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公开(公告)号:CN113517375A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202110324699.7
申请日:2021-03-25
Applicant: 佛山中国科学院产业技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开一种III‑V族氮化物半导体基板的制备方法,包括:步骤一:样品的制备,在衬底的第一表面上生长形成缓冲层;在所述缓冲层上生长III‑V族氮化物半导体材料层;步骤二:样品的电化学腐蚀,将样品和惰性金属放入电解质溶液中,并将所述衬底的第二表面连接电源正极,将电源负极连接惰性金属,通电进行电化学腐蚀,所述衬底和所述缓冲层之间被腐蚀分离,得到III‑V族氮化物半导体基板。本发明技术方案通过在衬底与缓冲层之间形成异质结,界面处会形成高导电层,电化学腐蚀会从此高导电层开始腐蚀,从而将III‑V族氮化物半导体材料层和衬底进行剥离,这种剥离方法具有工艺简单、成本低等优点,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN213656390U
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202022144994.8
申请日:2020-09-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
IPC: F21S4/24 , F21V19/00 , F21V23/00 , F21Y115/10
Abstract: 本实用新型涉及一种可做任意长度的柔性灯丝带,包括柔性基带、柔性发光单元、荧光封胶表层,荧光封胶表层用于封装柔性基带的表面;柔性基带上设置有多个柔性发光单元,柔性发光单元的两侧均连接有电连接片,电连接片位于柔性基带的边缘且垂直于柔性基带的长度方向。柔性灯丝带可实现不限长度不间断制备,灯丝带中所有发光单元并联连接,可根据实际需求在合适单元处裁切,实现单根连续发光灯丝,提高生产效率,使用更具灵活性。
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