公开(公告)号：CN116417525A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310279151.4

申请日：2023-03-22

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 杜浩江 ,  叶继春 ,  曾俞衡 ,  杨阵海 ,  廖明墩 ,  刘伟 ,  行孟超 ,  王太强

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法，TOPCon电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜，所述第二多晶硅层的材质为掺杂的改性n型或p型多晶硅薄膜。本发明将第一多晶硅层和第二多晶硅层的双层多晶硅结构作为TOPCon电池的载流子传输层，可以提升多晶硅结构的表面润湿性，且电学与钝化性能良好，从而能提高电镀或化学镀种子层的质量，获得更高的电池效率。

公开(公告)号：CN118198182A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410251523.7

申请日：2024-03-06

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 行孟超 ,  曾俞衡 ,  叶继春 ,  张文瑞 ,  王太强 ,  刘伟 ,  廖明墩 ,  杨阵海 ,  杜浩江

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明提供一种硼发射极金属化前处理方法及应用，硼发射极金属化前处理方法包括以下步骤：对半电池正面进行图案化处理，露出部分硼发射极，用腐蚀液对硼发射极进行腐蚀处理，形成表面活性位点，所述腐蚀液的组分包括水、硝酸银、氢氟酸、过氧化氢和异丙醇。本发明通过使用高酸度氧化剂溶液进行腐蚀处理，可以去除正面硼发射极表面的氧化层和杂质，同时形成微细的凹陷和粗糙的表面结构，形成细小的活性位点，从而增大正面硼发射极和金属之间的结合力。

公开(公告)号：CN117153904A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310875521.0

申请日：2023-07-18

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 曾俞衡 ,  叶继春 ,  行孟超 ,  杜浩江 ,  王太强 ,  刘伟 ,  廖明墩 ,  杨阵海 ,  盛江

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明提供一种太阳电池的金属化电极结构及其制备方法，金属化电极结构包括由内到外设置的种子层、阻挡层、导电层和保护层，所述种子层的材料为镍，所述阻挡层的材料为镍，所述导电层的材料为铜，所述保护层的材料为锡，所述种子层由电镀法沉积，所述阻挡层由化学镀法沉积，所述金属化电极结构用于TOPCon电池。本发明在电镀镍种子层表面形成一层化学镀镍阻挡层，基于化学镀法制备的镍阻挡层为非晶态，镀层表面没有任何晶体间隙，可以很好的阻挡铜的扩散，防止铜扩散到硅中，从而提高TOPCon电池的长期可靠性。