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公开(公告)号：CN119483539A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411415066.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种可抑制杂散模式且具有调谐特性的弹性波装置，属于通信电子器件技术领域，包括压电基底和激励电极，所述激励电极置于压电基底上表面，所述压电基底包括复合衬底和压电薄膜，所述激励电极至少包括叉指换能器和汇流条，所述压电薄膜表面设有刻蚀窗口，所述刻蚀窗口包括T型刻蚀窗口和L型刻蚀窗口，分别构成T型结构弹性波装置和L型结构弹性波装置。刻蚀窗口通过匹配界面间声阻抗、优化电场分布和制造反射边界等方案实现了杂散模式的抑制，并且通过控制刻蚀深度能够调整目标模式的谐振频段，适用于多类型声波器件，尤其对于高性能滤波器的低插损、小纹波以及大带宽需求。
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公开(公告)号：CN110247639A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910582780.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明涉及滤波器芯片技术领域，尤其是一种射频声表面波滤波器芯片，包括由压电单晶箔和衬底构成的复合基片、在压电单晶箔表面制作的射频声表面波滤波器金属图形结构，射频声表面波滤波器金属图形结构由周期电极部分、内部连接电极和输入输出电极组成，复合基片上至少设置有一个背坑，背坑的位置对应于射频声表面波滤波器金属图形结构中的一个周期电极部分，压电单晶箔对应于背坑处的厚度为器件有源区压电层厚度设计值，背坑内设置有与压电单晶箔相连的多层介质膜，射频声表面波滤波器金属图形结构表面覆盖有多层介质层，本发明的产品成品率和器件可靠性高，通过在线选择刻蚀背坑内压电单晶箔，提升产品优品率。
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公开(公告)号：CN118829343A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411027625.7
申请日：2024-07-30
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H10N30/85 , H10N30/092 , H10N30/00
Abstract: 本发明提供一种新型多层异质键合衬底结构，属于压电复合材料领域，包括功能衬底层和晶圆结构层，所述功能衬底层包括第一衬底层以及制作在第一衬底层表面的功能元件和器件层，晶圆结构层包括由下向上依次设置的第二衬底层、吸收层、隔离层和压电薄膜层，所述功能衬底层和晶圆结构层之间设键合层，所述晶圆结构层底面与功能衬底层正面对准并通过多种键合方式连接，所述晶圆结构层设有金属化孔，所述金属化孔两端分别设有顶部金属面板和底部面板，所述顶部金属面板置于晶圆结构层顶部，所述底部面板置于键合层底部。具有连接距离短、Q值高、可靠性好、空间集成度高的优点，以及更高的批产效率和更便捷的晶圆材料、功能元件、器件制作参数的更改。
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公开(公告)号：CN109327201A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811422077.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振结构滤波器，在钽酸锂晶体或铌酸锂晶体的压电晶片表面进行隔离还原处理，在还原区上形成谐振器单元电极。利用还原的压电晶片表面消除压电晶体热释电效应对谐振器单元周期电极线条的破坏，同时，防止了晶片全表面还原处理造成的谐振器单元间电隔离的减弱。
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公开(公告)号：CN107620124A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710914435.0
申请日：2017-09-30
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明目的提供一种钽酸锂的黑化处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116300321A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211109351.7
申请日：2022-09-13
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本申请涉及一种晶圆级封装中的负性高分子膜圆环形图案曝光开孔方法，包括以下过程：在制备好的晶圆上贴第一层负性高分子膜，电极开孔处设计一定半径的圆形图案曝光显影，烘烤固化，测量第一层膜开孔半径，按一定方法设计同心圆环状光罩图案；在上述晶圆上贴第二层负性高分子膜，基于设计好的光罩图案，使用光刻机按一定曝光剂量对准晶圆曝光；曝光后进行静置显影和动态显影一段时间，去离子水清洗甩干得到膜孔。相比常规的第二层膜圆形图案曝光开孔，本申请通过设计同心圆环图案曝光显影实现了第二层膜孔壁形貌的改变。进一步的，通过设计同心圆环的相关参数实现了第二层膜孔壁陡直度的调控。
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公开(公告)号：CN111575800A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010401253.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 济南大学 , 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基片均匀黑化的方法，准备原料：包括氯化钾和氯化锂混合盐和铌酸锂或者钽酸锂基片；熔融：将氯化钾和氯化锂按照一定的比例进行混合，或者外加一定质量分数的碳粉、锌粉、铁粉等还原性粉体，混合均匀后，再将混合后的原料置于氧化铝刚玉坩埚中，再对氧化铝刚玉坩埚加热，将该氧化铝刚玉坩埚加热至360-400℃，使其内部的混合原料全部熔融，还原性粉体均匀分散于熔体内，形成无氧熔体或者还原性熔盐；反应：将待还原的基片投入氧化铝刚玉坩埚中，并使氧化铝刚玉坩埚内部的熔盐将基片淹没，保持一定的时间后取出，并冷却；清洗：对冷却的基片进行清洗，将基片表面黏附的还原剂熔体清洗掉，然后晾干，得到黑化的基片。
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公开(公告)号：CN109327200A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811422063.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振结构滤波器，在钽酸锂晶体或铌酸锂晶体的压电晶片表面进行隔离还原处理，在还原区上形成谐振器单元电极。利用还原的压电晶片表面消除压电晶体热释电效应对谐振器单元周期电极线条的破坏，同时，防止了晶片全表面还原处理造成的谐振器单元间电隔离的减弱。
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公开(公告)号：CN107740190A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710914455.8
申请日：2017-09-30
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/30 , C30B33/005
Abstract: 本发明目的提供一种黑化钽酸锂的处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。
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公开(公告)号：CN107675261A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710915925.2
申请日：2017-09-30
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明目的提供一种铌酸锂的黑化处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。
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