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公开(公告)号：CN118957756A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411019031.1
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于人工晶体材料领域，涉及一种高熵碱土金属氟化物晶体及其制备方法。所述高熵碱土金属氟化物晶体的化学式为Re3+:MeF2；其中，Me为Ca、Sr和Ba中的一种，Re3+的掺杂浓度为35at％～50at％；当Me为Ca或Sr时，Re3+为Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Er3+、Pr3+、Sm3+、Eu3+、Tb3+、Dy3+、Ce3+、Y3+、La3+、Gd3+、Lu3+、Sc3+中的一种；当Me为Ba时，Re3+为Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Er3+、Pr3+、Sm3+、Eu3+、Tb3+、Ce3+、La3+、Gd3+、Lu3+、Sc3+中的一种。
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公开(公告)号：CN118087015A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311837205.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 一种界面可视化的晶体生长观测装置，用于至少对坩埚下降法制备氟化物晶体过程的可视化观测，包括高真空生长装置，生长探测组件，坩埚旋转系统和控制系统，所述高真空生长装置和所述坩埚旋转系统围合形成生长空腔用以提供待生长熔体的生长空间；所述坩埚旋转系统用于至少支撑所述待生长熔体；所述高真空生长装置用于使所述生长空腔处于真空或密闭生长环境，并用于调节与所述坩埚旋转系统的相对位置以实现对所述待生长熔体的下降过程的控制；其中所述生长探测组件用于通过X射线至少探测所述待生长熔体制备为晶体中的固液界面的位置和形态信息，所述控制系统与所述生长探测组件连接用以基于所述固液界面的位置和形态信息显示晶体生长过程。
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公开(公告)号：CN117737823A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311830373.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了实现生长速度自适应的坩埚下降法晶体生长装置及方法，装置包括：炉体，设置在炉体上晶体生长加速检测系统、生长速度自适应控制系统，以及用于晶体生长的坩埚，所述炉体内还设有发热体及控制坩埚升降速度的籽晶杆升降装置；所述晶体生长加速检测系统设于所述炉体上方，用于检测所述坩埚在所述炉体中的位置，并根据所述坩埚在所述炉体中的位置获取晶体生长速度；所述生长速度自适应控制系统与所述发热体及所述籽晶杆升降装置连接，用于根据所述坩埚在所述炉体中的位置控制所述坩埚的下降速度，使得坩埚下降速度与晶体生长速度匹配。本发明抑制晶体结晶过程中缺陷的产生，提高晶体内部质量和利用率。
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公开(公告)号：CN114941170A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210507490.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种提高氟化钙晶体193nm激光辐照硬度的方法。所述方法通过控制氟化钙原料中具有与F心波函数重叠的低位s轨道与d轨道的杂质阳离子含量来避免氟化钙晶体中F心、H心和M心的形成，降低氟化钙晶体中的氟空位浓度以及降低氟化钙晶体中的氧浓度的一种或多种的组合来提高氟化钙晶体的辐照硬度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109181684B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810943027.2
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种通过上转换实现白光发射的晶体材料及其制备方法，所述上转换晶体材料为Yb3+、Er3+和Tm3+作为掺杂离子共同掺杂的CaF2晶体，其中，Yb3+的掺杂浓度为1～10%，Er3+的掺杂浓度为0.1%～1.0%，Tm3+的掺杂浓度为0.01%～0.5%；掺杂浓度为掺杂离子占上转换晶体材料中阳离子总摩尔的百分含量。
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公开(公告)号：CN116519423A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310380824.5
申请日：2023-04-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及晶体检测技术领域，具体涉及一种氟化物晶体位错密度的检测方法，尤其适合用于氟化钙晶体的位错密度分析。一种氟化物晶体位错密度的检测方法，所述检测方法为：(1)对所述待测氟化物晶体的待测表面进行预处理；(2)利用腐蚀混合溶液腐蚀待测氟化物晶体的待测表面，随后终止腐蚀，所述腐蚀混合溶液用于在所述待测氟化物晶体的待测表面形成腐蚀坑；(3)观察所述待测氟化物晶体的待测表面，统计所述待测氟化物晶体中的错蚀坑数量，基于所述错蚀坑的数量计算所述待测氟化物晶体的位错密度，其中所述错蚀坑为所述腐蚀坑中具有位错特性的腐蚀坑。
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公开(公告)号：CN116427017A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310124557.5
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种激光加热基座法生长Al2O3‑YAG共晶光纤的方法，包括：(1)将Al2O3晶体和YAG晶体分别切割成长条状Al2O3和长条状YAG后合并成一体作为源棒，固定于激光加热基座馈送装置；(2)将Al2O3籽晶或YAG籽晶固定于激光加热基座提拉装置；(3)利用激光加热基座法进行Al2O3‑YAG共晶光纤的生长。
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公开(公告)号：CN112179917A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010962109.9
申请日：2020-09-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种氟化物晶体内部缺陷和残余应力的检测装置及其检测方法。所述检测装置包括：在轴向光轴上依序设置的偏振光源、光阑、样品架、检偏器和图像采集设备；所述样品架用于载置待检测的氟化物晶体；所述偏振光源由白光光源和起偏器组装而成，其中白光光源产生通过起偏器和检偏器的轴向光路；所述图像采集设备设置于待检测的氟化物晶体的出光面外侧；所述检测装置还包括与图像采集设备连接的计算机控制系统，以对图像采集设备采集的图像进行记录和处理，来显示待检测的氟化物晶体的内部缺陷和残余应力情况。该检测装置可以在一套设备上实现对氟化物晶体内部多种缺陷（包括散射、光路、开裂、多晶、条纹）和残余应力的检测。
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公开(公告)号：CN116676667A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310623522.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种大尺寸氟化物晶体自适应退火坩埚，包括：坩埚底盘，所述坩埚底盘具有位于径向内侧的底盘内环、位于径向外侧的底盘外环和连接所述底盘内环与所述底盘外环的下自适应层；坩埚盖，所述坩埚盖具有位于径向内侧的盖内环、位于径向外侧的盖外环和连接所述盖内环与所述盖外环的上自适应层；坩埚内筒，所述坩埚内筒为由多个分瓣结构拼接组成，可活动地垂直设于所述底盘内环与所述盖内环之间；且所述坩埚内筒可沿所述内筒的径向膨胀和收缩；以及导向结构，所述导向结构用于限定所述坩埚内筒膨胀和收缩的方向。本发明能够解决晶体在退火过程中不能自由膨胀收缩而使晶体内的应力无法释放的问题。
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