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公开(公告)号：CN104393045A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410710282.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。
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公开(公告)号：CN103579424A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310587155.5
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，包括：在蓝宝石衬底上生长掩膜材料；对掩膜材料进行光刻，得到具有周期尺寸图形的掩膜；湿法腐蚀蓝宝石衬底得到一定深度的凹坑；干法刻蚀蓝宝石衬底，直至掩膜退缩完全；表面清洗。本发明提供的这种干湿法相结合的技术来制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，通过先在不消耗掩膜的情况下湿法腐蚀蓝宝石衬底，再进行干法刻蚀蓝宝石衬底，而且极大的提高了掩膜的利用率，使同样周期的图形可以实现更深的深度，达到低反射率的目的。
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公开(公告)号：CN102723357A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210110576.4
申请日：2012-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 一种沟道型碳化硅肖特基二极管，包括：一外延片，具有上、下表面，该外延片的上面向下开有一沟道，该沟道内的底部注入有P型离子，在该沟道的底部形成P+区；一氧化膜层，制作在外延片沟道的内壁面上，该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米；一多晶硅层，制作在氧化膜层上，并充满外延片的沟道内；一肖特基金属电极，制作在外延片上，并覆盖该外延片的沟道；一欧姆接触电极，制作在外延片的下表面。本发明改进了沟道型肖特基器件的结构，使反向承压时最高场强从沟道金属和氧化硅膜界面处转移到碳化硅外延片中，从而避免破坏性击穿。
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公开(公告)号：CN1670549A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200410031516.9
申请日：2004-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法，其特征在于，采取以下步骤：(1)按器件参数设计好版图后，在需要深刻蚀的区域空隙中添加额外图形，减少需要深刻蚀区域的被刻蚀面积，加大需要深刻蚀区域与需要浅刻蚀区域被刻蚀面积大小的差别和布局的不均衡性，在需要产生锥形波导的区域添加额外的图形，使得锥形波导的区域被刻蚀面积大小沿波导方向逐渐变化；(2)制版光刻；(3)进行反应离子刻蚀；(4)在表面覆盖波导上包层，完成后续制作工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111477689A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910071617.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高雪崩耐量碳化硅JBS结构及制备方法，结构主要包括阴极电极，N+型衬底，N-型外延层，P型注入区和阳极电极，其中P型注入区分两类，一类为条状注入区，另一类为锥状注入区。两类P型注入是通过在掩膜层上进行两次光刻刻蚀出深浅不同的沟槽实现的，引入锥状P型注入区可以明显提高碳化硅JBS的雪崩耐量。
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公开(公告)号：CN105529246A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L29/66053
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN105197881A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510541609.4
申请日：2015-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。
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公开(公告)号：CN104538290A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410851645.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66053 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四：将高温炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气或氢气混合气体。本发明通过在碳化硅退火过程中，通入氢气，利用氢气来刻蚀碳化硅的表面，通过控制刻蚀深度来保证所需的离子分布。从而保证退火后碳化硅良好的表面状况。简化了离子激活的工艺过程。
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公开(公告)号：CN101373714A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710120612.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
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