公开(公告)号：CN105870114A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610467039.3

申请日：2016-06-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 綦成林 ,  伊晓燕 ,  刘志强 ,  王莉 ,  詹腾 ,  马俊 ,  王钦金

IPC: H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0753

Abstract: 本发明公开了一种柔性发光器件及其制备方法、发光装置，一种柔性发光器件，包括：上透明导电薄膜、下透明导电薄膜、以及多个发光单元，所述发光单元夹设并电性连接于所述上透明导电薄膜和下透明导电薄膜之间，所述发光单元包括两个正反向并联的LED发光芯片。所述柔性发光装置可以采用交流电源驱动，发光均匀稳定，驱动电路简单。

公开(公告)号：CN107910243A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201710969740.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  伍绍腾 ,  伊晓燕 ,  黄洋 ,  程成 ,  王蕴玉 ,  綦成林

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02603

Abstract: 本发明提供一种在衬底上制备GaN纳米线的方法，包括以下步骤：步骤1：清洗衬底；步骤2：在衬底上镀一层Ni和Au金属；步骤3：将镀有Ni和Au金属的衬底放入HVPE外延设备的反应室中，将反应室升温；步骤4：向反应室中通入反应气体，在衬底上生长GaN纳米线；步骤5：关闭通入的反应气体，将衬底降温，完成制备。本发明处理工艺简单，大大的降低了生长成本；生长的温度为高温，大大提高晶体质量；纳米线方向具有一定的可控性，有利于后续器件制备。

公开(公告)号：CN105870114B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201610467039.3

申请日：2016-06-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 綦成林 ,  伊晓燕 ,  刘志强 ,  王莉 ,  詹腾 ,  马俊 ,  王钦金

IPC: H01L25/075

Abstract: 本发明公开了一种柔性发光器件及其制备方法、发光装置，一种柔性发光器件，包括：上透明导电薄膜、下透明导电薄膜、以及多个发光单元，所述发光单元夹设并电性连接于所述上透明导电薄膜和下透明导电薄膜之间，所述发光单元包括两个正反向并联的LED发光芯片。所述柔性发光装置可以采用交流电源驱动，发光均匀稳定，驱动电路简单。

公开(公告)号：CN107881554A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710969739.7

申请日：2017-10-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 伊晓燕 ,  伍绍腾 ,  刘志强 ,  黄洋 ,  程成 ,  王蕴玉 ,  綦成林

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/60 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种在衬底上生长GaN平面纳米线的方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：在清洗的衬底上蒸镀一层金属薄膜；步骤3：把蒸镀有金属薄膜的衬底倒立放在反应炉的托盘上，在衬底与托盘之间形成狭缝；步骤4：提升反应炉温度，通入反应气源，在衬底上生长平面的GaN纳米线；步骤5：关闭气源，将温度降至室温，完成GaN平面纳米线的制备。本发明不需要在衬底上制造图形，处理工艺简单，大大的降低了生长成本；本纳米线是水平外延生长在衬底上，与现代电子技术中传统的平面法兼容(晶体管的制备过程)，有利于后续器件制备；晶体质量优良，有利于提升器件性能。