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公开(公告)号：CN118422312A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410442364.9
申请日：2024-04-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于氟化钙晶体技术领域，具体涉及一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法。为解决特定使用场景下氟化钙晶体的抗辐照损伤特性，本发明通过控制氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子的含量，使得在受到高能辐射照射时，所述氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子相较F空位优先俘获电子，从而减少或抑制F心的形成，最终实现氟化钙晶体在可见光波段抗辐照损伤性能的提升。本发明利用引入痕量的变价离子Yb3+，氟化钙晶体辐照损伤性能得到明显提升。
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公开(公告)号：CN116334756A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310391214.5
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本申请涉及一种基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法，所述生长装置包括真空炉体，设于真空炉体内的环状多孔坩埚、中心单孔坩埚，附带电极的双加热体以及用于控制所述环状多孔坩埚和所述中心单孔坩埚同步升降的升降机构；所述双加热体包括外围加热体和内围加热体，所述电极包括与所述外围加热体电性连接的外围加热体电极和与所述内围加热体电性连接的内围加热体电极，所述环状多孔坩埚设置于所述外围加热体和所述内围加热体之间，所述中心单孔坩埚设置于所述内围加热体内。本申请打破了传统多孔坩埚方案孔位数量、规格尺寸的限制，实现了多规格尺寸氟化物晶体的高通量制备，降低了晶体尤其是氟化物晶体的生产成本。
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公开(公告)号：CN113070273A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010005067.X
申请日：2020-01-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法。所述提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法，包括如下步骤：步骤A：对氟化钙晶体光学元件的表面进行HNO3溶液酸洗；步骤B：氟化钙晶体光学元件酸洗完成后，放入超纯水中超声清洗。
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公开(公告)号：CN112171384A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010931586.9
申请日：2020-09-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种百微米直径单晶光纤的抛光方法。所述抛光方法包括以下步骤：（1）通过激光加热基座法制备单晶光纤；（2）将步骤（1）所得单晶光纤进行切割；（3）将石英玻璃切割成直条状并将直条状石英玻璃端面的棱角研磨至45°；然后将多根直条状石英玻璃粘结以形成包含至少一个具有两个直角部的U形承载体的模具，每个直角部具有45°夹角槽；（4）将步骤（2）切割后的单晶光纤置于所述45°夹角槽并用粘结剂将其固定；（5）对固定的单晶光纤的两端面依次粗磨、细磨和精磨；（6）抛光完成后，将模具与单晶光纤分离，获得端面呈激光级抛光的单晶光纤。本发明解决了现有抛光方法难以实现百微米直径单晶光纤抛光的问题。
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公开(公告)号：CN106149053A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510171336.9
申请日：2015-04-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供了一种导模法生长高灵敏度热释光掺碳蓝宝石晶体的方法，包括：1）取Al2O3粉和纯度至少达到6N的碳粉均匀混合后压块，得到原料块体；2）将原料块体置于导模炉内的密封坩埚中，采用导模法生长得到掺碳蓝宝石晶体。本发明采用6N高纯碳粉作为掺杂碳源，一定程度上的实现掺杂量的可控，能够快速生长掺杂量可控的高灵敏热释光性能α-Al2O3:C晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103194803A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310095356.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统，包括：夹持籽晶的籽晶夹持单元；设计为与所述籽晶夹持单元和所述籽晶绝缘的生长炉，所述生长炉容纳有用于生长晶体的熔体；以及一端连接到所述籽晶夹持单元，并且另一端连接到所述生长炉的电容监测单元，所述电容监测单元用于在晶体生长过程中监测随着晶体和熔体的相对比例变化而变化的电容值而输出电容信号。在晶体生长过程中，晶体和熔体的比例不断变化，由于熔体和晶体的介电常数不同，晶体生长过程中测得的电容值不同，从而监控电容值可以即时监控晶体和熔体混合物的介电常数，进而推导出晶体和熔体的比例，在一定程度上可即时反馈晶体生长状况，从而可以辅助监控晶体的生长状况。
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公开(公告)号：CN119265710A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830251.1
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于氟化物晶体退火技术领域，具体涉及一种氟化物晶体的退火坩埚及退火方法，所述退火坩埚包括：外坩埚；设于所述外坩埚内部的内坩埚，所述内坩埚上设有多个通孔，所述内坩埚用于放置所述氟化物晶体和保护料，所述保护料包覆所述氟化物晶体用以防止所述氟化物晶体与所述内坩埚和空气直接接触；所述内坩埚与所述外坩埚之间设有间隙层用以填充碎晶料，其中所述退火坩埚能够选择性地使所述保护料至少部分沿所述通孔向所述间隙层溢出。本发明的外坩埚和具有通孔的内坩埚组合的“双层坩埚”结构，能够在退火过程中为氟化物晶体的膨胀提供缓冲空间，有效地降低晶体轴向与径向温度梯度，产生更加均匀的退火环境，使晶体内部应力得到缓慢释放。
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公开(公告)号：CN114941170B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210507490.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种提高氟化钙晶体193nm激光辐照硬度的方法。所述方法通过控制氟化钙原料中具有与F心波函数重叠的低位s轨道与d轨道的杂质阳离子含量来避免氟化钙晶体中F心、H心和M心的形成，降低氟化钙晶体中的氟空位浓度以及降低氟化钙晶体中的氧浓度的一种或多种的组合来提高氟化钙晶体的辐照硬度。
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公开(公告)号：CN112171384B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010931586.9
申请日：2020-09-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种百微米直径单晶光纤的抛光方法。所述抛光方法包括以下步骤：（1）通过激光加热基座法制备单晶光纤；（2）将步骤（1）所得单晶光纤进行切割；（3）将石英玻璃切割成直条状并将直条状石英玻璃端面的棱角研磨至45°；然后将多根直条状石英玻璃粘结以形成包含至少一个具有两个直角部的U形承载体的模具，每个直角部具有45°夹角槽；（4）将步骤（2）切割后的单晶光纤置于所述45°夹角槽并用粘结剂将其固定；（5）对固定的单晶光纤的两端面依次粗磨、细磨和精磨；（6）抛光完成后，将模具与单晶光纤分离，获得端面呈激光级抛光的单晶光纤。本发明解决了现有抛光方法难以实现百微米直径单晶光纤抛光的问题。
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公开(公告)号：CN109181684A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810943027.2
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种通过上转换实现白光发射的晶体材料及其制备方法，所述上转换晶体材料为Yb3+、Er3+和Tm3+作为掺杂离子共同掺杂的CaF2晶体，其中，Yb3+的掺杂浓度为1～10%，Er3+的掺杂浓度为0.1%～1.0%，Tm3+的掺杂浓度为0.01%～0.5%；掺杂浓度为掺杂离子占上转换晶体材料中阳离子总摩尔的百分含量。
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