公开(公告)号：CN108649068A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810714068.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 谭犇 ,  田晓丽 ,  白云 ,  宋瓘 ,  顾航 ,  杨成樾 ,  汤益丹 ,  陈宏 ,  刘新宇

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种RC-IGBT器件及其制备方法。该RC-IGBT器件包括具有第一导电类型的第一集电区以及具有第二导电类型的第二集电区，第一集电区具有贯穿场截止区的第一端部，用于将场截止区隔离为第一截止区和第二截止区，第一集电区中除第一端部之外的部分与第一截止区接触设置，第二集电区与第二截止区接触设置。由于上述第一集电区中第一端部对场截止区的隔离作用，电子或空穴需要爬过该第一端部，增长了载流子运动路径，从而增大了RC-IGBT器件在导通初期第一集电区上方电势差，使得该PN结更容易开启，器件更容易从单极导通转换为双极导通，进而抑制了RC-IGBT器件在导通初期所产生的Snapback效应。

公开(公告)号：CN109341880A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811156415.2

申请日：2018-09-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 顾航 ,  白云 ,  谭犇 ,  陈宏 ,  宋瓘 ,  张有润 ,  汤益丹 ,  田晓丽 ,  刘新宇

IPC: G01K7/01 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；以及环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型重掺杂区；其中，所述环形阴极与所述晶体管的源极短路设置。

公开(公告)号：CN108649068B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201810714068.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 谭犇 ,  田晓丽 ,  白云 ,  宋瓘 ,  顾航 ,  杨成樾 ,  汤益丹 ,  陈宏 ,  刘新宇

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种RC‑IGBT器件及其制备方法。该RC‑IGBT器件包括具有第一导电类型的第一集电区以及具有第二导电类型的第二集电区，第一集电区具有贯穿场截止区的第一端部，用于将场截止区隔离为第一截止区和第二截止区，第一集电区中除第一端部之外的部分与第一截止区接触设置，第二集电区与第二截止区接触设置。由于上述第一集电区中第一端部对场截止区的隔离作用，电子或空穴需要爬过该第一端部，增长了载流子运动路径，从而增大了RC‑IGBT器件在导通初期第一集电区上方电势差，使得该PN结更容易开启，器件更容易从单极导通转换为双极导通，进而抑制了RC‑IGBT器件在导通初期所产生的Snapback效应。

公开(公告)号：CN109341880B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201811156415.2

申请日：2018-09-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 顾航 ,  白云 ,  谭犇 ,  陈宏 ,  宋瓘 ,  张有润 ,  汤益丹 ,  田晓丽 ,  刘新宇

IPC: G01K7/01 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；以及环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型重掺杂区；其中，所述环形阴极与所述晶体管的源极短路设置。