本发明利用含钪碳酸盐发射材料提高了氧化物阴极涂层钪含量的均匀性，从而使得氧化物阴极在低温时具有大的电流密度，增强了阴极涂层牢固度，减少排气时间，而且采用等离子喷涂技术制备的氧化物涂层致密，可增强阴极的电导率，进一步提高脉冲发射电流密度、降低阴极蒸发、延长阴极寿命。
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公开(公告)号：CN109801830A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811649707.X
申请日：2018-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种真空沟道晶体管及其制备方法。该晶体管依次包括阳极、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和光电阴极，其中在所述阳极和光电阴极之间形成有真空沟道。本发明提供的晶体管设置有真空沟道，使得电子传输距离极短，所述晶体管具有更高的载流子迁移率和载流子平均自由程，同时使得电子在真空沟道中不存在固体器件中电子能量散射对器件热稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN109065420A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810900938.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
CPC classification number: H01J1/13 , H01J9/04 , H01J2201/19
Abstract: 本发明公开一种具有三维结构表面的热阴极及其制备方法，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本发明还公开了该热阴极的制备方法。本发明提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。
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公开(公告)号：CN107895681A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711272587.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1-xN发射层和形成在p型AlxGa1-xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1-xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1-xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1-xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1-xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
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公开(公告)号：CN108194314B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201711496186.4
申请日：2017-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本发明所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构紧凑、工作电压低、无磁铁、寿命长且应用范围广泛的真空泵，可以作为各种小型真空电子器件的真空维持单元。本发明进一步提供一种气体捕集型真空泵的制作方法和使用方法。
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