公开(公告)号：CN114755550A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210408396.8

申请日：2022-04-19

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 余学峰 ,  蒲晓娟 ,  冯皓楠 ,  魏莹 ,  冯婕 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种用于总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法，该方法设计装置是由静电试验平台、样品测试版、脉冲发生器、高压电源、示波器和计算机组成，在一定时间内一定温度条件下利用示波器上的高压探头准确快速地测量碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应时间，测量时需在晶体管的栅极与脉冲发生器连接；然后由脉冲发生器发出预先设定周期，脉冲宽度，高位电压，低位电压的信号，再依据MIL‑STD‑750/3472标准测量器件开关时间的参数，通过计算机对辐照前后测试得到的晶体管开关响应进行比对，生成辐照引起开关响应的退化差值，再设定合理的预值，如果退化差值大于预值则会根据实验积累的数据快速判断器件开关响应的异常情况。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。

公开(公告)号：CN113917304A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111180529.2

申请日：2021-10-11

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 余学峰 ,  冯皓楠 ,  崔江维 ,  冯婕 ,  张丹 ,  梁晓雯 ,  杨圣 ,  蒲晓娟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运算拟合成为晶体管寄生电容曲线，对辐照前后测试得到的碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容曲线进行比对，自动生成米勒平台区域产生的差值，再设定合理的预值范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的开关性能产生严重影响。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。

公开(公告)号：CN113917304B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202111180529.2

申请日：2021-10-11

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 余学峰 ,  冯皓楠 ,  崔江维 ,  冯婕 ,  张丹 ,  梁晓雯 ,  杨圣 ,  蒲晓娟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运算拟合成为晶体管寄生电容曲线，对辐照前后测试得到的碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容曲线进行比对，自动生成米勒平台区域产生的差值，再设定合理的预值范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的开关性能产生严重影响。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。

公开(公告)号：CN117368678A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311271354.5

申请日：2023-09-28

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 李豫东 ,  冯皓楠 ,  冯婕 ,  蒲晓娟 ,  魏莹 ,  孙静 ,  梁晓雯 ,  张丹 ,  余学峰 ,  郭旗

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、转接座、导通测试模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的测试软件，设定的电压测试，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管导通特性数据，再经过优化拟合为随温度变化的导通特性曲线；再将鼓风干燥箱、样品测试版放在钴60伽马射线辐照室内，得到高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性曲线，对辐照前后测试得到的晶体管导通特性曲线进行比对，快速判断是否会对器件的导通性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的导通损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。

公开(公告)号：CN117310428A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311271744.2

申请日：2023-09-28

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 冯婕 ,  冯皓楠 ,  蒲晓娟 ,  魏莹 ,  孙静 ,  梁晓雯 ,  张丹 ,  余学峰 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别不同温度辐照环境下碳化硅功率晶体管损伤的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、源测量单元模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的扫描软件，设定的电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管转移特性数据，再经过优化拟合为转移特性曲线；再将所得转移特性曲线进行绝对值限定，得到更为直观的转移特性曲线，然后对转移特性曲线通过对数坐标的算法运算，对辐照前后测试得到的晶体管转移特性曲线进行比对，生成亚阈值区域产生的漂移量，再设定预值的合理范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。