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公开(公告)号：CN112214952A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011125363.X
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
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公开(公告)号：CN114755550A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210408396.8
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法，该方法设计装置是由静电试验平台、样品测试版、脉冲发生器、高压电源、示波器和计算机组成，在一定时间内一定温度条件下利用示波器上的高压探头准确快速地测量碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应时间，测量时需在晶体管的栅极与脉冲发生器连接；然后由脉冲发生器发出预先设定周期，脉冲宽度，高位电压，低位电压的信号，再依据MIL‑STD‑750/3472标准测量器件开关时间的参数，通过计算机对辐照前后测试得到的晶体管开关响应进行比对，生成辐照引起开关响应的退化差值，再设定合理的预值，如果退化差值大于预值则会根据实验积累的数据快速判断器件开关响应的异常情况。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。
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公开(公告)号：CN108037438A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711329107.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN117368678A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311271354.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、转接座、导通测试模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的测试软件，设定的电压测试，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管导通特性数据，再经过优化拟合为随温度变化的导通特性曲线；再将鼓风干燥箱、样品测试版放在钴60伽马射线辐照室内，得到高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性曲线，对辐照前后测试得到的晶体管导通特性曲线进行比对，快速判断是否会对器件的导通性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的导通损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。
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公开(公告)号：CN117310428A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311271744.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别不同温度辐照环境下碳化硅功率晶体管损伤的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、源测量单元模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的扫描软件，设定的电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管转移特性数据，再经过优化拟合为转移特性曲线；再将所得转移特性曲线进行绝对值限定，得到更为直观的转移特性曲线，然后对转移特性曲线通过对数坐标的算法运算，对辐照前后测试得到的晶体管转移特性曲线进行比对，生成亚阈值区域产生的漂移量，再设定预值的合理范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114169194A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111409788.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果与试验结果对比，修正辐射效应模型参数和氧化层材料参数，使仿真结果最大程度与辐照试验结果拟合，获得器件电离总剂量辐照后基本电学特性和物理参数。本发明可准确揭示多栅鳍式场效应晶体管总剂量效应的损伤机制。
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公开(公告)号：CN108037438B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711329107.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN103926518A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410172916.5
申请日：2014-04-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，利用附加栅电极半导体工艺，在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极常规特性，又使的器件具有MOS管特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势，本发明所述的方法中使用附加栅电极特殊结构的双极栅控纵向NPN晶体管，能够对双极纵向NPN晶体管的电离辐射损伤进行测试，能够定量揭示和分离双极纵向NPN双极晶体管在遭受到电离辐射后感生的氧化物电荷和界面态数目。
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公开(公告)号：CN117910404A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410097689.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及一种总剂量条件下GaN HEMT器件栅可靠性仿真方法，该方法基于器件几何结构和工艺参数，构建GaN HEMT器件二维仿真结构；基于计算机辅助设计仿真器中的电学特性计算工具，设置电学特性仿真计算的模型，计算仿真器件的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合；基于总剂量效应下GaN HEMT器件辐射损伤的关键物理过程，通过在敏感区域P‑GaN/AlGaN/GaN界面处添加总剂量效应的辐射损伤模型，计算仿真总剂量条件下的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正总剂量效应模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合。该方法可准确定位总剂量效应敏感区域，揭示辐射损伤机制，并可应用至器件研制过程中，减少迭代次数，降低器件研制成本。
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公开(公告)号：CN112214952B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011125363.X
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
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