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公开(公告)号：CN108194314B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201711496186.4
申请日：2017-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本发明所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构紧凑、工作电压低、无磁铁、寿命长且应用范围广泛的真空泵，可以作为各种小型真空电子器件的真空维持单元。本发明进一步提供一种气体捕集型真空泵的制作方法和使用方法。
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公开(公告)号：CN108194314A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711496186.4
申请日：2017-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本发明所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构紧凑、工作电压低、无磁铁、寿命长且应用范围广泛的真空泵，可以作为各种小型真空电子器件的真空维持单元。本发明进一步提供一种气体捕集型真空泵的制作方法和使用方法。
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公开(公告)号：CN117964371A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311629400.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01P1/22
Abstract: 本发明涉及微波衰减材料技术领域，公开了一种衰减陶瓷材料用原料组合物与衰减陶瓷材料及其制备方法和应用。其中，该原料组合物包括介质相、衰减相和烧结助剂，其中，所述介质相为氮化硅，所述衰减相为纳米碳管。提供的所述衰减陶瓷材料，其兼具力学性能，热学、电学性能及化学稳定性，首次将氮化硅作为介质相，并使用纳米碳管作为衰减相，制备的衰减陶瓷材料能适用于高频，特别是W波段和Y波段的条件下使用时兼具高的衰减性能、高的导热性以及高强度。
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公开(公告)号：CN117747381A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211114489.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种低蒸散的覆膜扩散阴极，制备及应用。所述覆膜扩散阴极包括阴极基体、发射材料以及贵金属膜层；其中，所述发射材料为钡锶钙铝氧化物四元阴极发射物质；所述钡锶钙铝各元素的摩尔比为10‑35:1‑20:1‑20:2‑50。本发明通过大量实验研究设计出一种新的发射材料配方组合，在锶元素的引入下有利于降低发射材料的蒸散速率，同时在钡锶钙铝元素的合适配比下，进一步降低发射材料的蒸散速率，同时使电流密度保持较高的水平。因此，以上述发射材料制备得到的覆膜扩散阴极具有较低的蒸散速率、高可靠的性能，同时阴极发射性能能够满足真空器件的使用条件，尤其适合有低蒸散长寿命需求的行波管、速调管等真空器件中使用。
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公开(公告)号：CN109935505B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910221739.8
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: H01J9/04
Abstract: 本发明公开了一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法，包括如下步骤：制备含钪氧化物喷涂材料，所述含钪氧化物喷涂材料为含钪碳酸盐；采用等离子喷涂方法将所述含钪氧化物喷涂材料喷涂至阴极基底上，形成低温大电流密度含钪氧化物阴极。本发明利用含钪碳酸盐发射材料提高了氧化物阴极涂层钪含量的均匀性，从而使得氧化物阴极在低温时具有大的电流密度，增强了阴极涂层牢固度，减少排气时间，而且采用等离子喷涂技术制备的氧化物涂层致密，可增强阴极的电导率，进一步提高脉冲发射电流密度、降低阴极蒸发、延长阴极寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107895681B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201711272587.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1‑xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
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公开(公告)号：CN112696328B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011444824.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强度的绝缘环；所述绝缘环位于所述发射体与所述顶孔板之间。本发明所提供的空心阴极结构可有效降低发射体的点火时间，提高电推进设备启动时间的可控性，本发明还可以短时间内清除发射体表面变质的物质，使发射体性能迅速恢复，保障空心阴极点火时间的一致性以及电推进设备的可控性。
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公开(公告)号：CN112696328A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011444824.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强度的绝缘环；所述绝缘环位于所述发射体与所述顶孔板之间。本发明所提供的空心阴极结构可有效降低发射体的点火时间，提高电推进设备启动时间的可控性，本发明还可以短时间内清除发射体表面变质的物质，使发射体性能迅速恢复，保障空心阴极点火时间的一致性以及电推进设备的可控性。
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公开(公告)号：CN112682286A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011453132.1
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述空心阴极结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强度的内电极；所述内电极穿过所述导气管插设在所述发射体的内腔中。本发明所提供的空心阴极结构可有效降低发射体的点火时间，提高电推进设备启动时间的可控性，本发明还可以短时间内清除发射体表面变质的物质，使发射体性能迅速恢复，保障空心阴极点火时间的一致性以及电推进设备的可控性。
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公开(公告)号：CN109979791A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811577504.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种阴极热子组件，所述阴极热子组件包括以钨粉为原料，采用选择性激光熔融技术一体化成型的多孔发射体、覆盖所述多孔发射体的致密层、位于所述致密层上方的热子发热体以及位于所述热子发热体上方的热子电位引出结构。该阴极热子组件具有一体化的稳定结构，易于制备获得。本发明还公开了该阴极热子组件的制作方法。
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