公开(公告)号：CN116300321A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211109351.7

申请日：2022-09-13

Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司

Inventor： 葛法熙 ,  姚书其 ,  施旭霞 ,  邱云峰 ,  褚顺杰 ,  候康旭 ,  姚怡鑫 ,  丰王健 ,  李忠宇

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/30

Abstract: 本申请涉及一种晶圆级封装中的负性高分子膜圆环形图案曝光开孔方法，包括以下过程：在制备好的晶圆上贴第一层负性高分子膜，电极开孔处设计一定半径的圆形图案曝光显影，烘烤固化，测量第一层膜开孔半径，按一定方法设计同心圆环状光罩图案；在上述晶圆上贴第二层负性高分子膜，基于设计好的光罩图案，使用光刻机按一定曝光剂量对准晶圆曝光；曝光后进行静置显影和动态显影一段时间，去离子水清洗甩干得到膜孔。相比常规的第二层膜圆形图案曝光开孔，本申请通过设计同心圆环图案曝光显影实现了第二层膜孔壁形貌的改变。进一步的，通过设计同心圆环的相关参数实现了第二层膜孔壁陡直度的调控。