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公开(公告)号：CN113437198A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
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公开(公告)号：CN113776026A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110964612.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开一种发光装置，包括框体、光源组件以及气凝胶层，所述框体具有一侧开口的安装腔，所述光源组件设于所述安装腔，所述光源组件用于发出光线，所述气凝胶层设于所述安装腔且位于所述光源组件的发光侧，其中，所述光线入射所述气凝胶层以使所述气凝胶层呈现预设颜色。本发明提供的发光装置，通过在所述光源组件的发光侧设置所述气凝胶层，所述光源组件发出的光线经过所述气凝胶层中的孔洞会发生瑞利散射，从而使所述气凝胶层呈现蓝色，通过模拟蓝天形成的过程呈现出蓝天效果，所述气凝胶层内部孔洞分布均匀，提高所述气凝胶层上呈现蓝色的均匀性，模拟蓝天的效果好；且所述气凝胶层性质稳定，利于发光装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113517375A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110324699.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 佛山中国科学院产业技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开一种III‑V族氮化物半导体基板的制备方法，包括：步骤一：样品的制备，在衬底的第一表面上生长形成缓冲层；在所述缓冲层上生长III‑V族氮化物半导体材料层；步骤二：样品的电化学腐蚀，将样品和惰性金属放入电解质溶液中，并将所述衬底的第二表面连接电源正极，将电源负极连接惰性金属，通电进行电化学腐蚀，所述衬底和所述缓冲层之间被腐蚀分离，得到III‑V族氮化物半导体基板。本发明技术方案通过在衬底与缓冲层之间形成异质结，界面处会形成高导电层，电化学腐蚀会从此高导电层开始腐蚀，从而将III‑V族氮化物半导体材料层和衬底进行剥离，这种剥离方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN112331552A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011333728.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开了一种准分子灯，包括透光容器、至少一对电极和具有滤波功能的介质膜层，所述透光容器内封装有放电用气体，所述至少一对电极之间能够形成使放电用气体发生电离的电场，介质膜层设置于透光容器的外表面。本发明通过在准分子灯高电场区外侧增加带有滤波功能的介质膜，使得准分子灯具有单色性好、输出功率高、稳定性和可靠性好等优点，有助于拓宽准分子灯的应用领域。
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公开(公告)号：CN108417627A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810140968.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及材料领域技术领域，具体为一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，步骤包括：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。本发明方法能有效提高异质结中的组分均匀性并改善应力场分布，大幅提高异质结晶体质量，最终提升高频微波器件性能与可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108718030B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108718030A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的 氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在 氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108336642A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810140969.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: H01S5/0421 , H01S5/32
Abstract: 本发明提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN113437198B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
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公开(公告)号：CN119384011A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310913119.7
申请日：2023-07-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种FinFET结构及其制作方法和应用。FinFET结构包括：异质结，其包括沟道层和势垒层，沟道层的表面具有沿第一方向依次分布的源区、栅区和漏区，栅区包括沿第二方向间隔分布的多个选定区域，多个选定区域上叠设有势垒层，以形成多个鳍状结构；第一欧姆接触层，其叠设在沟道层表面的源区上；第二欧姆接触层，其叠设在沟道层表面的漏区上；以及，源极、漏极和栅极，栅极至少连续叠设在多个鳍状结构的顶端面和侧壁上；源极设置在第一欧姆接触层上，漏极设置在第二欧姆接触层上。本发明采用薄势垒异质结外延结构，并借助二次外延生长欧姆接触层，制备近全栅控短沟道器件，可同时实现低膝点电压与增强型工作模式，从而满足射频前端PA应用场景。
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