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公开(公告)号：CN115261813B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202210941426.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种介电常数可调控的多晶银薄膜及其制备方法，该多晶银薄膜的制备方法包括：S11，获取在预定制备条件下、纯氩气气体环境中制备得到的多晶银薄膜的第一介电常数‑波长曲线；S12，获取在预定制备条件下、不同比例氩气与氮气混合的气体环境中制备得到的多晶银薄膜的多条第二介电常数‑波长曲线；S13，基于目标多晶银薄膜在特定波长下的目标介电常数，根据第一介电常数‑波长曲线、多条第二介电常数‑波长曲线确定气体环境中氮气的体积占比；S14，根据S13中确定的氮气的体积占比向真空腔体中通入氩气与氮气混合的气体，在预定制备条件下制备得到目标介电常数下的多晶银薄膜。本公开的方法实现了对银薄膜介电常数的调控，扩大了其应用范围。
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公开(公告)号：CN118444535A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410730456.7
申请日：2024-06-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开实施例提供一种利用多次曝光及负显影加工接触孔的方法，包括：在基底上沉积底层反射金属膜层，在底层反射金属膜层表面制备负显影感光膜层；利用近场光刻，基于一维光栅掩模版对负显影感光膜层进行两次交叉曝光，以在交叉区域获得接触孔阵列；基于裁剪掩模对两次交叉曝光后的负显影感光膜层进行套刻曝光，以在特定区域中获得预设数量和分布形状的接触孔图形；对套刻曝光后的负显影感光膜层进行负显影，得到接触孔图形结构。该加工方法能够实现高技术节点接触孔的保形性加工，解决了当前近场光刻加工接触孔图形时存在的分辨率低、成像质量差等问题。
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公开(公告)号：CN117471863A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311416733.9
申请日：2023-10-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供利用超分辨孔光刻加工纳米柱的方法及其纳米柱结构，该方法包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底(1)、被刻蚀膜层(2)、有机膜层(3)、含硅抗反射层(4)、金属层(5)和感光膜层(6)；S2，对感光膜层(6)进行曝光显影，得到孔光刻结构；S3，将孔光刻结构依次刻蚀传递至金属层(5)、含硅抗反射层(4)和有机膜层(3)，除去有机膜层(3)的上层材料，得到孔图形结构；S4，利用区域选择性原子层沉积方法只在孔图形结构中被刻蚀膜层(2)的表面生长沉积材料(7)并得到具备预定厚度的沉积层；S5，去除有机膜层(3)，以沉积层作为硬掩模刻蚀传递至被刻蚀膜层(2)，得到纳米柱结构。
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公开(公告)号：CN113218961B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110430767.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明是一种基片缺陷检测装置与方法，基片缺陷检测装置包括支撑框架、照明与拍摄模块、承片模块和控制系统；支撑框架包含半球壳、底座和连接段，半球壳通过连接段设置在底座上；连接段上设置有送片窗口，半球壳上均匀设置有多个安装孔，各安装孔的轴线设置为穿过半球壳的球心；承片模块安装在底座上，用于稳定承载待检测基片；照明与拍摄模块能够实现对承片模块上待检测基片的照明与拍摄；控制系统用于照明与拍摄模块和承片模块的信号采集、数据处理以及联动控制。本发明基于散射成像基本原理，采用全方位多场照明与拍摄的方式，进行基片缺陷检测，实现全方位的多场照明与拍摄，弥补散射成像方法在基片缺陷精确检测方面的不足。
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公开(公告)号：CN113218961A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110430767.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明是一种基片缺陷检测装置与方法，基片缺陷检测装置包括支撑框架、照明与拍摄模块、承片模块和控制系统；支撑框架包含半球壳、底座和连接段，半球壳通过连接段设置在底座上；连接段上设置有送片窗口，半球壳上均匀设置有多个安装孔，各安装孔的轴线设置为穿过半球壳的球心；承片模块安装在底座上，用于稳定承载待检测基片；照明与拍摄模块能够实现对承片模块上待检测基片的照明与拍摄；控制系统用于照明与拍摄模块和承片模块的信号采集、数据处理以及联动控制。本发明基于散射成像基本原理，采用全方位多场照明与拍摄的方式，进行基片缺陷检测，实现全方位的多场照明与拍摄，弥补散射成像方法在基片缺陷精确检测方面的不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109668631A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811509702.7
申请日：2018-12-11
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大面积、低成本的超导纳米线单光子探测器的制备方法，在基底表面制备一层超导薄膜材料；在超导薄膜上制备一层反射辅助成像膜层，反射辅助层结构主要起增强放大成像信息中的倏逝波成分；在反射辅助成像膜层上制备一层成像层；接着制备一层透射辅助成像膜层，该层主要起激发表面等离子体波，将高级次衍射波耦合进表面等离子体当中；利用表面等离子体光刻技术，通过光刻工艺获得设计的超导纳米线单光子探测器结构；通过刻蚀传递方法，将成像层中的纳米线探测器结构传递到下层超导薄膜层，获得最终的超导纳米线单光子探测器。本发明有效克服目前纳米线单光子探测器件加工依赖电子束曝光耗时较长、成本较高的难题。
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公开(公告)号：CN107817653A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711316114.7
申请日：2017-12-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性材料的超分辨光刻装置，包括光源系统、掩模吸附板、掩模、柔性基片、承片台、密封球耳、弹性薄膜、弹性薄膜压板、升降台、精密气压控制系统。光源系统位于掩模的上方，掩模吸附板上开有环形槽，通过抽取真空，掩模吸附在掩模吸附板上，柔性基片位于掩模下方，柔性基片置于承片台表面，承片台表面开有环形气槽，柔性基片被真空吸附在承片台上，密封球耳安装在承片台上，承片台开有台阶孔，弹性薄膜通过弹性薄膜压板固定在台阶孔内，弹性薄膜与承片台形成密闭空间，台阶孔侧壁开有气孔与精密气压控制系统相连，承片台下表面与升降台相连，可以调节基片与掩模之间距离。解决了基片与掩模之间憋气问题对超分辨光刻的影响。
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公开(公告)号：CN103457157B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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公开(公告)号：CN103968770A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410192906.8
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明提供一种基于表面等离子体共振的高精度纳米间隙检测结构及方法，属于纳米光学技术领域，可解决现有技术测量精度低，无法动态测量等问题。本发明中光源输出光经过准直镜、宽带偏振器入射到分束器；经过分束镜的透射光与纳米间隙检测结构及基底相互作用后，反射光回至分束器；经分束器反射并由透镜会聚后入射至光谱探测器，探测器将探测得到的数据传到计算机，经计算机处理得到间隙值，实现纳米间隙的检测。本发明采用光谱探测的方法可以实现纳米量级间隙的高精度动态检测，为纳米加工、纳米测量领域提供一种全新的测试技术；并有望在包括近场光学，近场物理在内的多个研究领域发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN119805884A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510290715.3
申请日：2025-03-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法，涉及光刻技术领域，包括：在衬底上形成依次层叠的待刻蚀膜层、第一感光膜层、介质层和第二感光膜层，待刻蚀膜层靠近衬底；利用纳米孔图形掩模对第二感光膜层进行一次曝光，之后进行一次负显影，在第二感光膜层上形成纳米柱光刻结构；将纳米柱光刻结构的图形传递至介质层，形成柱图形结构；利用柱图形结构作为遮蔽图形对第一感光膜层进行二次曝光，之后进行二次负显影，在第一感光膜层上形成纳米孔图形结构；将纳米孔图形结构的图形传递至待刻蚀膜层，得到纳米孔结构。
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