航空发动机测温用单质型铂钨薄膜热电偶的制备方法

    公开(公告)号:CN117947391A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311611432.1

    申请日:2023-11-29

    Abstract: 本发明涉及航空发动机测温用单质型铂钨薄膜热电偶的制备方法,在金属工件表面制备铂钨热电偶的方法,所制备的铂钨薄膜热电偶仅通过氧化铝绝缘层与金属工件连接,并在铂钨薄膜热电偶表面沉积氧化铝保护层。其中钨薄膜热电臂与铂薄膜热电臂均有三层结构组成,从下到上依次为晶态薄膜、非晶态薄膜和晶态薄膜,其中钨晶态薄膜呈现111晶面择优取向,铂晶态薄膜呈现001晶面择优取向。对航空发动机热端部件在高温、高压等恶劣工作环境中实现高精度动态测温属于国际难题。而薄膜热电偶可以直接沉积在被测元器件表面,能够实时、准确的获取被测位置点及环境的温度。

    制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟薄膜热电偶的方法

    公开(公告)号:CN113174568B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202110423427.2

    申请日:2021-04-20

    Abstract: 本发明涉及制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟薄膜热电偶的方法,所述金属表面为曲面,包括如下步骤:步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)结合涂层;步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶;步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理;步骤4、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备保护层。本发明的薄膜热电偶以牢固的结合涂层为沉积界面,与高温合金叶片的过渡界面较少,应力界面少,不容易脱落,且厚度薄,测温精度高。同时,能够在未抛光的结合涂层曲面上,克服应力,突破传统平面基底的限制,制备具有晶面择优取向的薄膜热电偶,使得薄膜热电偶具有较高的稳定性。

    一种单晶石墨烯的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119913606A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510021033.2

    申请日:2025-01-07

    Abstract: 本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法,步骤中将所述金属箔片置于石墨烯生长容器中,将所述石墨烯生长容器置于气氛加热炉中;所述石墨烯生长容器为密闭容器,且开有进气孔和出气孔,所述气氛加热炉中的气氛能够通过进气孔和出气孔流经所述石墨烯生长容器的内腔;所述进气孔的总开孔面积和出气孔的总开孔面积均为0.0075mm2~0.19mm2;本发明使用多晶铜箔即可制备大尺寸单晶石墨烯,避免了单晶铜箔昂贵的问题。铜箔使用酒精简单擦拭后即可用于实验,避免了超声清洗、酸洗、电解抛光等繁琐步骤。氧化和形成密闭空间步骤操作简单、重复性好,可稳定的生长单晶石墨烯,易于进行大规模生产。

    涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法

    公开(公告)号:CN118957513A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410950414.4

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明提供涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法,包括将所述涡轮叶片试验件置于真空环境中,并对所述试验件的叶背区域进行离子刻蚀;离子刻蚀后保持真空环境,并对所述叶背区域进行第一层的磁控溅射沉积;磁控溅射的靶材材质为氧化铝;溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境;分五次进行溅射及退火处理,逐次形成第二层到第六层的氧化铝,从大气环境转移到真空环境中,并进行第七层的磁控溅射沉积;溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境。本发明过调整氧化铝薄膜沉积工艺,在无金属粘接层的条件下,在涡轮叶片表面制备与金属基底结合力强、尺寸薄、绝缘性能优异的多界面氧化铝绝缘层。

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