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公开(公告)号：CN108417627A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810140968.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及材料领域技术领域，具体为一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，步骤包括：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。本发明方法能有效提高异质结中的组分均匀性并改善应力场分布，大幅提高异质结晶体质量，最终提升高频微波器件性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN108718030B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108718030A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的 氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在 氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108336642A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810140969.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: H01S5/0421 , H01S5/32
Abstract: 本发明提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN119698023A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311211568.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III‑V族半导体的外延结构、其生长方法及应用。所述外延结构包括沿指定方向依次层叠设置的衬底、中间层、刻蚀停止层、沟道层以及势垒层；其中沟道层和势垒层组成异质结，V族极性面朝向刻蚀停止层；刻蚀停止层包括周期性层叠的第一和第二亚层，当进行刻蚀时，第一亚层的刻蚀速率高于第二亚层。本发明所提供的外延结构采用多层叠层结构作为刻蚀停止层，提高了第二亚层的等效总厚度，且避免了单独较厚的第二亚层的裂纹等缺陷，不仅可以根据需要实现一定厚度的有源层结构，而且可以有效降低界面粗糙度及界面态密度，能够获得载流子密度高、迁移率高的稳定均一高质量的III族极性异质结器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117080262A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210490618.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管结构及其制作方法与应用。所述晶体管结构包括外延结构以及与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括异质结，所述异质结内形成有载流子沟道，所述载流子沟道分布于被栅极在外延结构上的正投影所覆盖的区域内；其中，所述外延结构还包括重掺杂区和高阻区，所述重掺杂区设置在异质结上且与载流子沟道形成欧姆接触，所述源极、漏极均与重掺杂区形成欧姆接触，并且源极与栅极之间和漏极与栅极之间均被高阻区分隔。本发明利用重掺杂区和高阻区形成的复合层作为栅极支撑层，实现了短沟道、近全栅控、几乎无接入区串联电阻、低寄生效应的高电子迁移率晶体管结构，器件膝点电压低、线性度高、频率特性好、输出效率高。
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公开(公告)号：CN116190412A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111435394.X
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/367 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管的器件结构及其制作方法。所述器件结构包括外延结构以及与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极；其中，所述外延结构内分布有漏极接触区和源极接触区，同时所述外延结构内还形成有孔道，所述孔道自所述外延结构的第二面延伸至所述源极接触区，所述漏极和栅极均设置在所述外延结构的第一面上，所述漏极与所述漏极接触区电性接触，所述源极穿入所述孔道后与所述源极接触区电性接触，所述第一面与第二面相背对。本发明中的高电子迁移率晶体管的器件结构，导通电阻和寄生串扰电容小、散热性好。
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公开(公告)号：CN110034186B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201810031021.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及其制作方法。所述HEMT包括分别作为沟道层、势垒层的第一、第二半导体，作为p型层的第三半导体，源极、漏极以及栅极等；其中势垒层上对应于栅极的区域内形成有凹槽结构，其与第三半导体及栅极配合形成p型栅，并且第二半导体包括依次设置于第一半导体上的第一、第二结构层；相对于选定刻蚀试剂，第一结构层较之第二结构层具有更高耐刻蚀性能。本发明的HEMT结构可被更为精确地调控，同时还具有更佳器件性能，如正向栅极漏电和栅阈值电压摆幅被显著改善，器件阈值电压的片内均匀性可以得到保证，同时其更易于制作，适用于规模生产。
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公开(公告)号：CN110085707A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810074110.0
申请日：2018-01-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体隧道结及其制备方法与应用。所述氮化物半导体隧道结的制备方法包括：形成包含p型氮化物层和n型氮化物层的隧道结；至少使所述p型氮化物层的局部区域暴露在外；对所述隧道结进行热处理，使所述p型氮化物层内至少部分的H逃逸出。藉由本发明的方法，可以有效提高隧道结中p型材料中掺杂元素的激活效率，降低隧道结的串联电阻，提升隧道结的隧穿几率，当将此类隧道结应用于发光二极管、超辐射发光二极管、激光器等半导体器件时，可以大幅减小器件的串联电阻，有效提升器件的输出功率和可靠性。
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