-
公开(公告)号：CN117878145A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410084715.3
申请日：2024-01-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/308 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法。射频器件包括外延结构以及与所述外延结构匹配的源极、漏极、支撑层和栅极，所述栅极沿第二方向设置在所述源极、所述漏极之间，所述支撑层沿第一方向层叠设置在所述外延结构上，所述栅极包括栅帽和栅根，所述栅帽沿所述第一方向层叠设置在所述支撑层上，所述栅根设置在所述外延结构上且沿第二方向设置在所述支撑层的一侧，所述栅根还与所述栅帽连接并形成Γ型结构，所述第一方向和所述第二方向垂直。本发明降低了栅结构制备对设备的要求，通过沉积‑刻蚀制备极短栅极，完全不需要电子束光刻技术，国产设备即可满足生产需求。
-
公开(公告)号：CN115440593A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211177141.1
申请日：2022-09-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种HEMT器件的制作方法，包括：提供GaN层和AlGaN层构成的异质结；刻蚀AlGaN层和GaN层，并在刻蚀区域分别定义出源区和漏区；采用等离子体对源区和漏区暴露的表面进行处理；采用湿法腐蚀对源区和漏区暴露的表面进行处理；在源区和漏区分别制作n+GaN层；在n+GaN层上制作欧姆接触。本发明使用了干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法，通过使用等离子体处理侧壁，之后使用化药进行腐蚀，达到原子级别的清洁度和低粗糙度，从而减少侧壁的损伤，得到极低的接触电阻。
-
公开(公告)号：CN119767716A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411860602.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体射频器件及其栅极的制备方法。半导体射频器件栅极的制备方法包括：在外延结构上形成支撑层，并在所述支撑层上形成栅帽金属层；在所述外延结构和/或所述支撑层、所述栅帽金属层的表面形成厚度均匀且连续的栅根金属层；对所述栅根金属层进行刻蚀，且至少使覆盖所述栅帽金属层侧壁或者覆盖所述栅帽金属层侧壁/所述支撑层侧壁的栅根金属层被保留，并作为栅根，所述栅根与所述栅帽金属层配合形成栅极。本发明通过沉积栅极金属薄膜/刻蚀栅极金属薄膜来定义栅极长度，实验结果表明，30nm‑300nm的栅长均可通过本发明的方案实现稳定制备。
-
公开(公告)号：CN114967345A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110203245.4
申请日：2021-02-23
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于多孔吸附装置上的样品承载结构，包括载板，载板包括彼此相对的承载面和结合面，承载面上设置有第一凹槽，第一凹槽的外侧设置有第一吸孔，结合面上设置有第二凹槽，第二凹槽与第一吸孔相互连通；其中，第二凹槽用于覆盖多孔吸附装置的多个吸附孔，第一凹槽在样品上的正投影至少覆盖样品的处理区域，第一吸孔用于吸附样品的非处理区域的至少部分。本发明解决了现有的具有多孔吸附孔的涂胶机和曝光机无法正常吸附具有多个通孔的样品的问题和在同一工艺步骤中双面涂胶曝光的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117878145B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410084715.3
申请日：2024-01-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10D64/27 , H10D30/47 , H10D30/01 , H01L21/308 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法。射频器件包括外延结构以及与所述外延结构匹配的源极、漏极、支撑层和栅极，所述栅极沿第二方向设置在所述源极、所述漏极之间，所述支撑层沿第一方向层叠设置在所述外延结构上，所述栅极包括栅帽和栅根，所述栅帽沿所述第一方向层叠设置在所述支撑层上，所述栅根设置在所述外延结构上且沿第二方向设置在所述支撑层的一侧，所述栅根还与所述栅帽连接并形成Γ型结构，所述第一方向和所述第二方向垂直。本发明降低了栅结构制备对设备的要求，通过沉积‑刻蚀制备极短栅极，完全不需要电子束光刻技术，国产设备即可满足生产需求。
-
公开(公告)号：CN117220631A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210627318.7
申请日：2022-06-02
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于声学反射结构的体声波谐振器及其制备方法。所述体声波谐振器包括：谐振腔以及依次叠层设置在谐振腔上的第一电极、压电层和第二电极，所述第一电极、压电层和第二电极中的至少一者的边缘部设置有声学反射结构，所述声学反射结构包括设置在所述边缘部的至少一个凸起部和/或至少一个凹下部，所述凸起部沿第一方向凸伸，所述凹下部沿第二方向凹陷，所述第一方向平行于所述压电层的膜平面，且所述第一方向逐渐远离所述边缘部的方向，所述第二方向与第一方向相反。本发明实施例提供的一种边缘部设有三角形或弧形等形状的声学反射结构的体声波谐振器，可以有效减少器件中的寄生模式干扰。
-
公开(公告)号：CN116482941A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310448675.1
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种光刻载片托盘以及其制作方法，光刻载片托盘包括托盘本体以及具有弹性形变的限位件；托盘本体上设置有容纳载片的容置槽；限位件设置于所述托盘本体上且部分延伸至所述容置槽内，所述限位件能提供垂直于所述容置槽深度方向上或者沿所述容置槽深度方向上的抵持力，以对所述容置槽内的载片进行限位。本发明的光刻载片托盘能够对放置于其上的样品实现准确限位，以实现小尺寸样品的高精度、对准光刻工艺，同时提高现有光刻机对样品尺寸的兼容性。
-
公开(公告)号：CN119767717A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411861716.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法及其应用。半导体射频器件的制备方法包括：采用所述的栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法在外延片上形成定义栅源、栅漏、短栅长的支撑结构，以及，制作与外延片匹配的源极、漏极和栅极，所述源极、所述漏极分别位于所述支撑结构的两侧，所述栅极位于所述支撑结构上。本发明实施例提供的一种全自对准方法，工作流程简单，仅需通过光刻、镀膜等工艺形成的支撑结构即可准确实现源、栅、漏全自对准。
-
公开(公告)号：CN118016531A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410166616.X
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/02 , H01L29/778 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用。该方法包括：提供异质结，异质结包括沟道层和势垒层，沟道层的表面包括第一区域和与第一区域邻接的第二区域，势垒层层叠设置在沟道层的第一区域，势垒层和沟道层之间形成有载流子沟道；在势垒层的表面形成第一掩膜、在第一掩膜的表面形成具有晶格择优取向的第二掩膜，第二掩膜能够使外延生长含Ga合金化合物所需的前驱体成核生长；同步在沟道层的第二区域、第二掩膜层上外延生长含Ga合金化合物。本发明避免了生长过程中Ga原子和N原子的迁移导致的不同面积窗口生长的含Ga合金化合物厚度不均匀的问题以及表面粗糙度大的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.045 seconds)
