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公开(公告)号：CN103258954B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210036092.X
申请日：2012-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性衬底的气敏传感器及其制作方法，该气敏传感器从下往上依次为：衬底、下电极、敏感膜和上电极；其中，该敏感膜位于下电极与上电极之间，其截面部分被暴露出来，使得气体在该截面处同敏感膜作用，充分发挥出敏感膜的敏感特性。本发明提供的基于柔性衬底的气敏传感器及其制备方法，相比于传统的平面敏感膜，具有立体敏感的性质，易于被测气体与所有敏感膜的接触，极大的发挥了敏感膜的层间作用，实现在常温或高温下对特殊气体敏感的功能。
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公开(公告)号：CN103033538B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210558635.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种制备基于柔性衬底的在常温下检测气体的敏感膜材料的方法，包括：选取一柔性衬底，并清洗该柔性衬底；在该柔性衬底表面涂敷一层光刻胶，对该光刻胶进行光刻显影，在该柔性衬底表面形成电极图形；在表面具有光刻胶及电极图形的柔性衬底上依次沉积Cr和Au；剥离该柔性衬底上的光刻胶及光刻胶上沉积的Cr和Au，形成Au电极；以及在已形成Au电极的该柔性衬底上沉积一层SnO2-PDDAC敏感膜。利用本发明，通过在Cr、Au薄膜上淀积一层SnO2-PDDAC薄膜，以此在常温下检测低浓度的醇类及氨气这类气体。SnO2与PDDAC溶液的混合一方面增强了敏感材料与柔性衬底的粘合，同时还提高了SnO2在常温下对被测气体的响应。
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公开(公告)号：CN103072942B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310017106.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法，包括：在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层；在该Ni层上涂敷光刻胶层，利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域，在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni，采用丙酮剥离光刻胶后用离子束刻蚀工艺对Ni层表面进行刻蚀，将衬底表面生长的Ni层刻掉，只留下该有序纳米线阵列图形区域的Ni形成有序Ni纳米线阵列；将该有序Ni纳米线阵列浸入H2PtCl6溶液中，通过置换反应在Ni纳米线阵列上有Pt被置换出来；将附有Pt的Ni纳米线阵列在氧化炉里氧化，得到Pt掺杂的有序NiO纳米线阵列。本发明简单实用，掺杂后的传感器对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都将有很大的改善。
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公开(公告)号：CN103308560A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310218295.5
申请日：2013-06-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种室温检测NH3的气体传感器的制作方法，包括：在柔性衬底表面制作金属电极；制作α-Fe2O3-ZnO敏感膜；以及将α-Fe2O3-ZnO敏感膜与柔性衬底具有金属电极的表面结合，形成在室温检测NH3的气体传感器。利用本发明，通过问接的方法将敏感膜材料和柔性衬底结合起来，避免了柔性衬底在敏感膜制备过程中的高温操作，而是将敏感膜α-Fe2O3-ZnO涂覆在SiO2基片上，然后利用HF酸刻蚀掉下层的SiO2，将敏感膜与衬底分离，最后在柔性衬底的电极表面涂覆一层导电银浆，将敏感膜与柔性衬底结合起来。
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公开(公告)号：CN103258954A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210036092.X
申请日：2012-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性衬底的气敏传感器及其制作方法，该气敏传感器从下往上依次为：衬底、下电极、敏感膜和上电极；其中，该敏感膜位于下电极与上电极之间，其截面部分被暴露出来，使得气体在该截面处同敏感膜作用，充分发挥出敏感膜的敏感特性。本发明提供的基于柔性衬底的气敏传感器及其制备方法，相比于传统的平面敏感膜，具有立体敏感的性质，易于被测气体与所有敏感膜的接触，极大的发挥了敏感膜的层间作用，实现在常温或高温下对特殊气体敏感的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102818880A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210266802.8
申请日：2012-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种制备用于传感器的敏感材料的方法，该方法包括：将SnO2固体颗粒浸入FeCl3的乙醇溶液中；将含有FeCl3的SnO2固体颗粒在空气干燥10分钟后放入pyrrole的饱和蒸汽中3-12小时，得到SnO2颗粒表面覆盖有PPy的敏感材料。利用本发明制备的SnO2颗粒表面覆盖有PPy的敏感材料，有效地提高了气体传感器对NH3和NO2气体的灵敏度和稳定性，而且由于SnO2颗粒表面覆盖一层PPy，使其在室温下就可工作。
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公开(公告)号：CN103274452B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310218450.3
申请日：2013-06-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备花瓣形掺杂氧化镍的二氧化锡的方法，包括：混合工序：将二水合二氯化锡、醋酸镍、草酸溶于水，加入质量分数为80％的水合肼和3至4滴HCl，在转速为10转/分钟至180转/分钟的磁力搅拌下，将上述溶液搅拌3至4个小时，得到浑浊溶液；反应工序：将得到的浑浊溶液在0℃至180℃下水热反应0.5小时至36小时，然后将沉淀物过滤、洗涤及干燥，得到花瓣形掺杂氧化镍的二氧化锡的前驱体；以及煅烧工序：将得到的花瓣形掺杂氧化镍的二氧化锡的前驱体在300℃至1000℃煅烧0.5小时至4小时，然后自然冷却到室温。本发明中的掺杂采用在原料中进行掺杂的方法，原料易得到，操作简单，而且制备的产品为花瓣形，且不含有其它形貌，比表面积大。
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公开(公告)号：CN103274452A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310218450.3
申请日：2013-06-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备花瓣形掺杂氧化镍的二氧化锡的方法，包括：混合工序：将二水合二氯化锡、醋酸镍、草酸溶于水，加入质量分数为80％的水合肼和3至4滴HCl，在转速为10转/分钟至180转/分钟的磁力搅拌下，将上述溶液搅拌3至4个小时，得到浑浊溶液；反应工序：将得到的浑浊溶液在0℃至180℃下水热反应0.5小时至36小时，然后将沉淀物过滤、洗涤及干燥，得到花瓣形掺杂氧化镍的二氧化锡的前驱体；以及煅烧工序：将得到的花瓣形掺杂氧化镍的二氧化锡的前驱体在300℃至1000℃煅烧0.5小时至4小时，然后自然冷却到室温。本发明中的掺杂采用在原料中进行掺杂的方法，原料易得到，操作简单，而且制备的产品为花瓣形，且不含有其它形貌，比表面积大。
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公开(公告)号：CN103072942A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310017106.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法，包括：在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层；在该Ni层上涂敷光刻胶层，利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域，在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni，采用丙酮剥离光刻胶后用离子束刻蚀工艺对Ni层表面进行刻蚀，将衬底表面生长的Ni层刻掉，只留下该有序纳米线阵列图形区域的Ni形成有序Ni纳米线阵列；将该有序Ni纳米线阵列浸入H2PtCl6溶液中，通过置换反应在Ni纳米线阵列上有Pt被置换出来；将附有Pt的Ni纳米线阵列在氧化炉里氧化，得到Pt掺杂的有序NiO纳米线阵列。本发明简单实用，掺杂后的传感器对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都将有很大的改善。
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公开(公告)号：CN102816995A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210266804.7
申请日：2012-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于气体传感器的原位还原法掺杂的敏感膜的制备方法，该方法包括：在衬底上生长一定厚度的Sn；将生长有Sn的衬底浸入含有AgNO3、HAuCl4、H2PtCl6和Pd(NO3)2的溶液中；以及对浸入含有AgNO3、HAuCl4、H2PtCl6和Pd(NO3)2的溶液后的生长有Sn的衬底进行热氧化。利用本发明，掺杂后的敏感膜对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都有很大的改善，SnO2敏感膜的粘附性好，可控掺杂性好，而且一致性好，易于批量生产。并且，本发明具有制备方法简单，成本低，易于控制等优点。
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