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公开(公告)号：CN107868098A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710892548.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C07F7/081 , C07F7/0805 , C07F7/1804 , C07F7/20
Abstract: 本发明为含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法及其组合物。目的在于提供能够由包含四氢呋喃和含不饱和键的硅烷化合物的混合物获得高纯度的含不饱和键的硅烷化合物的精制方法。使用含不饱和键的硅烷化合物的精制方法，其特征在于，对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于前述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏。Si(R1)x(R2)4-x(1)〔通式(1)中，R1分别相互独立地表示具有碳-碳不饱和键的基团。R2分别相互独立地选自氟基、碳数为1以上且10以下的直链或支链状的烷基，前述烷基任选具有氟原子和/或氧原子。x为2以上且4以下的整数。〕。
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公开(公告)号：CN102325824B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201080008736.3
申请日：2010-02-18
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C08G69/42 , C07C57/58 , C07C57/76 , C07C59/64 , C07C69/65 , C07C69/734 , C08G63/682 , C08G73/06
CPC classification number: C07C59/64 , C07C69/65 , C07C69/734 , C08G63/6826 , C08G69/42 , C08G73/06 , C08G73/1039 , C08G73/22
Abstract: 本发明提供一种高分子化合物，其通过使通式(M-1)所示的含氟二羧酸衍生物或该含氟二羧酸的酸酐与具有2～4个能够对它们的羰基部位的反应性进行应答的反应性基团的多官能化合物缩聚而得到。AOCF2C-Q-CF2COA′(M-1)[式中，Q为具有可具有取代基的芳香环的二价有机基团，A、A’表示有机基团。]该高分子具有如下特征：作为半导体的保护膜具有充分低的介电常数，并且，可在250℃以下这样比较低的温度下形成薄膜。
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公开(公告)号：CN102203057A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143621.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C303/02 , C07C211/63 , C07C309/17 , C07C313/02
CPC classification number: C07C313/04 , C07C211/05 , C07C211/07 , C07C211/63 , C07C303/02 , C07C303/22 , C07C303/44 , C07C309/17
Abstract: 本发明中，使用卤代氟烷酸酯类作为起始原料，在胺的存在下将其亚磺化(第1工序)后，通过氧化(第2工序)而获得目标烷氧基羰基氟代烷磺酸盐类。进而通过对其进行盐交换(第3工序)，从而获得作为光产酸剂有用的烷氧基羰基氟代烷磺酸鎓盐类。
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公开(公告)号：CN107868098B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710892548.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明为含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法及其组合物。目的在于提供能够由包含四氢呋喃和含不饱和键的硅烷化合物的混合物获得高纯度的含不饱和键的硅烷化合物的精制方法。使用含不饱和键的硅烷化合物的精制方法，其特征在于，对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于前述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏。Si(R1)x(R2)4‑x(1)〔通式(1)中，R1分别相互独立地表示具有碳‑碳不饱和键的基团。R2分别相互独立地选自氟基、碳数为1以上且10以下的直链或支链状的烷基，前述烷基任选具有氟原子和/或氧原子。x为2以上且4以下的整数。〕。
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公开(公告)号：CN102449000A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024220.8
申请日：2010-05-20
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C08F20/22 , C07C69/653 , C07C69/732 , C08F12/14 , C08F16/12 , C08F32/08 , G03F7/039 , G03F7/11
CPC classification number: C07C69/653 , C07C69/675 , C07C69/732 , C07C2602/42 , C07C2603/68 , C08F220/24 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本发明的含氟高分子化合物是包含通式(2)所示的重复单元(a)的、质均分子量为1,000～1,000,000的树脂。该树脂可以适用于利用300nm以下波长的高能射线或电子束来形成图案的抗蚀剂组合物、和浸没式光刻中的顶涂层组合物，其特征在于拒水性、特别是后退接触角大。(式中，R1表示含有聚合性双键的基团，R2表示氟原子或含氟烷基，R8表示取代或非取代的烷基等，W1表示单键、非取代或取代的亚甲基等。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101090903B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200680001530.1
申请日：2006-01-24
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01G11/56 , C07F5/022 , C07F9/6571 , C07F9/6578 , H01G9/038 , Y02E60/13
Abstract: 为了合成具有由通式(1)表示的化学结构式的离子金属配合物，在有机溶剂中，在作为反应助剂的含元素周期表第1、2、13或14族元素的化合物存在下，使由通式(2)表示的化合物和由通式(3)表示的化合物中至少一种与由通式(4)或通式(5)表示的含卤化合物起反应。[化学式7]
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公开(公告)号：CN113717208A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110901549.8
申请日：2017-09-27
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明为含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法及其组合物。目的在于提供能够由包含四氢呋喃和含不饱和键的硅烷化合物的混合物获得高纯度的含不饱和键的硅烷化合物的精制方法。使用含不饱和键的硅烷化合物的精制方法，其特征在于，对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于前述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏。Si(R1)x(R2)4‑x(1)〔通式(1)中，R1分别相互独立地表示具有碳‑碳不饱和键的基团。R2分别相互独立地选自氟基、碳数为1以上且10以下的直链或支链状的烷基，前述烷基任选具有氟原子和/或氧原子。x为2以上且4以下的整数。〕。
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公开(公告)号：CN102449000B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080024220.8
申请日：2010-05-20
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C08F20/22 , C07C69/653 , C07C69/732 , C08F12/14 , C08F16/12 , C08F32/08 , G03F7/039 , G03F7/11
CPC classification number: C07C69/653 , C07C69/675 , C07C69/732 , C07C2602/42 , C07C2603/68 , C08F220/24 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本发明的含氟高分子化合物是包含通式(2)所示的重复单元(a)的、质均分子量为1,000～1,000,000的树脂。该树脂可以适用于利用300nm以下波长的高能射线或电子束来形成图案的抗蚀剂组合物、和浸没式光刻中的顶涂层组合物，其特征在于拒水性、特别是后退接触角大。(式中，R1表示含有聚合性双键的基团，R2表示氟原子或含氟烷基，R8表示取代或非取代的烷基等，W1表示单键、非取代或取代的亚甲基等。)
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公开(公告)号：CN102325824A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008736.3
申请日：2010-02-18
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C08G69/42 , C07C57/58 , C07C57/76 , C07C59/64 , C07C69/65 , C07C69/734 , C08G63/682 , C08G73/06
CPC classification number: C07C59/64 , C07C69/65 , C07C69/734 , C08G63/6826 , C08G69/42 , C08G73/06 , C08G73/1039 , C08G73/22
Abstract: 本发明提供一种高分子化合物，其通过使通式(M-1)所示的含氟二羧酸衍生物或该含氟二羧酸的酸酐与具有2～4个能够对它们的羰基部位的反应性进行应答的反应性基团的多官能化合物缩聚而得到。AOCF2C-Q-CF2COA′(M-1)，式中，Q为具有可具有取代基的芳香环的二价有机基团，A、A’表示有机基团。该高分子具有如下特征：作为半导体的保护膜具有充分低的介电常数，并且，可在250℃以下这样比较低的温度下形成薄膜。
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公开(公告)号：CN101090903A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001530.1
申请日：2006-01-24
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01G11/56 , C07F5/022 , C07F9/6571 , C07F9/6578 , H01G9/038 , Y02E60/13
Abstract: 为了合成具有由通式(1)表示的化学结构式的离子金属配合物，在有机溶剂中，在作为反应助剂的含元素周期表第1、2、13或14族元素的化合物存在下，使由通式(2)表示的化合物和由通式(3)表示的化合物中至少一种与由通式(4)或通式(5)表示的含卤化合物起反应。
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