公开(公告)号：CN104393045B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201410710282.4

申请日：2014-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾利芳 ,  何志 ,  刘志强 ,  李迪 ,  樊中朝 ,  程哲 ,  梁亚楠 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。

公开(公告)号：CN104465748B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410708477.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾利芳 ,  何志 ,  刘志强 ,  李迪 ,  樊中朝 ,  程哲 ,  梁亚楠 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。

公开(公告)号：CN104465748A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410708477.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾利芳 ,  何志 ,  刘志强 ,  李迪 ,  樊中朝 ,  程哲 ,  梁亚楠 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。

公开(公告)号：CN104091835A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410270490.7

申请日：2014-06-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李迪 ,  贾利芳 ,  何志 ,  樊中朝 ,  杨富华

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为肖特基二极管的阴极；介质钝化层形成在势垒层上，并暴露出凹槽；肖特基接触形成在介质钝化层的表面，作为肖特基二极管的阳极。本发明同时还公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管的制备方法。本发明通过刻蚀阻断部分氮化镓异质结沟道二维电子气的凹槽阳极氮化镓异质结肖特基势垒二极管，可同时获得低开启电压、低反向漏电流和高击穿电压的优秀电学特性。

公开(公告)号：CN104393045A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410710282.4

申请日：2014-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾利芳 ,  何志 ,  刘志强 ,  李迪 ,  樊中朝 ,  程哲 ,  梁亚楠 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。