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公开(公告)号：CN118393247A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410435726.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00 , G01R31/26 , G01D21/02 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征方法，包括：确定航天器用抗辐照VDMOS产品电特性参数及测试条件；确定航天器用抗辐照VDMOS产品抗辐照特性参数及条件；确定航天器用抗辐照VDMOS产品可靠性指标；确定航天器用抗辐照VDMOS产品外形尺寸参数及重量；根据确定出的电特性参数及测试条件、抗辐照特性参数及条件、可靠性指标、外形尺寸参数及重量，形成航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征表单。该表征方法可有效应用于新研制的VDMOS的研制、鉴定检验、应用验证以及工程应用等阶段。
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公开(公告)号：CN114548026B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202111404836.4
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/398 , G06F30/3947
Abstract: 一种用于多阱嵌套CMOS工艺版图级漏电自动检查方法，通过对多阱嵌套CMOS工艺下阱间寄生产生机理，在传统CMOS BSIM 3V3仿真四端口模型的基础上，增加阱间寄生效应建模的两端口，同时改进了成熟EDA设计检查规则，可实现对多阱嵌套工艺版图的阱间寄生效应进行自动排查，可有效对版图进行全局漏电识别，操作简便、自动化程度高、评测效率高，减少了因阱间漏电导致的再流片周期和成本损失，提高了评测可操作性和裸片可靠性。
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公开(公告)号：CN117852808A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311776055.7
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06Q10/0631 , G06Q10/0635 , G06Q10/0639 , G06Q30/0201 , G06F16/25 , G06F16/242 , G06Q50/04
Abstract: 本发明公开了一种基于风险模型的COTS元器件快速选型方法，包括：建立COTS元器件选型风险指标体系；建立COTS元器件快速选型风险模型，定义模型中涉及的各类风险，明确风险量化计算方法，采用平均加权法进一步融合计算COTS选型综合风险；基于所建立的COTS元器件选型风险指标体系，利用建立的COTS元器件风险模型，计算形成COTS元器件选型风险数据库；根据应用场景和任务类型，设定COTS元器件选用风险容忍阈值，比对计算所得选用风险和用户风险可接受程度，给出COTS元器件选型风险分析结果及选型建议。本发明解决了COTS元器件选型风险量化、高效选型分析问题。
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公开(公告)号：CN114266178A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111537342.3
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/23 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种功率器件健康状态评估方法和系统，以功率器件的健康状态为研究对象，采用仿真产生数据解决样本匮乏问题，采用神经网络算法解决复杂工况下状态快速准确评估问题，利用训练后的神经网络，可以对器件实测数据快速给出功率器件健康状态结论，也可以分析实际变工况下器件的退化程度和退化位置，解决了传统试验样件内部结构退化制样困难、健康状态评估中数据样本小等问题，为客观评价功率器件健康状态提供了一种量化评估方法。
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公开(公告)号：CN115032474B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111663314.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 一种新型抗辐射DC/DC变换器特性表征方法，面向新型抗辐射DC/DC变换器，面向器件研制和应用开展新设计、新工艺、新材料、新结构、新应用环境或者新工作偏差条件的分析，建立了覆盖绝对最大额定值、静态参数、动态参数、应用特性参数、特性曲线、抗辐射特性、可靠性指标、外形尺寸等特性的表征流程及方法，该方面可有效应用于新研制的抗辐射DC/DC变换器的研制、鉴定检验、应用验证以及工程应用等阶段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115032474A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111663314.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 一种新型抗辐射DC/DC变换器特性表征方法，面向新型抗辐射DC/DC变换器，面向器件研制和应用开展新设计、新工艺、新材料、新结构、新应用环境或者新工作偏差条件的分析，建立了覆盖绝对最大额定值、静态参数、动态参数、应用特性参数、特性曲线、抗辐射特性、可靠性指标、外形尺寸等特性的表征流程及方法，该方面可有效应用于新研制的抗辐射DC/DC变换器的研制、鉴定检验、应用验证以及工程应用等阶段。
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公开(公告)号：CN114548026A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111404836.4
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/398 , G06F30/3947
Abstract: 一种用于多阱嵌套CMOS工艺版图级漏电自动检查方法，通过对多阱嵌套CMOS工艺下阱间寄生产生机理，在传统CMOS BSIM 3V3仿真四端口模型的基础上，增加阱间寄生效应建模的两端口，同时改进了成熟EDA设计检查规则，可实现对多阱嵌套工艺版图的阱间寄生效应进行自动排查，可有效对版图进行全局漏电识别，操作简便、自动化程度高、评测效率高，减少了因阱间漏电导致的再流片周期和成本损失，提高了评测可操作性和裸片可靠性。
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公开(公告)号：CN118626769A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410820294.6
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F17/18 , G06F30/398 , G06F119/06
Abstract: 本发明涉及一种基于双样本差值检验的元器件指标优效性的量化方法：S1、计算元器件指标SN与目标产品指标SI样本的均值和方差；步骤2：计算自由度df数值，并向上取整。根据取整之后的自由度#imgabs0#给定置信度要求α查t分布表，得到分布值t0；步骤3：构造元器件指标优效性统计量T；步骤4：设置元器件指标优效性ΔS；步骤5：将元器件指标优效性ΔS、元器件指标SN与目标产品指标SI样本的均值和方差，代入元器件指标优效性统计量T，计算统计量T；步骤6：判断当前元器件指标优效性ΔS计算得到的元器件指标优效性统计量T是否大于等于分布值t0，如果小于t0，则调整元器件指标优效性ΔS，重复步骤5和步骤6；否则，将当前设置的元器件指标优效性ΔS确定为最终的元器件指标优效性。
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公开(公告)号：CN115565591A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211188640.0
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 一种存储器在轨智能故障判别系统及方法，通过包括数据处理和总控模块、数据刷新电路、数据存储单元、采集电流ADC电路、信号采集运算放大器、温度传感器、精密电阻的故障判别系统，采集被测存储器电流参数及被测存储器温度参数，进行滤波处理及滤波后故障识别与分析，对识别后故障判别结果进行存储用于故障分析，对数据处理和总控模块进行定时刷新，完成故障判别的完整流程。
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