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公开(公告)号：CN115233159B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210942761.3
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种低粗糙度和介电常数可控的银膜及其制备方法，该银膜的制备方法包括：S1，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，调整银靶材、氮化铝靶材的溅射功率，共同溅射沉积制备得到不同溅射功率下的多个银膜；S2，获取多个银膜的多条介电常数‑波长曲线；S3，基于目标银膜在特定波长下的目标介电常数，根据多条介电常数‑波长曲线，确定银靶材的第一溅射功率、氮化铝靶材的第二溅射功率；S4，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，对银靶材使用第一溅射功率、氮化铝靶材使用第二溅射功率，沉积制备得到目标介电常数下的低粗糙度银膜。本公开的方法通过氮化铝的掺杂实现了对银膜介电常数的调控，同时明显降低了银膜的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN115261813A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210941426.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种介电常数可调控的多晶银薄膜及其制备方法，该多晶银薄膜的制备方法包括：S11，获取在预定制备条件下、纯氩气气体环境中制备得到的多晶银薄膜的第一介电常数‑波长曲线；S12，获取在预定制备条件下、不同比例氩气与氮气混合的气体环境中制备得到的多晶银薄膜的多条第二介电常数‑波长曲线；S13，基于目标多晶银薄膜在特定波长下的目标介电常数，根据第一介电常数‑波长曲线、多条第二介电常数‑波长曲线确定气体环境中氮气的体积占比；S14，根据S13中确定的氮气的体积占比向真空腔体中通入氩气与氮气混合的气体，在预定制备条件下制备得到目标介电常数下的多晶银薄膜。本公开的方法实现了对银薄膜介电常数的调控，扩大了其应用范围。
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公开(公告)号：CN115261813B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202210941426.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种介电常数可调控的多晶银薄膜及其制备方法，该多晶银薄膜的制备方法包括：S11，获取在预定制备条件下、纯氩气气体环境中制备得到的多晶银薄膜的第一介电常数‑波长曲线；S12，获取在预定制备条件下、不同比例氩气与氮气混合的气体环境中制备得到的多晶银薄膜的多条第二介电常数‑波长曲线；S13，基于目标多晶银薄膜在特定波长下的目标介电常数，根据第一介电常数‑波长曲线、多条第二介电常数‑波长曲线确定气体环境中氮气的体积占比；S14，根据S13中确定的氮气的体积占比向真空腔体中通入氩气与氮气混合的气体，在预定制备条件下制备得到目标介电常数下的多晶银薄膜。本公开的方法实现了对银薄膜介电常数的调控，扩大了其应用范围。
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公开(公告)号：CN117539120A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311644925.5
申请日：2023-12-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种掩模版图的圆化失真修正方法及装置、掩模版及加工方法，可以应用于光刻技术领域。该方法包括：模拟掩模版图在光刻工艺中的光场分布，得到光场分布仿真结果，所述掩模版图具有至少一个垂直拐角；基于所述光场分布仿真结果，在所述掩模版图中的至少一个垂直拐角处添加衬线结构，得到待确认的掩模版图；对所述待确认的掩模版图进行光学邻近效应修正验证，得到修正完成的掩模版图。本公开可改善光刻过程中的圆化失真现象。
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公开(公告)号：CN115233159A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210942761.3
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种低粗糙度和介电常数可控的银膜及其制备方法，该银膜的制备方法包括：S1，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，调整银靶材、氮化铝靶材的溅射功率，共同溅射沉积制备得到不同溅射功率下的多个银膜；S2，获取多个银膜的多条介电常数‑波长曲线；S3，基于目标银膜在特定波长下的目标介电常数，根据多条介电常数‑波长曲线，确定银靶材的第一溅射功率、氮化铝靶材的第二溅射功率；S4，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，对银靶材使用第一溅射功率、氮化铝靶材使用第二溅射功率，沉积制备得到目标介电常数下的低粗糙度银膜。本公开的方法通过氮化铝的掺杂实现了对银膜介电常数的调控，同时明显降低了银膜的表面粗糙度。
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