公开(公告)号：CN116299856A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310566605.6

申请日：2023-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 汪帅 ,  杨涛 ,  杨晓光 ,  吕尊仁 ,  孟磊 ,  柴宏宇 ,  王胜林

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。

公开(公告)号：CN116299856B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310566605.6

申请日：2023-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 汪帅 ,  杨涛 ,  杨晓光 ,  吕尊仁 ,  孟磊 ,  柴宏宇 ,  王胜林

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。

公开(公告)号：CN119315383A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411318709.6

申请日：2024-09-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨晓光 ,  杨涛 ,  柴宏宇 ,  吕尊仁 ,  汪帅

IPC: H01S5/22

Abstract: 本申请提供了一种倏逝波耦合结构、硅基半导体激光器和激光装置，包括下包层、有源层、介质层和脊波导层，下包层形成于有源层的下方，使得有源层中的光会被下包层所限制而只能向上反射，并通过倏逝波耦合传输至介质层中，再通过倏逝波耦合将光由介质层传输至脊波导层中，由脊波导层将光向外输出。通过将有源层设置为宽度由大到小渐变的结构形式，使有源层中的光在传输的过程中被逐渐约束在更小的面积范围内，从而提高光自垂直方向耦合过程中的耦合效率，降低光耦合损耗。本申请以解决了硅基波导直接与III‑V外延材料波导耦合效率较低、可拓展性弱及工艺难度大等问题。