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公开(公告)号：CN116256607A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111462960.6
申请日：2021-12-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种测试电路结构及其形成方法和测试方法。其中测试电路结构包括：衬底；位于所述衬底上的若干待测样品，所述若干待测样品沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和所述第二方向不同；位于所述衬底上的若干第一衬垫层，各所述第一衬垫层与沿所述第二方向的同一列待测样品电连接；位于所述衬底上的若干第二衬垫层，各所述第二衬垫层与沿所述第一方向的同一行待测样品电连接。从而，在探针数量固定的情况下，每次测试的待测样品的数量达到最大化，获取更多缺陷的概率也相应提升，同时也减少了探针插拔的次数，延长探针的寿命。
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公开(公告)号：CN114334801A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061150.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/768 , G03F7/20
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形记忆层，所述图形记忆层至少开设有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的延伸方向平行于所述第二沟槽的延伸方向，所述第一沟槽和所述第二沟槽采用不同的光罩形成；在所述基底的对应所述第一沟槽和所述第二沟槽的位置处形成分立于所述基底上的核心层。所述方法能够避免直接形成分立的核心层时因光刻胶细长造成的刻蚀过程中的光刻胶剥离问题；进一步地，能够避免多次光刻直接形成核心层时对填充材料要求较高的问题，降低对填充材料的要求。
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公开(公告)号：CN113782487A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010524386.1
申请日：2020-06-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个分立的核心层，核心层的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直的方向为第二方向；形成覆盖核心层侧壁的侧墙层；在基底上形成图形传递层，图形传递层覆盖侧墙层的侧壁；在第二方向上，在相邻侧墙层之间的图形传递层中形成第一沟槽；形成第一沟槽后，去除核心层，形成第二沟槽；以图形传递层和侧墙层为掩膜，沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明提高图形传递的精度。
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公开(公告)号：CN110121139B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810118985.6
申请日：2018-02-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明提供了一种MEMS麦克风的制备方法，在基底的第一表面上形成第一电极、第一绝缘层、第二电极与第二绝缘层，进行刻蚀形成通孔、第一凹槽与第二凹槽，在第一凹槽与第二凹槽内形成第一金属层，然后在基底的第二表面形成暴露第一电极的腔体，然后去除第一区域内的第一绝缘层，在第一电极与第二电极之间形成间隙，最后在第一金属层上形成第二金属层，从而避免在形成所述腔体的过程中由于高温造成的第一金属层向第二金属层的扩散，从而提高第二金属层的焊接性能。
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公开(公告)号：CN105374739B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201410438412.3
申请日：2014-08-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯集成电路(宁波)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底内形成有通孔；形成覆盖于所述基底表面、通孔底部和侧壁表面的金属层；在所述金属层表面形成苯并环丁烯层；在所述苯并环丁烯层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔；对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层，所述光刻胶层位于通孔上方；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀苯并环丁烯层以及金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；去除所述光刻胶层以及苯并环丁烯层。本发明通过在金属层表面形成苯并环丁烯层，以保护位于通孔内的金属层不被刻蚀，提高形成的再分布层的质量，从而提高半导体结构的可靠性以及电学性能。
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公开(公告)号：CN105374742B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201410443233.9
申请日：2014-09-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底内形成有通孔；在所述基底表面、通孔底部和侧壁表面形成金属层；提供光刻处理腔室，所述光刻处理腔室内的压强与光刻处理腔室外的压强具有压强差，在所述光刻处理腔室内采用压强差光刻工艺，在部分金属层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；去除所述光刻胶层。本发明提高形成的光刻胶层的质量，避免光刻胶层的厚度过薄或断裂，避免对通孔底部和侧壁表面的金属层造成不必要的刻蚀，提高形成的再分布层的质量，从而提高半导体结构的可靠性及电学性能。
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公开(公告)号：CN105097646A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410163157.6
申请日：2014-04-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成硅通孔；在硅通孔的侧壁和底部沉积形成衬垫层；对衬垫层实施氮化处理，以提升衬垫层自身产生的应力的稳定性。根据本发明，可以有效改善形成在硅通孔中的衬垫层的质量和特性，进一步提升硅通孔的互连性能。
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公开(公告)号：CN104465495A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310450092.9
申请日：2013-09-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/268
Abstract: 一种硅通孔的形成方法，包括：提供晶圆；在所述晶圆中形成通孔；在所述通孔表面形成绝缘层；在所述通孔内及所述晶圆上表面形成金属铜层；采用激光热退火对所述金属铜层表面进行均一化处理；对所述金属铜层进行平坦化至露出所述晶圆表面。所述硅通孔的形成方法形成的硅通孔表面平坦，并且所述硅通孔的形成方法形成的硅通孔导电能力和可靠性都得到提高。
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公开(公告)号：CN104465494A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310449898.6
申请日：2013-09-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/7684
Abstract: 一种硅通孔的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成通孔；在所述通孔表面形成绝缘层；在所述半导体衬底上形成第一金属铜层，且所述第一金属铜层填充满所述通孔；对所述第一金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面，剩余所述第一金属铜层具有表面缺口；在所述半导体衬底上形成第二金属铜层，且所述第二金属铜层填充满所述第一金属铜层的表面缺口；对所述第二金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面。本发明所提供的硅通孔的形成方法得到表面平坦的硅通孔，所形成的硅通孔的导电能力和可靠性都得到提高。
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公开(公告)号：CN113496944B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010270736.6
申请日：2020-04-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 何作鹏
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干有效区和无效区，有效区位于无效区之间；在待刻蚀层上形成牺牲层；将有效区上的部分牺牲层改性成第一改性层，将相邻有效区之间的无效区上的牺牲层改性成第二改性层；将无效区上的牺牲层改性成第三改性层，所述第三改性层与所述有效区上的牺牲层和第一改性层相邻；去除有效区上的牺牲层，在第一改性层、第二改性层和第三改性层之间形成第一凹槽；以第一改性层、第二改性层和第三改性层为掩膜，刻蚀待刻蚀层，在待刻蚀层内形成第二凹槽。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
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