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公开(公告)号：CN103645430A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310724817.9
申请日：2013-12-23
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏感位置；在单粒子效应敏感位置附近选取更密集的入射点，开展单粒子效应半导体器件数值仿真，精确定位锗硅异质结双极晶体管单粒子效应敏感区域和大小。该方法具有理论定量分析单粒子损伤效应、缩短考核时间和降低试验成本等优势。
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公开(公告)号：CN117148410A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311123782.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种浮栅晶体管达次级电子平衡时灵敏区吸收剂量的计算方法，解决目前射线辐照浮栅晶体管难以快速精确确定实现次级电子平衡时浮栅晶体管灵敏区吸收剂量的问题。本发明包括如下步骤：步骤1，计算射线在不同材料的深度‑剂量曲线；步骤2，获得实际用浮栅晶体管结构数据；步骤3，步骤2中的数据，计算浮栅晶体管添加前平衡层后氧化层的吸收剂量与浮栅晶体管达到次级电子平衡时氧化层的吸收剂量比值等于1时浮栅晶体管灵敏区的吸收剂量；步骤4，若比值不等于1，使用多射线辐照浮栅晶体管，计算射线辐照下对应的剂量转化因子DF，根据DF值，精确的得到实际情况下该射线辐照浮栅晶体管时，浮栅晶体管灵敏区的吸收剂量。
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公开(公告)号：CN106802427B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201611177450.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。
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公开(公告)号：CN106199372A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610516216.2
申请日：2016-07-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/265 , G01R31/303
CPC classification number: G01R31/265 , G01R31/303
Abstract: 本发明涉及用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备，该设备是由X射线辐照装置、显微成像装置、探针台、冷却与空气循环装置、辐射测量装置、控制与测试分系统、框架、水平导轨、高压程控电源、X射线控制器、UNIDOS剂量仪、控制计算机、半导体参数测试仪、示波器和矩阵开关组成，该设备实现晶片级器件的辐照与在线辐射效应参数提取及实时监测；并实现辐照测试的一体化、操作的自动化，可显著提高辐照与测试的稳定性与效率。该设备直接对晶片级器件进行试验，摒除了器件封装材料、封装结构、引线及封装过程引入的一些不确定因素的影响，可显著降低参数提取的偏差；消除了辐照、测试环境交替以及测试时间延迟给试验结果带来的影响。
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公开(公告)号：CN109437571A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811431507.7
申请日：2018-11-27
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种铽掺杂磷酸钙钠玻璃陶瓷光激励发光材料的制备方法，该材料通式为25Na2O-23CaO-6P2O5-44B2O3-2ZrO2-xTb4O7，式中：x=0.1-1；以碳酸钠、碳酸钙、磷酸二氢铵、氧化硼、氧化锆和氧化铽为原料，采用充分混合，预烧，所得熔融的玻璃液迅速倒入不锈钢模具中，制备出磷酸钙钠玻璃，将玻璃磨成粉并进行退火处理，压成圆片，置于马弗炉中进行热处理，在玻璃中析出NaCaPO4晶体，得到铽掺杂磷酸钙钠玻璃陶瓷光激励发光材料。该材料具有良好光学性质，灵敏度高，剂量响应范围宽（0.01-1000 Gy），可以应用于个人剂量计、环境剂量计、医学剂量计等，是应用于辐射剂量检测理想的光激励发光材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103983874B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410210427.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法，通过多孔衰减的方法，在不变动加速器结构、控制系统的前提下，将电子加速器改造成为满足国军标要求的低通量空间辐射环境地面模拟装置。通过蒙特卡罗模拟计算方法和高分辨率测量方法，研究了通过衰减法降低电子束通量后电子束能谱、次级辐射、辐照场均匀性，能够适应电子元器件、材料辐射效应研究和评估方法研究的要求。解决了现有电子加速器在进行电子元器件辐射效应研究时电子通量高的技术问题。
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公开(公告)号：CN110221336A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910548534.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种基于PMOS剂量计的多点测量方法，该方法中涉及探测器是由多点的辐照传感器、多通道选择模块、数据采集模块、电流注入模块、控制模块和PC机组成，所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与多通道选择模块和数据采集模块相连；电流注入模块与多通道选择模块相连；数据采集模块输入端与多点辐照传感器端、控制模块端相连，输出端与PC机相连；多通道选择模块输入端与电流注入模块、控制模块相连，输出端与多点辐照传感器相连；该方法在保持PMOS剂量仪现有的性能指标的前提下，有效的实现在线的多点测量。
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公开(公告)号：CN108728093A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810518081.2
申请日：2018-05-27
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: C09K11/70
Abstract: 本发明涉及一种铈掺杂磷酸锂钠光致发光剂量片的制备方法，该方法以LiOH·H2O和NaH2PO4为基质原料，CeO2为掺杂原料，将其混合，研磨搅拌后烘干，将烘干后的混合物预烧，得到铈掺杂磷酸锂钠的粉体材料，再将粉体材料压片成型后，采用二次烧结，得到性能优异的铈掺杂磷酸锂钠光致发光剂量片。通过本发明所述方法获得的铈掺杂磷酸锂钠光致发光剂量片灵敏度高、稳定性好，剂量响应范围宽，且制备工艺简单，原料经济易得，可潜在应用于个人及医疗剂量计等辐射剂量检测领域。
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公开(公告)号：CN108037438A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711329107.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN106802427A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611177450.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02 , G05B19/042
CPC classification number: G01T1/026 , G05B19/0428 , G05B2219/2604 , G05B2219/2656
Abstract: 本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。
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