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公开(公告)号：CN114818415B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210333444.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/23 , H01L21/67 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 一种SiP工艺可靠性评估试验载体的特性表征方法，通过PFMECA分析SiP产品的关键工艺，根据风险要素分析关键结构，从而确定试验载体的需要包含的工艺域，再基于失效物理方法或定性分析方法确定试验载体的特性表征参数数值，能够通过制造用于验证SiP生产工艺的试验载体，代替用于考核验证的SiP样品，以减少生产远大于需求量的SiP样品的花费，从而降低SiP产品的成本。
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公开(公告)号：CN115032474B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111663314.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 一种新型抗辐射DC/DC变换器特性表征方法，面向新型抗辐射DC/DC变换器，面向器件研制和应用开展新设计、新工艺、新材料、新结构、新应用环境或者新工作偏差条件的分析，建立了覆盖绝对最大额定值、静态参数、动态参数、应用特性参数、特性曲线、抗辐射特性、可靠性指标、外形尺寸等特性的表征流程及方法，该方面可有效应用于新研制的抗辐射DC/DC变换器的研制、鉴定检验、应用验证以及工程应用等阶段。
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公开(公告)号：CN114218758B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111404835.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 一种用于形式验证的宇航通用门级逻辑建模方法，对宇航级大规模集成电路的抗辐射加固逻辑门电路进行抗辐射冗余特点分析和建模，可基于该模型对宇航级大规模集成电路进行基于形式验证的安全属性评测和逻辑完备性检查，解决了空间辐射环境和航天器高可靠应用条件下的宇航大规模集成电路安全属性评测难题，操作简便、自动化程度高、评测效率高，减少了评测的操作环节，提高了评测的可操作性。
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公开(公告)号：CN109840310B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201910030323.8
申请日：2019-01-14
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F17/18
Abstract: 一种航天器用三维集成系统级组件寿命综合评价方法包括如下步骤：步骤1：考虑环境波动及工艺偏差，抽样获取m×n个三维集成系统级组件失效物理寿命；步骤2：利用失效物理寿命数据，计算三维集成系统级组件寿命分布参数及其超参数；步骤3：利用三维集成系统级组件的失效物理评价方法，结合工艺偏差、使用环境波动，基于蒙特卡洛方法，可得到航天器用三维集成系统级组件的寿命分布以及分布参数的先验分布。考虑有失效数据及无失效数据，利用贝叶斯方法，评价三维集成系统级组件的综合寿命。该方法利用了失效物理评价方法，并考虑了失效数据及无失效数据，相较于传统的可靠性预计方法，其寿命综合评价结果具有更高的可信度。
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公开(公告)号：CN115032474A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111663314.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 一种新型抗辐射DC/DC变换器特性表征方法，面向新型抗辐射DC/DC变换器，面向器件研制和应用开展新设计、新工艺、新材料、新结构、新应用环境或者新工作偏差条件的分析，建立了覆盖绝对最大额定值、静态参数、动态参数、应用特性参数、特性曲线、抗辐射特性、可靠性指标、外形尺寸等特性的表征流程及方法，该方面可有效应用于新研制的抗辐射DC/DC变换器的研制、鉴定检验、应用验证以及工程应用等阶段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118626769A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410820294.6
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F17/18 , G06F30/398 , G06F119/06
Abstract: 本发明涉及一种基于双样本差值检验的元器件指标优效性的量化方法：S1、计算元器件指标SN与目标产品指标SI样本的均值和方差；步骤2：计算自由度df数值，并向上取整。根据取整之后的自由度#imgabs0#给定置信度要求α查t分布表，得到分布值t0；步骤3：构造元器件指标优效性统计量T；步骤4：设置元器件指标优效性ΔS；步骤5：将元器件指标优效性ΔS、元器件指标SN与目标产品指标SI样本的均值和方差，代入元器件指标优效性统计量T，计算统计量T；步骤6：判断当前元器件指标优效性ΔS计算得到的元器件指标优效性统计量T是否大于等于分布值t0，如果小于t0，则调整元器件指标优效性ΔS，重复步骤5和步骤6；否则，将当前设置的元器件指标优效性ΔS确定为最终的元器件指标优效性。
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公开(公告)号：CN108492846B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810129656.1
申请日：2018-02-08
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于宇航应用的PROM评价方法，所述方法包括如下步骤：步骤一：对元器件级进行评价；其中，元器件级评价包括存储单元评价、存储单元‑存储关联特性评价和元器件级功能性能分析；步骤二：对板级进行评价；其中，板级评价包括基本功能验证、端口时序验证、电源拉偏测试、上下电测试和与CPU匹配测试；步骤三：对编程器进行评价；其中，编程器评价包括编程器输出稳定性分析和编程后电阻一致性分析。本发明能够全面的对PROM器件进行评价，对于PROM的评价具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118393247A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410435726.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00 , G01R31/26 , G01D21/02 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征方法，包括：确定航天器用抗辐照VDMOS产品电特性参数及测试条件；确定航天器用抗辐照VDMOS产品抗辐照特性参数及条件；确定航天器用抗辐照VDMOS产品可靠性指标；确定航天器用抗辐照VDMOS产品外形尺寸参数及重量；根据确定出的电特性参数及测试条件、抗辐照特性参数及条件、可靠性指标、外形尺寸参数及重量，形成航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征表单。该表征方法可有效应用于新研制的VDMOS的研制、鉴定检验、应用验证以及工程应用等阶段。
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公开(公告)号：CN116796694A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310184810.6
申请日：2023-03-01
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/398 , G01R31/26 , G06F18/22 , G06F18/25 , G06F111/10 , G06F119/02 , G06F115/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于多源数据融合的SiP器件寿命试验抽样优化方法，包含以下步骤：步骤一：SiP产品试验剖面等效；步骤二：SiP产品结构相似度评价；步骤三：基于蒙特卡洛仿真的历史数据融合；步骤四：基于Bayes原理的历史试验数据融合；步骤五：建立基于SiP产品可靠度的抽样方案设计模型；步骤六：抽样方案设计。本方法基于Bayes数据融合理论及LTPD抽样理论，针对SiP产品批量不足以支持进行鉴定及质量一致性检验要求试验的问题，对SiP产品进行结构相似性分析及数据融合方法研究，并建立基于SiP器件可靠度的抽样模型，结合相似性分析及数据融合制定适合于SiP器件的抽样方法，达到降低抽样样本量的目的。此方法属于SiP器件抽样优化方法研究技术领域。
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