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公开(公告)号:CN116300321A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202211109351.7
申请日:2022-09-13
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本申请涉及一种晶圆级封装中的负性高分子膜圆环形图案曝光开孔方法,包括以下过程:在制备好的晶圆上贴第一层负性高分子膜,电极开孔处设计一定半径的圆形图案曝光显影,烘烤固化,测量第一层膜开孔半径,按一定方法设计同心圆环状光罩图案;在上述晶圆上贴第二层负性高分子膜,基于设计好的光罩图案,使用光刻机按一定曝光剂量对准晶圆曝光;曝光后进行静置显影和动态显影一段时间,去离子水清洗甩干得到膜孔。相比常规的第二层膜圆形图案曝光开孔,本申请通过设计同心圆环图案曝光显影实现了第二层膜孔壁形貌的改变。进一步的,通过设计同心圆环的相关参数实现了第二层膜孔壁陡直度的调控。
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公开(公告)号:CN118826690A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202411106255.6
申请日:2024-08-13
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种多管芯堆叠式射频器件,属于压电复合材料领域,包括第一裸片和多颗滤波器裸片,所述滤波器裸片与第一裸片的正面耦合,在第一裸片与耦合面相对的反面制作信号引出,所述第一裸片包括多层异质键合衬底、功能化金属孔、晶圆级封装以及至少一个制作于第一裸片正反面的声表面波滤波器,所述功能化金属孔包含贯穿式导通孔和/或介质阻隔式射频导通孔中的至少一种,所述声表面波滤波器通过功能化金属孔进行射频信号联通。所述功能化金属孔能够实现多颗滤波器裸片、裸片两面多个薄膜型声表面波滤波器三者的电容电感串并联匹配以及性能耦合提升或隔离共存,滤波器集成度更高,损耗更小。
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公开(公告)号:CN117294276A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202311178362.5
申请日:2023-09-13
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种同时抑制横向杂散模式和间隙模式的弹性波装置,属于通信电子器件技术领域,包括压电基底和叉指换能器,所述叉指换能器设置于压电基底上,所述叉指换能器包括连接横条、连接真指、假指、两个总线电极和周期性排列的两组电极指,两组所述电极指相互咬合,所述电极指排列方向与孔径方向垂直,相邻的两个所述电极指分别通过连接横条、连接真指连接到不同的所述总线电极上,所述连接真指和与其相对的所述电极指间形成第一间隙,假指和与其相对的所述电极指间形成第二间隙。本发明技术较好地抑制了弹性波装置的横向杂散模式和间隙模式,同时改善了Q值。
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公开(公告)号:CN118829343A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202411027625.7
申请日:2024-07-30
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H10N30/85 , H10N30/092 , H10N30/00
Abstract: 本发明提供一种新型多层异质键合衬底结构,属于压电复合材料领域,包括功能衬底层和晶圆结构层,所述功能衬底层包括第一衬底层以及制作在第一衬底层表面的功能元件和器件层,晶圆结构层包括由下向上依次设置的第二衬底层、吸收层、隔离层和压电薄膜层,所述功能衬底层和晶圆结构层之间设键合层,所述晶圆结构层底面与功能衬底层正面对准并通过多种键合方式连接,所述晶圆结构层设有金属化孔,所述金属化孔两端分别设有顶部金属面板和底部面板,所述顶部金属面板置于晶圆结构层顶部,所述底部面板置于键合层底部。具有连接距离短、Q值高、可靠性好、空间集成度高的优点,以及更高的批产效率和更便捷的晶圆材料、功能元件、器件制作参数的更改。
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公开(公告)号:CN221058271U
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202322484194.4
申请日:2023-09-13
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种同时抑制横向杂散模式和间隙模式的弹性波装置,属于通信电子器件技术领域,包括压电基底和叉指换能器,所述叉指换能器设置于压电基底上,所述叉指换能器包括连接横条、连接真指、假指、两个总线电极和周期性排列的两组电极指,两组所述电极指相互咬合,所述电极指排列方向与孔径方向垂直,相邻的两个所述电极指分别通过连接横条、连接真指连接到不同的所述总线电极上,所述连接真指和与其相对的所述电极指间形成第一间隙,假指和与其相对的所述电极指间形成第二间隙。本实用新型技术较好地抑制了弹性波装置的横向杂散模式和间隙模式,同时改善了Q值。
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