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公开(公告)号：CN114169194A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111409788.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果与试验结果对比，修正辐射效应模型参数和氧化层材料参数，使仿真结果最大程度与辐照试验结果拟合，获得器件电离总剂量辐照后基本电学特性和物理参数。本发明可准确揭示多栅鳍式场效应晶体管总剂量效应的损伤机制。
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