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公开(公告)号：CN100524843C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510084937.2
申请日：2005-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法，包括如下步骤：顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极；在外延片底层的重掺杂的n型砷化镓层制作顶电池的背电极；底电池以锑化镓单晶片为衬底；在底电池的外延片上面制作正电极，在衬底的下面制作背电极；顶电池与底电池采用机械级联的方式制成机械迭层太阳电池，然后进行封装；利用一支架在电池的正面安装聚光装置、对日跟踪装置，在电池的背面安装冷却装置，完成电池的制作。
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公开(公告)号：CN1825632A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510009540.7
申请日：2005-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种聚光太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以砷化镓或锗单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：在外延片上制作上电极，在衬底的下面制作下电极：步骤4：腐蚀上表面、蒸镀减反射膜、对电池组件封装；步骤5：利用一支架在电池的正面安装聚光装置，在电池的背面安装冷却装置；步骤6：安装对日跟踪装置，完成电池的制作。
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公开(公告)号：CN1787233A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009993.5
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种集成太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：采用多次刻蚀、镀膜及合金工艺将太阳电池外延片分隔成多个单元；步骤4：连线、封装，将多个分隔的单元电池制成集成化太阳电池芯片。
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公开(公告)号：CN102361218B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110332401.3
申请日：2011-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/022
Abstract: 一种半导体激光器二极管封装夹具，包括：一插座，为一柱状结构，其侧面相对切出两条V形槽，并在该插座一侧的端面上加工有三个电极插孔；一夹具前座，为金属材质，为板状U形件，在U形件的U形槽内的两侧开有两极台阶，在U形槽的两侧开有用于固定的四个沉孔，该U形槽的底部为弧形；-夹具后座，为金属材质，为一阶梯状的矩形体，分为大端与小端，在该大端的一端面的中心开有一与夹具前座配合使用的孔，在该孔的内壁制作有与插座上的V形槽配合的V形凸起，在孔的四周与夹具前座上的沉孔对应开有四个螺孔；其中该夹具前座由螺钉通过夹具前座上的沉孔与夹具后座上的螺孔固定，所述的插座插入在夹具后座的孔内。
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公开(公告)号：CN102074654B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010554257.3
申请日：2010-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种提高聚合物太阳电池效率的制备方法，电极采用电子束蒸发技术制备，制备方法包括如下步骤：在glass层上制作ITO层，作为太阳电池的阳极；采用光刻的方法，将ITO层一侧刻蚀掉，刻蚀深度到glass层的表面，防止ITO与电池的阴极连通；在暴露的glass层的上面及ITO层制备一层PEDOT:PSS层，作为太阳电池的空穴传输层；将ITO层一侧上面的PEDOT:PSS层擦除掉，擦除深度到ITO层的表面，使暴露的ITO层形成台面，该台面为阳极，与外电路连接；在PEDOT:PSS层上制备聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜；在聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜上制备Al薄膜；在Al薄膜上制备Al电极，该Al电极为阴极；退火，将制备完成的聚合物太阳电池退火，完成电极的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101630700A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810116739.3
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在一太阳电池芯片的底部固接一软键合材料层，该软键合材料层为低熔点金属，该低熔点金属在电池的工作温度区域内为液态，低于电池的工作温度时为固态；步骤2：将软键合材料层的另一面固接在管壳的上面；步骤3：将管壳的另一面绝缘固定在一散热器上，完成软键合工艺。
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公开(公告)号：CN101201558A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610165109.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/42 , G03F7/36 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明一种等离子去胶台可调式载片体，用于等离子去胶台中承载并固定待清洗或去胶的外延片，其特征在于，包括：一承载体，该承载体为一矩形，该承载体的上面中间两侧分别有一螺孔；两探针架，该两探针架类似于套管天线的结构，其长度可以伸缩调节，该两探针架的一端分别用螺丝固定在承载体上面的螺孔上；两探针，该探针为细丝状，该两探针的一端分别固定在两探针架的另一端。
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公开(公告)号：CN101064350A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610011791.3
申请日：2006-04-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/052 , H01L31/0232 , H02N6/00
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种带导光筒的太阳能电池聚光装置，用于聚光光伏系统定向导光装置，其特征在于，包括：一热沉；一导光筒，该导光筒为锥形结构，该导光筒的小径端固定在热沉上；一太阳能电池，该太阳能电池固定在热沉上，位于导光筒的中间；一聚光透镜，该聚光透镜与导光筒的轴线垂直，通过一支架安装在导光筒大径端的上方；一底板，该底板用于固定热沉。
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公开(公告)号：CN1941427A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105262.5
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n+/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n+/p型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层；在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层，完成电池外延片的制备；在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极，在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极；腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装，安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置，完成电池的制作。
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公开(公告)号：CN1941422A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105263.X
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/052
Abstract: 一种具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射器结构，该布拉格反射器结构制作在缓冲层上；一基区，该基区制作在布拉格反射器上；一发射区，该发射区制作在基区上；一兼做窗口层和复合减反射膜的高折射率层，该高折射率层制作在发射区上；一复合减反射膜的低折射率层，该低折射率层制作在窗口层上；该高折射率层与低折射率层7构成复合减反射膜层，极大地降低了光的减反射效果；一帽子层，该帽子层制作在减反射膜层上，为高掺杂n型砷化镓材料。
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