一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法

    公开(公告)号:CN103528802B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310529305.7

    申请日:2013-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法,包括如下步骤:制作多个氮化物LED测试样品,使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层;从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面,在该台面上蒸镀上n电极,在ITO层表面蒸镀p电极,在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层,在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔;计算测试样品的光提取效率;利用积分球测量各测试样品,获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率;通过光功率计算测试样品的外量子效率,并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。

    晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法

    公开(公告)号:CN103107250B

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201310045572.7

    申请日:2013-02-05

    Abstract: 一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法,包括以下步骤:步骤1:取一外延片;步骤2:在外延片上制备发光二极管单元模组,形成发光二极管阵列,该发光二极管单元模组包括多个发光二极管;步骤3:在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉,通过发光二极管激发荧光粉产生不同波长的光达到对该发光二极管的输出光色进行调整;步骤4:取一基板;步骤5:将制备有发光二极管阵列的外延片依次固定在基板上,并与基板形成电性连接,完成结构的制备。本方法可整合发光二极管的制备工艺和芯片封装工艺,具有简化工艺路径,降低工艺成本。可以通过工艺对发光二极管的尺寸和间距进行精确控制。

    一种LED阵列光源结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104183584A

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201410409588.6

    申请日:2014-08-19

    Abstract: 本发明公开了一种LED阵列光源结构,包括:绝缘基板;多个焊盘,其阵列分布在绝缘基板正面,它们之间通过金属线连接成多排和多列;通孔,其开设在绝缘基板上,且连接每一排和每一列的焊盘的金属线通过所述通孔被引至绝缘基板背面;金属管脚,其设置在绝缘基板背面,并与引至绝缘基板背面的金属线电连接,用于连接驱动元件;散热层,其设置在绝缘基板侧壁和/或背面,用于散热;多个LED芯片,其固定在所述焊盘上;光学元件,其用于封装所述LED芯片,用于保护LED芯片和二次配光。本发明使得LED阵列光源的封装更加集成化,小型化,简化了封装工艺,降低了封装成本。

    基于全彩发光二极管阵列的投影显示系统

    公开(公告)号:CN104181760A

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201410446088.X

    申请日:2014-09-03

    Abstract: 本发明公开了一种基于全彩发光二级管阵列的投影显示系统,包括:三组发光二极管阵列模组,包括三个不同波长的发光二极管显示阵列;散热元件,其置于所述三个发光二极管阵列的附件,用以散热;集光元件,其放置在所述发光二极管阵列的光路前方,用以将光线收集并引入混光元件中;混光元件,其用于混合所述三个发光二极管阵列发出的三种光线形成全彩图像;投影元件,其放置在混光元件前方并用于调节画面质量和尺寸。本发明实现了主动式发光显示系统,省略了传统显示技术中的被动控制元件而提高了光学利用率,进而降低了显示系统的功耗。

    一种发光二极管阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN103474557A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310432579.4

    申请日:2013-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种发光二极管阵列的制备方法,包括以下步骤:在晶圆上制作发光二极管;制作带有金属化图形的基板;其中,基板上表面具有金属焊点和导电通孔,基板下表面制备有金属电极,所述金属电极与导电通孔连接;利用晶圆键合工艺,将晶圆与基板进行对位和固定结合,其中,晶圆上的发光二极管的电极与基板上的金属焊点对应;利用激光剥离工艺,将与基板上的金属焊点对应的处于指定区域内的发光二极管从晶圆上剥离;根据需要对基板进行划裂切割,完成由发光二极管组成的发光二极管阵列的制备。

    全彩发光二极管模组的制备方法

    公开(公告)号:CN103441101A

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201310379858.9

    申请日:2013-08-28

    Abstract: 一种全彩发光二极管模组的制备方法,包括以下步骤:取一外延片;在外延片上制备发光二极管阵列;在制备有发光二极管阵列的外延片上进行减薄划裂,得到发光二极管单元;取一基板,基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道,基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极,将电路导入基板的背面;将每个发光二极管的电极与基板上对应的金属焊点连接,将发光二极管单元固定在基板上,并且使发光二极管单元中的生长衬底朝上;利用激光剥离或化学腐蚀将发光二极管单元的生长衬底剥离,在剥离后的发光二极管单元的表面涂覆荧光粉;将基板划裂切割开来,形成发光二极管模组,完成全彩发光二极管模组的制备。本方法具有简化工艺路径,降低工艺成本。可以对发光二极管模组进行精确控制。

    发光二极管封装结构的制作方法

    公开(公告)号:CN102231421B

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201110198263.4

    申请日:2011-07-15

    Abstract: 一种发光二极管封装结构的制作方法,包括以下步骤:在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层;光刻在p型层上面的一侧向下到达n型层的表面形成第一台面,在另一侧向下刻蚀到达绝缘衬底的表面,形成第二台面;在第一、二台面上制作导电通孔并填充导电金属;在靠近第二台面的一侧并覆盖部分p型层的上表面,制作绝缘层;在绝缘层上并覆盖绝缘层制作p电极;在第一台面上的导电通孔上制作n电极;将绝缘衬底减薄;在绝缘衬底的背面的两侧分别制作第一背电极和第二背电极,以上得到器件的基底;在器件的基底上封装一光学元件,完成基底上器件的制作;采用机械方式将基底上器件切割成独立的器件。

    具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法

    公开(公告)号:CN103413886A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310379728.5

    申请日:2013-08-28

    Abstract: 一种具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法,包括以下步骤:步骤1:取一外延片;步骤2:在外延片上制备发光二极管阵列;步骤3:在制作有发光二极管阵列的外延片上涂覆荧光粉;步骤4:对外延片进行减薄划裂,得到发光二极管单元;步骤5:取一基板,基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道,基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极,将电路导入基板的背面;步骤6:将发光二极管单元的电极与基板上对应的金属焊点连接,将发光二极管单元固定在基板上,将基板划裂切割开来,形成发光二极管模组,完成具有可调输出光色的发光二极管模组的制备。本方法具有简化工艺路径,降低工艺成本的优点。可以对发光二极管模组的尺寸和模组中发光二极管的间距进行精确控制。

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