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公开(公告)号：CN104889573A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510295613.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23K26/364
Abstract: 本发明公开了一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法，它包括以下步骤：1、利用作图软件绘制切割路径，保存图形文档。2、将样品放在激光加工平台上，调节样品位置和水平，使激光聚焦在样品表面。3、设定激光加工系统的工作参数：波长：532nm/1064nm；脉宽：10ps～20fs；输出功率：10～200mW；扫描速度：200～2000mm/s；重复频率：500～1500Hz；重复次数：10～100次。4、样品切割。使用本发明进行碲镉汞薄膜切割能够获得宽度较窄、机械损伤小、边缘光滑、内部干净的切割槽，且操作简单，提高了工艺可靠性。
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公开(公告)号：CN105762221B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610236474.5
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p‑n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p‑n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。
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公开(公告)号：CN105762221A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236474.5
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p?n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p?n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。
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公开(公告)号：CN105762209A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236574.8
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
CPC classification number: H01L31/1032 , H01L31/03529
Abstract: 本发明公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本发明采用将p?n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本发明对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
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公开(公告)号：CN102185018B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110071308.1
申请日：2011-03-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用飞秒激光制备背入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用飞秒激光超精细“冷”加工技术直接在硅衬底表面制备增透膜。通过选择合适的工作环境，调节飞秒激光平均功率、激光扫描速度等参数控制微结构的形貌，减小衬底表面对入射光的反射，实现在红外波段的增透目的。增透膜为衬底材料在飞秒激光作用下发生再构形成，与衬底具有很好的热匹配，可靠性高。增透膜制备所用的飞秒激光“冷”加工方法操作简单，具有加工精度高、热效应小的优点，特别适用于碲镉汞器件的加工工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102185018A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110071308.1
申请日：2011-03-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用飞秒激光制备背入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用飞秒激光超精细“冷”加工技术直接在硅衬底表面制备增透膜。通过选择合适的工作环境，调节飞秒激光平均功率、激光扫描速度等参数控制微结构的形貌，减小衬底表面对入射光的反射，实现在红外波段的增透目的。增透膜为衬底材料在飞秒激光作用下发生再构形成，与衬底具有很好的热匹配，可靠性高。增透膜制备所用的飞秒激光“冷”加工方法操作简单，具有加工精度高、热效应小的优点，特别适用于碲镉汞器件的加工工艺。
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公开(公告)号：CN105762209B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610236574.8
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本发明采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本发明对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
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公开(公告)号：CN105047530A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510295709.3
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: H01L21/02019 , G01N1/286 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01N2001/2866 , H01L21/02057 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺。工艺包括探测器芯片的衬底减薄抛光和清洗、芯片保护、衬底氧化层腐蚀、衬底选择性湿法腐蚀四个步骤，本发明的特征在于：将化学机械减薄抛光后的Si基碲镉汞芯片衬底朝上贴于宝石片上并固化，将制好的样品放入氢氟酸中去氧化层，再将其放入高选择比腐蚀液中进行腐蚀。本发明的特点在于：能获得衬底完全去除的碲化镉/碲镉汞外延薄膜材料和光亮的碲化镉界面，为从碲化镉界面入手研究探测器芯片中位错提供了方便。
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公开(公告)号：CN104988505A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510295677.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液。它由有机碱溶液四甲基氢氧化铵、去离子水和氧化剂过硫酸铵配制而成。首先将四甲基氢氧化铵溶液与去离子水配置成浓度为5％～20％的混合溶液，再根据混合液的体积加入1g/l～3g/l的过硫酸铵，最后将混合溶液放在温度超过80℃的水浴中加热，在50℃～65℃温度下使用。本发明的特点在于：腐蚀液的使用条件与碲镉汞工艺兼容，不改变碲镉汞芯片的物理特性，保证了分析结果的准确性。腐蚀液的选择性好，能够将Si衬底完全去除，但对缓冲层碲化镉和外延薄膜碲镉汞不腐蚀，获得完整清晰的外延材料观察界面，为从缓冲层碲化镉界面入手对位错进行观察提供了良好的观察样品。
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公开(公告)号：CN205609536U
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201620319396.0
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 本专利公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本专利采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本专利对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
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