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公开(公告)号：CN107910243A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710969740.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02603
Abstract: 本发明提供一种在衬底上制备GaN纳米线的方法，包括以下步骤：步骤1：清洗衬底；步骤2：在衬底上镀一层Ni和Au金属；步骤3：将镀有Ni和Au金属的衬底放入HVPE外延设备的反应室中，将反应室升温；步骤4：向反应室中通入反应气体，在衬底上生长GaN纳米线；步骤5：关闭通入的反应气体，将衬底降温，完成制备。本发明处理工艺简单，大大的降低了生长成本；生长的温度为高温，大大提高晶体质量；纳米线方向具有一定的可控性，有利于后续器件制备。
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公开(公告)号：CN107881554A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710969739.7
申请日：2017-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种在衬底上生长GaN平面纳米线的方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：在清洗的衬底上蒸镀一层金属薄膜；步骤3：把蒸镀有金属薄膜的衬底倒立放在反应炉的托盘上，在衬底与托盘之间形成狭缝；步骤4：提升反应炉温度，通入反应气源，在衬底上生长平面的GaN纳米线；步骤5：关闭气源，将温度降至室温，完成GaN平面纳米线的制备。本发明不需要在衬底上制造图形，处理工艺简单，大大的降低了生长成本；本纳米线是水平外延生长在衬底上，与现代电子技术中传统的平面法兼容(晶体管的制备过程)，有利于后续器件制备；晶体质量优良，有利于提升器件性能。
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公开(公告)号：CN118588513A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410928962.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种多孔硅基电子发射源及其制备方法、设备，涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基电子发射源的制备方法包括：获取多孔硅层；采用恒压模式的电化学氧化法处理多孔硅层，以将多孔硅层充分且均匀氧化；对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火。该制备方法采用恒压模式的电化学氧化方法对多孔硅层进行氧化处理，能够充分均匀钝化多孔硅层，从而有效提高多孔硅基电子发射源的电子发射效率。相比传统快速热氧化、高温水蒸气退火、高温热碳化等工艺，电化学氧化方法具备常温、大面积、低成本等优势，有望大规模用于制备真空微电子器件的片上高效电子源，满足未来真空微电子器件的高度集成与多功能化发展需求。
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公开(公告)号：CN116110848A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310041030.6
申请日：2023-01-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及半导体制造及微电子器件领域，具体涉及一种绝缘硅上锗结构衬底的键合方法，包括：在第一晶圆和第二晶圆表面分别生长第一介质层和第二介质层；对第一介质层和第二介质层表面进行等离子体处理，然后用水浸润并吹干；将等离子体处理后的第一介质层和第二介质层对准进行键合；对第二晶圆进行减薄和刻蚀，形成绝缘体上锗结构；对绝缘体上锗结构减薄处理和抛光处理，获得绝缘硅上锗结构衬底。本发明用等离子体轰击代替传统的化学机械抛光方式来降低介质层表面的粗糙度，实现键合界面的高度平坦化该方法可以对晶圆进行批量化处理，提高了产业化生产效率，同时降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN119845684A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510340878.8
申请日：2025-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种半导体样品退火方法和装置，涉及半导体技术领域，方法包括：将腔室升温至第一预设温度，腔室内放置有半导体样品，半导体样品包括掺杂有掺杂剂的样品；在保温预设时间后，采用第一惰性气体对半导体样品进行降温，以减少半导体样品的退火时间。本发明采用惰性气体对半导体样品进行降温，可以显著减少样品在退火工艺中的受热时长，实现了半导体样品的快速退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118588513B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410928962.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种多孔硅基电子发射源及其制备方法、设备，涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基电子发射源的制备方法包括：获取多孔硅层；采用恒压模式的电化学氧化法处理多孔硅层，以将多孔硅层充分且均匀氧化；对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火。该制备方法采用恒压模式的电化学氧化方法对多孔硅层进行氧化处理，能够充分均匀钝化多孔硅层，从而有效提高多孔硅基电子发射源的电子发射效率。相比传统快速热氧化、高温水蒸气退火、高温热碳化等工艺，电化学氧化方法具备常温、大面积、低成本等优势，有望大规模用于制备真空微电子器件的片上高效电子源，满足未来真空微电子器件的高度集成与多功能化发展需求。
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公开(公告)号：CN119230394A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411534464.0
申请日：2024-10-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/304 , H01L29/20 , H01L21/56
Abstract: 本公开提供了一种降低III族氮化物半导体键合片中随机裂纹的方法，包括：获取III族氮化物半导体片和第一衬底，所述III族氮化物半导体片的一侧设置有第二衬底；对所述III族氮化物半导体片进行分割，以将所述III族氮化物半导体片划分为多个III族氮化物半导体片微区，得到分割后的III族氮化物半导体层；对所述分割后的III族氮化物半导体层与所述第一衬底进行键合，得到待处理III族氮化物半导体键合片；去除所述待处理III族氮化物半导体键合片中的所述第二衬底，得到III族氮化物半导体键合片。本公开对III族氮化物半导体片进行分割再键合，降低了III族氮化物半导体键合片中的随机裂纹，提高了III族氮化物半导体键合片的性能。
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公开(公告)号：CN116913768B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311182005.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/268 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多次脉冲亚熔化准分子激光退火方法，包括：对半导体晶体表面进行离子注入，在半导体晶体表面形成非晶掺杂区；向非晶掺杂区进行多次脉冲激光辐照退火，以使非晶掺杂区在亚熔化状态发生重结晶，激活非晶掺杂区的离子。同时避免了表面烧蚀、蒸发效应以及熔体冷却再生引起杂质偏析效应，使得重结晶过程中的掺杂原子损失大幅降低。
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公开(公告)号：CN116913768A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311182005.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/268 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多次脉冲亚熔化准分子激光退火方法，包括：对半导体晶体表面进行离子注入，在半导体晶体表面形成非晶掺杂区；向非晶掺杂区进行多次脉冲激光辐照退火，以使非晶掺杂区在亚熔化状态发生重结晶，激活非晶掺杂区的离子。同时避免了表面烧蚀、蒸发效应以及熔体冷却再生引起杂质偏析效应，使得重结晶过程中的掺杂原子损失大幅降低。
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公开(公告)号：CN116013845A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310040644.2
申请日：2023-01-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及半导体制造及微电子器件领域，具体涉及一种绝缘硅上锗结构衬底的制备方法，包括：对第二晶圆进行氢离子注入，并通过退火来修复晶格损伤；在第二晶圆的离子注入面外延生长锗薄膜；在第一晶圆及第二晶圆的锗薄膜表面分别沉积第一介质层和第二介质层；对抛光后的第一介质层和第二介质层表面进行氧等离子体处理，然后用液体浸润介质层表面并吹干；将第一介质层和第二介质层对准并键合，形成晶圆结合体；对晶圆结合体进行退火处理，使第二晶圆从离子注入面断裂，在晶圆结合体上形成断裂面；对晶圆结合体的断裂面的硅进行刻蚀，使锗薄膜完全裸露；对锗薄膜进行化学机械抛光，形成绝缘体上锗结构衬底。
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