公开(公告)号：CN112802748B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202011642789.2

申请日：2020-12-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 康玄武 ,  赵志波 ,  郑英奎 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开提供了一种降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法，包括：制备氮化镓器件，自下而上顺次包括衬底、外延结构层和电极层；采用ICP刻蚀氮化镓器件的外延结构层，形成台面结构；在快速退火炉中进行退火处理，修复刻蚀损伤；退火处理时，选用气体为O2、N2、Ar中的一种或几种，温度范围为300℃～550℃，退火所用时间范围为60s～180s。本公开工艺简单，降低漏电流效果明显，能够显著提升器件的电学性能。

公开(公告)号：CN112802748A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011642789.2

申请日：2020-12-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 康玄武 ,  赵志波 ,  郑英奎 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开提供了一种降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法，包括：制备氮化镓器件，自下而上顺次包括衬底、外延结构层和电极层；采用ICP刻蚀氮化镓器件的外延结构层，形成台面结构；在快速退火炉中进行退火处理，修复刻蚀损伤；退火处理时，选用气体为O2、N2、Ar中的一种或几种，温度范围为300℃～550℃，退火所用时间范围为60s～180s。本公开工艺简单，降低漏电流效果明显，能够显著提升器件的电学性能。