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公开(公告)号：CN116206956A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310217553.1
申请日：2023-03-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中通过水前驱体辅助生长氧化铝键合晶圆中界面气泡多的问题。所述器件包括第一晶圆、第二晶圆，以及位于所述第一晶圆和第二晶圆之间且从所述第一晶圆至所述第二晶圆依次叠加排列的前驱体臭氧辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层和前驱体臭氧辅助生长氧化铝层，两个所述前驱体水辅助生长氧化铝层之间键合连接。该器件可以有效抑制界面处H2O气泡的产生。
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