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公开(公告)号：CN112159233B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010953557.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/575 , C04B35/576 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B35/64 , H01C7/118 , H01C17/30
Abstract: 本发明涉及一种高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法，所述制备方法包括：称取SiC、AlN、烧结助剂、粘结剂并球磨混合，成型、脱粘制得碳化硅陶瓷坯体；以及将所得碳化硅陶瓷坯体在氮气气氛中于1900~2200℃烧结制得高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN112299869B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011176809.1
申请日：2020-10-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明公开一种激光焊接碳化硅及其复合材料的方法。所述方法包括以下步骤：（1）制备包含硅粉和溶剂的硅粉悬浊液；（2）将硅粉悬浊液均匀涂覆在待焊接碳化硅部件表面并烘干，得到表面涂覆硅层的碳化硅部件；（3）对表面涂覆硅层的碳化硅部件进行激光熔覆处理；（4）在激光熔覆后的碳化硅部件上涂覆包含玻璃粉和溶剂的玻璃粉浆料；（5）对另一待焊接碳化硅部件重复步骤（2）‑（3）；（6）将步骤（4）涂覆玻璃粉浆料后的碳化硅部件与步骤（5）激光熔覆处理的另一待焊接碳化硅部件完成对接，并进行烘干和热处理。该方法解决了玻璃焊接碳化硅及其复合材料在低温阶段熔融玻璃与碳化硅部件润湿性较差的问题。
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公开(公告)号：CN110078514B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910432574.9
申请日：2019-05-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅陶瓷微波定标源，所述碳化硅陶瓷微波定标源是以SiC基陶瓷材料作为原料制备得到；所述SiC基陶瓷材料的组成包括：以SiC材料为基体，以B、B4C、AlN中至少一种作为掺杂剂，以C、MgO、Al2O3、SiO2、CuO、NiO、CoO、Cr2O3、ZrO2、MnO2、Y2O3、Fe2O3、MoSi2、Si中的至少一种作为第二相材料；其中SiC基体材料的含量≥80wt%，掺杂剂的含量为0～5wt%，第二相材料的含量为0～15wt%，各组分质量百分比之和为100%，且掺杂剂和第二相材料的含量不同时为0。
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公开(公告)号：CN109799234A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910129922.5
申请日：2019-02-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01N21/84 , G01N23/2251 , G01N23/2202 , G01N1/32 , G01N1/28 , C04B35/573
Abstract: 本发明提供一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法，测定一定面积内的SiC的面积百分比和游离Si的面积百分比；根据阿基米德原理测定反应烧结SiC陶瓷的体积密度，根据公式计算出反应烧结SiC陶瓷SiC的质量百分比含量和游离Si的质量百分比含量。该测定方法简便快捷，可操作性强，具有很好的应用效果。
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公开(公告)号：CN110592577B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910833858.9
申请日：2019-09-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C24/10
Abstract: 本发明涉及一种在碳材料表面激光熔覆制备二氧化硅玻璃涂层的方法，包括：（1）将硅粉悬浊液涂覆在碳材料基体表面，经干燥处理后，得到硅粉层；（2）对所得硅粉层进行激光熔覆处理，得到硅层；（3）将二氧化硅悬浊液涂覆在硅层表面，经干燥处理后，得到二氧化硅粉层；（4）对所得二氧化硅粉层进行激光熔覆处理，得到所述二氧化硅玻璃涂层。
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公开(公告)号：CN109336643B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201811269411.5
申请日：2018-10-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅陶瓷表面激光熔覆玻璃膜层的制备方法、及复合材料，所述碳化硅陶瓷表面激光熔覆玻璃膜层的制备方法包括：（1）将玻璃粉、粘结剂和溶剂混合，得到混合悬浮液；（2）将所得混合悬浮液喷涂在碳化硅陶瓷表面，再经烘干，得到预制膜层；（3）将所得预制膜层加热至150～200℃并进行激光熔覆处理；（4）重复步骤（2）和（3）直至达到玻璃膜层所需的厚度；（5）将所述玻璃膜层于800℃‑1000℃进行热处理。
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公开(公告)号：CN112159233A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010953557.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/575 , C04B35/576 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B35/64 , H01C7/118 , H01C17/30
Abstract: 本发明涉及一种高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法，所述制备方法包括：称取SiC、AlN、烧结助剂、粘结剂并球磨混合，成型、脱粘制得碳化硅陶瓷坯体；以及将所得碳化硅陶瓷坯体在氮气气氛中于1900~2200℃烧结制得高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN114573351B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202011390268.2
申请日：2020-12-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼基复合材料及其制备方法，所述碳化硼基复合材料是以钼和钨中的至少一种作为增韧相、碳化硼、硼化钛和碳化硅作为原料，经热压烧结或放电等离子烧结后得到；以碳化硼、硼化钛和碳化硅的总体积含量计为100 vol%，所述碳化硼的体积含量为50～80vol%，所述硼化钛的体积含量为10～25 vol%，所述碳化硅的体积含量为10～25vol%；所述增韧相的体积含量为碳化硼、硼化钛和碳化硅的总体积的1～20%。
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公开(公告)号：CN114436657A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210011754.1
申请日：2022-01-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/626 , B33Y70/10
Abstract: 本发明提供一种基于粉体熔融沉积法的3D打印成型复合材料，所述复合材料按重量百分比包括以下组分：高导热粉体材料1％‑90％；主链粘结剂1％‑20％；润滑剂10％‑30％；表面活性剂0.1％‑5％；分散剂0.1％‑5％；其中，所述高导热粉体材料为金属粉、金属硅粉、石墨烯、碳化硅、炭黑、石墨粉、碳纳米管和金属氧化物中的一种或几种的组合，所述主链粘结剂为热塑性聚合物，所述混合料的固含量为60‑80wt％。本发明还提供了一种如上所述的3D打印成型复合材料的制备方法。本发明提供的一种3D打印成型复合材料，流动性好、强度高，适合制备复杂程度高的部件。
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公开(公告)号：CN113788685A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111049078.9
申请日：2021-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/575 , C04B35/622 , C09K5/14
Abstract: 本发明涉及一种低温烧结堇青石/碳化硅复相陶瓷太阳能热发电吸热体材料及其制备方法。所述堇青石/碳化硅复相陶瓷太阳能热发电吸热体材料的原料组成包括碳化硅和堇青石；优选，包括：60～90wt%碳化硅，10～40wt%堇青石，各组分含量之和为100wt%。
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