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公开(公告)号:CN119954216A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510060385.9
申请日:2025-01-15
Applicant: 皖江新兴产业技术发展中心 , 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明属于水质检测领域,公开了一种Fe/In‑Co3O4敏感材料及制备方法和重金属电分析中的应用,其制备方法为:将钴盐、CTAB加入去离子水中搅拌均匀形成混合液A;将2‑甲基咪唑加入去离子水中搅拌均匀后立即加入混合液A中加热反应,得钴有机骨架材料ZIF‑67;将四水合氯化亚铁和四水合三氯化铟加入乙醇中搅拌得混合液D;将钴有机骨架材料ZIF‑67加入混合液D中静置反应、煅烧得Fe/In‑Co3O4敏感材料。将本发明制备的Fe/In‑Co3O4敏感材料包覆在GCE电极表面构成工作电极,在三电极检测体系中可用于实际水样中重金属的检测,且灵敏度高,具有较强的抗干扰能力和优异的稳定性、重复性。
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公开(公告)号:CN117191908A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202311041314.1
申请日:2023-08-16
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/333
Abstract: 本发明公开了一种全固态钠离子选择性电极、制备方法及应用,其中全固态钠离子选择性电极包括电极基体,所述电极基体的表面包覆有的离子‑电子转导层,所述离子‑转导层包括Sn‑MoS2异质结材料。本发明使用Sn‑MoS2异质结材料来构建全固态钠离子选择性电极,通过将Sn负载在MoS2表面,在不改变MoS2本身形貌的前提下,通过界面效应增大材料电容以及通过比表面积的增大来增加疏水性,从而构筑了Sn‑MoS2异质结材料。实现了对钠离子的检测具有良好的电位响应以及优异的电位稳定性。
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公开(公告)号:CN119038636A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411152847.1
申请日:2024-08-21
Applicant: 皖江新兴产业技术发展中心 , 中国科学院合肥物质科学研究院 , 合肥综合性科学中心环境研究院
Abstract: 本发明公开了一种Ni3S4‑MoS2异质结材料及制备方法和应用,属于离子选择性电极技术领域。Ni3S4‑MoS2异质结材料的制备方法包括以下步骤:将钼源、镍源和硫源加入水中,超声分散形成均匀的混合液;将混合液进行水热反应,反应物经冷却、离心洗涤、干燥后,得Ni3S4‑MoS2异质结材料。本发明将Ni3S4‑MoS2异质结材料作为全固态钠离子选择性电极的转导层,由于Ni3S4‑MoS2异质结材料具有优异的电容及疏水性,所以能够有效的稳定界面电位,同时抑制电极表面水层的形成,实现了对钠离子良好的电位响应,并表现出优异的稳定性、可逆性以及再现性。
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公开(公告)号:CN118954618B
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202411056015.X
申请日:2024-08-02
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: C01G51/15 , G01N27/333 , C01B32/16 , C01B32/168 , C01B32/05 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种CoS2‑C/CNT复合材料及其制备方法和应用,其制备方法包括以下步骤:将钴盐溶液缓慢倒入有机配体溶液中,搅拌反应得ZIF‑67前驱体;在碳化气氛下,对其进行煅烧碳化,将碳化物与硫磺粉研磨混合,然后在氮气或氩气下进行煅烧硫化,得CoS2‑C/CNT复合材料;所述碳化气氛为氮气气氛或为氩气和氢气的混合气氛。本发明以ZIF‑67为前驱体,在不额外添加碳纳米管的条件下依次经碳化、硫化获得了CoS2纳米颗粒均匀地嵌入多孔碳基质中且由碳纳米管相互交织连接而成的复合材料。从而促进电子转移,确保高电子导电性,并显著提高了材料的循环稳定性和转化反应的可逆性,有效的保持了复合材料优异的电容。
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公开(公告)号:CN117069098B
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202310937176.9
申请日:2023-07-26
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , C01B32/05 , G01N27/333 , G01N27/30 , G01N27/48
Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑8沿着氧化石墨烯的(001)晶面层间成核生长的自组装材料的制备方法及基于其衍生的碳材料NPCs@rGO在全固态钙离子选择性电极的应用。本发明通过Zn2+和氧化石墨烯(GO)表面含氧基团的络合/配位作用,加入有机配体引发ZIF‑8在GO的(001)晶面间成核生长,调节ZIF‑8尺寸以调控GO层间距;经过还原自组装后,经一步碳化形成大电容且高疏水的NPCs@rGO。此外,本发明中,以电极基底,NPCs@rGO及聚合物敏感膜形成的具有三明治结构的全固态钙离子选择性电极,实现了钙离子的超低水平检测(10‑7.81M)。本发明为氧化石墨烯的(001)晶面间距调控提供了新思路,同时也为石墨烯材料电容及疏水性的定向调控提供了可行性方法。
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公开(公告)号:CN116626136B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202310619347.3
申请日:2023-05-30
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01N27/411
Abstract: 本发明公开了一种基于基团相互作用实现不同铬离子形态检测的方法,其是在电场诱导下,将功能化材料修饰电极与含铬溶液进行电化学作用;所述功能化材料为氨基化修饰的钴基石墨烯和/或羧基化修饰的钴基石墨烯。本发明在电场作用下,通过静电吸引和基团相互作用进一步固定HCrO4‑和Cr(OH)2+,得到的检测下限分别为0.10μg/L和0.12μg/L,检测灵敏度分别为19.46μg/L和13.44μg/L,较传统光谱法的检测下限提高了2‑3个数量级,操作过程简洁温和,成本低廉,显示出良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN118954618A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411056015.X
申请日:2024-08-02
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: C01G51/00 , G01N27/333 , C01B32/16 , C01B32/168 , C01B32/05 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种CoS2‑C/CNT复合材料及其制备方法和应用,其制备方法包括以下步骤:将钴盐溶液缓慢倒入有机配体溶液中,搅拌反应得ZIF‑67前驱体;在碳化气氛下,对其进行煅烧碳化,将碳化物与硫磺粉研磨混合,然后在氮气或氩气下进行煅烧硫化,得CoS2‑C/CNT复合材料;所述碳化气氛为氮气气氛或为氩气和氢气的混合气氛。本发明以ZIF‑67为前驱体,在不额外添加碳纳米管的条件下依次经碳化、硫化获得了CoS2纳米颗粒均匀地嵌入多孔碳基质中且由碳纳米管相互交织连接而成的复合材料。从而促进电子转移,确保高电子导电性,并显著提高了材料的循环稳定性和转化反应的可逆性,有效的保持了复合材料优异的电容。
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公开(公告)号:CN117368282A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311128485.8
申请日:2023-09-01
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于汗液监测穿戴设备的硬质电极制造方法和应用。可定制批量化生产的高耐磨硬质电极,其制造过程可批量化生产,且具有良好的绝缘性、耐磨耐腐性以及汗液附着均匀度。硬质电极的电气接口可集成于一体,使传感器便于依据不同的应用场合,设计出更好的表面附着压力,进一步提高了传感器的皮肤附着力及性能,进而实现稳定的动态实时监测。本硬质电极的制造方法可推广至多传感阵列的集成,进一步实现多种生理指标的同时监测。
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公开(公告)号:CN117069098A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202310937176.9
申请日:2023-07-26
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , C01B32/05 , G01N27/333 , G01N27/30 , G01N27/48
Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑8沿着氧化石墨烯的(001)晶面层间成核生长的自组装材料的制备方法及基于其衍生的碳材料NPCs@rGO在全固态钙离子选择性电极的应用。本发明通过Zn2+和氧化石墨烯(GO)表面含氧基团的络合/配位作用,加入有机配体引发ZIF‑8在GO的(001)晶面间成核生长,调节ZIF‑8尺寸以调控GO层间距;经过还原自组装后,经一步碳化形成大电容且高疏水的NPCs@rGO。此外,本发明中,以电极基底,NPCs@rGO及聚合物敏感膜形成的具有三明治结构的全固态钙离子选择性电极,实现了钙离子的超低水平检测(10‑7.81M)。本发明为氧化石墨烯的(001)晶面间距调控提供了新思路,同时也为石墨烯材料电容及疏水性的定向调控提供了可行性方法。
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公开(公告)号:CN116626136A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310619347.3
申请日:2023-05-30
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01N27/411
Abstract: 本发明公开了一种基于基团相互作用实现不同铬离子形态检测的方法,其是在电场诱导下,将功能化材料修饰电极与含铬溶液进行电化学作用;所述功能化材料为氨基化修饰的钴基石墨烯和/或羧基化修饰的钴基石墨烯。本发明在电场作用下,通过静电吸引和基团相互作用进一步固定HCrO4‑和Cr(OH)2+,得到的检测下限分别为0.10μg/L和0.12μg/L,检测灵敏度分别为19.46μg/L和13.44μg/L,较传统光谱法的检测下限提高了2‑3个数量级,操作过程简洁温和,成本低廉,显示出良好的应用前景。
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