公开(公告)号：CN112171384B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202010931586.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 戴云 ,  张中晗 ,  武安华 ,  苏良碧 ,  张博 ,  王静雅 ,  刘荣荣

IPC: B24B1/00 ,  B24B41/06

Abstract: 本发明公开一种百微米直径单晶光纤的抛光方法。所述抛光方法包括以下步骤：（1）通过激光加热基座法制备单晶光纤；（2）将步骤（1）所得单晶光纤进行切割；（3）将石英玻璃切割成直条状并将直条状石英玻璃端面的棱角研磨至45°；然后将多根直条状石英玻璃粘结以形成包含至少一个具有两个直角部的U形承载体的模具，每个直角部具有45°夹角槽；（4）将步骤（2）切割后的单晶光纤置于所述45°夹角槽并用粘结剂将其固定；（5）对固定的单晶光纤的两端面依次粗磨、细磨和精磨；（6）抛光完成后，将模具与单晶光纤分离，获得端面呈激光级抛光的单晶光纤。本发明解决了现有抛光方法难以实现百微米直径单晶光纤抛光的问题。

公开(公告)号：CN110699750A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910943103.4

申请日：2019-09-30

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 戴云 ,  武安华 ,  张中晗 ,  苏良碧 ,  吴庆辉 ,  姜大朋

IPC: C30B29/20 ,  C30B15/00 ,  G02B6/02 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明涉及一种高柔性Al2O3单晶光纤及其制备方法和应用，所述高柔性Al2O3单晶光纤为三方晶系，直径范围为140～250μm，长度为100～460mm。

公开(公告)号：CN116200818A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310124558.X

申请日：2023-02-16

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 戴云 ,  武安华 ,  张博 ,  寇华敏 ,  张振 ,  苏良碧 ,  张中晗

IPC: C30B15/36 ,  H01S3/067 ,  H01S3/094 ,  C30B15/04 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明涉及一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法，包括：将至少两种具有不同掺杂离子浓度的同质晶体或者陶瓷和无掺杂离子的同质晶体或者陶瓷切割成方棒；选择无掺杂离子的方棒为第一籽晶，选择掺杂第一离子浓度的方棒为第一源棒，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；当掺杂第一离子浓度的单晶光纤生长至所需长度后，添加掺杂第二离子浓度的方棒作为源棒进行熔接继续单晶光纤的一次正向生长，重复N次直至每种掺杂离子的单晶光纤生长至所需长度；将所得熔接好的具有不同掺杂离子浓度的单晶光纤依次进行一次逆向生长、二次正向生长和二次逆向生长，得到具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤。

公开(公告)号：CN116184562A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310124559.4

申请日：2023-02-16

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 戴云 ,  武安华 ,  张博 ,  寇华敏 ,  张振 ,  苏良碧 ,  张中晗

IPC: G02B6/02 ,  C30B15/36 ,  C30B15/04 ,  C30B29/28 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明涉及一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤的生长方法，包括：(1)选择具有均匀掺杂离子浓度为n at％的晶体或陶瓷，以及无掺杂离子的同质晶体或陶瓷切割成方棒后，按侧面设计切线进行切割、抛光和拼接，得到第一源棒；(2)采用无掺杂离子的晶体或者陶瓷作为籽晶，将所得源棒固定于激光加热基座单晶光纤生长炉中，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；(3)将一次正向生长的单晶光纤作为第二源棒进行一次逆向生长；(4)将一次逆向生长后的单晶光纤作为第三源棒进行二次正向生长；(5)二次正向生长后的单晶光纤作为第四源棒进行二次逆向生长，得到所述掺杂离子可调控分布的单晶光纤。

公开(公告)号：CN116427017A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310124557.5

申请日：2023-02-16

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 戴云 ,  武安华 ,  张博 ,  寇华敏 ,  张振 ,  苏良碧 ,  张中晗

IPC: C30B15/36 ,  C30B15/14 ,  C30B29/20 ,  C30B29/28

Abstract: 本发明涉及一种激光加热基座法生长Al2O3‑YAG共晶光纤的方法，包括：(1)将Al2O3晶体和YAG晶体分别切割成长条状Al2O3和长条状YAG后合并成一体作为源棒，固定于激光加热基座馈送装置；(2)将Al2O3籽晶或YAG籽晶固定于激光加热基座提拉装置；(3)利用激光加热基座法进行Al2O3‑YAG共晶光纤的生长。

公开(公告)号：CN116203672A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310124562.6

申请日：2023-02-16

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 戴云 ,  武安华 ,  张博 ,  寇华敏 ,  张振 ,  苏良碧 ,  张中晗

IPC: G02B6/02 ,  C30B15/36 ,  C30B15/14 ,  C30B29/28

Abstract: 本发明涉及一种GAGG系列单晶光纤及激光加热基座法制备GAGG系列单晶光纤的方法。所述GAGG系列单晶光纤为M元素掺杂的GAGG单晶光纤，其中M元素为稀土元素或Cr元素；所述稀土元素为Ce、Nd和Yb中至少一种；M元素的掺杂含量为0～10at％。

公开(公告)号：CN112171384A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010931586.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 戴云 ,  张中晗 ,  武安华 ,  苏良碧 ,  张博 ,  王静雅 ,  刘荣荣

IPC: B24B1/00 ,  B24B41/06

Abstract: 本发明公开一种百微米直径单晶光纤的抛光方法。所述抛光方法包括以下步骤：（1）通过激光加热基座法制备单晶光纤；（2）将步骤（1）所得单晶光纤进行切割；（3）将石英玻璃切割成直条状并将直条状石英玻璃端面的棱角研磨至45°；然后将多根直条状石英玻璃粘结以形成包含至少一个具有两个直角部的U形承载体的模具，每个直角部具有45°夹角槽；（4）将步骤（2）切割后的单晶光纤置于所述45°夹角槽并用粘结剂将其固定；（5）对固定的单晶光纤的两端面依次粗磨、细磨和精磨；（6）抛光完成后，将模具与单晶光纤分离，获得端面呈激光级抛光的单晶光纤。本发明解决了现有抛光方法难以实现百微米直径单晶光纤抛光的问题。